+7 495 120-13-73 | 8 800 500-97-74

(для регионов бесплатно)

Содержание

ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ

ГОСТ 2.730-73

ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ

Москва

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Единая система конструкторской документации

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ
В СХЕМАХ.
ПРИБОРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Unified system for design documentation.
Graphical symbols in diagrams.
Semiconductor devices

ГОСТ
2.730-73

Дата введения 1974-07-01

1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.

(Измененная редакция, Изм. № 3).

2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.

Таблица 1

Наименование

Обозначение

1. (Исключен, Изм. № 2).

2. Электроды:

база с одним выводом

база с двумя выводами

Р -эмиттер с N -областью

N -эмиттер с Р-областью

несколько

Р-эмиттеров с N -областью

несколько N -эмиттеров с Р-областью

коллектор с базой

несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе

3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от

Р-области к N -области и наоборот

область собственной электропроводности ( I -область):

l) между областями с электропроводностью разного типа  PIN или NIP

2) между областями с электропроводностью одного типа  PIP или NIN

3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью  PIN

или NIP

4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа  PIP или NIN

4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа

обедненного типа

5. Переход PN

6. Переход NP

7. Р-канал на подложке N -типа, обогащенный тип

8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип

9. Затвор изолированный

10. Исток и сток

Примечание . Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например:

11. Выводы полупроводниковых приборов:

электрически, не соединенные с корпусом

электрически соединенные с корпусом

12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку

(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).

3, 4. (Исключены, Изм. № 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.

Таблица 4

Наименование

Обозначение

1. Эффект туннельный

а) прямой

б) обращенный

2. Эффект лавинного пробоя:

а) односторонний

б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2).

9. Эффект Шоттки

6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.

Таблица 5

Наименование

Обозначение

1. Диод

Общее обозначение

2. Диод туннельный

3. Диод обращенный

4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)

а) односторонний

б) двухсторонний

5. Диод теплоэлектрический

6. Варикап (диод емкостный)

7. Диод двунаправленный

8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами

8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами

9. Диод Шотки

10. Диод светоизлучающий

7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.

Таблица 6

Наименование

Обозначение

1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении

2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении

3. Тиристор диодный симметричный

4. Тиристор триодный. Общее обозначение

5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду

по катоду

6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение

запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду

запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду

7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении:

общее обозначение

с управлением по аноду

с управлением по катоду

8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак

9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении

Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р- N -переходами приведены в табл. 7.

Таблица 7

Наименование

Обозначение

1. Транзистор

а) типа PNP

б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана

2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом

3. Транзистор лавинный типа NPN

4. Транзистор однопереходный с N-базой

5. Транзистор однопереходный с Р-базой

6. Транзистор двухбазовый типа NPN

7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области

8. Транзистор двухразовый типа P NIN с выводом от I -области

9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN

Примечание. При выполнении схем допускается:

а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,

б) изображать корпус транзистора.

Таблица 8

Наименование

Обозначение

1. Транзистор полевой с каналом типа N

2. Транзистор полевой с каналом типа Р

3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки:

а) обогащенного типа с Р-каналом

б) обогащенного типа с N-каналом

в) обедненного типа с Р-каналом

г) обедненного типа с N-каналом

4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки

5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом

6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки

7. Транзистор полевой с затвором Шоттки

8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки

Примечание . Допускается изображать корпус транзисторов.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.

Таблица 9

Наименование

Обозначение

1. Фоторезистор:

а) общее обозначение

б) дифференциальный

2. Фотодиод

З. Фототиристор

4. Фототранзистор:

а) типа PNP

б) типа NPN

5. Фотоэлемент

6. Фотобатарея

Таблица 10

Наименование

Обозначение

1. Оптрон диодный

2. Оптрон тиристорный

3. Оптрон резисторный

4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем:

а) совмещенно

б) разнесенно

5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором:

а) с выводом от базы

б) без вывода от базы

Примечания:

1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,

например:

2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:

12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.

Таблица 11

Наименование

Обозначение

1. Датчик Холла

Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника

2. Резистор магниточувствительный

3. Магнитный разветвитель

13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.

Таблица 12

Наименование

Обозначение

1. Однофазная мостовая выпрямительная схема:

а) развернутое изображение

б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение)

Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения.

Пример применения условного графического обозначения на схеме

2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема

3. Диодная матрица (фрагмент)

Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов

14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.

Таблица 13

Наименование

Обозначение

Отпечатанное обозначение

1. Диод

2. Транзистор типа PNР

3. Транзистор типа NPN

4. Транзистор типа PNIP с выводом от I -области

5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN

Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.

15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.

(Измененная редакция, Изм. № 4).

Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).

Наименование

Обозначение

1. Диод

2.. Тиристор диодный

3. Тиристор триодный

4. Транзистор

5. Транзистор полевой

6. Транзистор полевой с изолированным затвором

(Введено дополнительно, Изм. № 3).

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР

РАЗРАБОТЧИКИ

В. Р. Верченко, Ю. И. Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова

2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002

3 Соответствует СТ СЭВ 661-88

4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы

5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)

Полупроводниковые диоды. 1. Классификация, УГО, маркировка

варикапы, стабилитроны и др.

2.1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Полупроводниковыми диодами называют полупроводниковые приборы с одним электрическим переходом и двумя выводами. Они применяются для выпрямления переменного тока, детектирования

Подробнее

Дисциплина «Твердотельная электроника»

Дисциплина «Твердотельная электроника» ТЕМА 3: «Полупроводниковые диоды» Легостаев Николай Степанович, профессор кафедры «Промышленная электроника» Классификация диодов. Полупроводниковым диодом называют

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор: ст. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 4 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 1. Назначение, классификация и параметры диодов. 2. Устройство диодов малой, средней и большой мощности.

Подробнее

) j 1 и j з — j 2 — j2 — j 2. V2. j2 —

ТИРИСТОРЫ ПЛАН 1. Общие сведения: классификация, маркировка, УГО. 2. Динистор: устройство, принцип работы, ВАХ, параметры и применение. 3. Тринистор. 4. Симистор. Тиристор — это полупроводниковый прибор

Подробнее

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА 1

ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА 1 Тема: Работа с полупроводниковыми ми Рабочее место: аудитория. Время проведения занятия: 80мин Цель: Научиться работать с полупроводниковыми ми, определять их маркировку по справочным

Подробнее

к изучению дисциплины

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ. С.Г.Камзолова ПОСОБИЕ к изучению дисциплины «Общая электротехника и электроника», раздел «Электронные приборы» Часть 1. для студентов

Подробнее

Полупроводниковые диоды

Полупроводниковые диоды Электроника Полупроводниковые диоды приборы с одним p-n-переходом и двумя выводами, обладающие односторонней проводимостью тока. Вольт-амперная характеристика диода ВАХ диода —

Подробнее

5.1. Физические основы полупроводников

5.1. Физические основы полупроводников Тонкий слой между двумя частями полупроводникового кристалла, в котором одна часть имеет электронную (N), а другая дырочную (Р) проводимость, называется электронно-дырочным

Подробнее

Контрольная работа рейтинг 1

Контрольная работа рейтинг 1 ЗАДАНИЕ 1 1. Дать определение потенциального барьера n-p перехода, от чего зависит его величина и толщина перехода. Их влияние на параметры диода. 2. Определить внутреннее

Подробнее

Лекция 2 ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ

109 Лекция ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ План 1. Анализ цепей с диодами.. Источники вторичного электропитания. 3. Выпрямители. 4. Сглаживающие фильтры. 5. Стабилизаторы напряжения. 6. Выводы. 1. Анализ

Подробнее

2.4. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

2.4. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Полевой транзистор (ПТ) это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда одного знака, протекающим через проводящий канал,

Подробнее

СБОРНИК ТЕСТОВЫХ ЗАДАНИЙ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «КАЗАНСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСТЕТ им. А.Н. ТУПОЛЕВА-КАИ» Кафедра радиоэлектроники

Подробнее

1. Назначение и устройство выпрямителей

Тема 16. Выпрямители 1. Назначение и устройство выпрямителей Выпрямители это устройства, служащие для преобразования переменного тока в постоянный. На рис. 1 представлена структурная схема выпрямителя,

Подробнее

Основы электроники 1/45

Основы электроники 1/45 Планетарная модель атома (Бор, Резерфорд) предусматривает наличие ядра и вращающихся на определенных (разрешенных) орбитах вокруг него электронов. Под действием внешних факторов

Подробнее

Нелинейные сопротивления «на ладони»

Нелинейные сопротивления «на ладони» Структурой, лежащей в основе функционирования большинства полупроводниковых электронных приборов, является т.н. «p-n переход». Он представляет собой границу между двумя

Подробнее

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Лектор:. преподаватель Баевич Г.А. Лекция 5 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ 1. Последовательное и параллельное соединение диодов. 2. Выпрямитель переменного тока на одном диоде.

Подробнее

Собственный полупроводник

Собственный полупроводник Для изготовления полупроводников применяют в основном германий и кремний, а также некоторые соединения галлия, индия и пр. Для полупроводников характерен отрицательный температурный

Подробнее

Изучение работы p-n перехода

НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ НИЛ техники эксперимента МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ЛАБОРАТОРНОМУ ПРАКТИКУМУ ПО КУРСУ «ФИЗИКА» www.rib.ru e-mail: [email protected] 010804. Изучение работы —

Подробнее

Порядок выполнения задания

Целью лабораторной работы является закрепление теоретических знаний о физических принципах работы и определяемых ими характеристиках и параметрах полупроводниковых стабилитронов путем их экспериментального

Подробнее

Оглавление. Дшпература… 44

Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова…11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников… 13 1.1. Элементы зонной теории… 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники… 18 1.3.

Подробнее

ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Радиофизический факультет Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе: ИЗМЕРЕНИЕ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ И ДИФФУЗИОННОЙ ДЛИНЫ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ

Подробнее

ОБЩАЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ГРАЖДАНСКОЙ АВИАЦИИ С.Г. Камзолова ОБЩАЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА Пособие по выполнению контрольных домашних заданий для студентов II курса специальности

Подробнее

ДИОДЫ СВЧ 2А551А-3 2А551Г-3

2А551А-3 2А551Г-3 Диоды 2А551А-3, 2А551Б-3, 2А551В-3, 2А551Г-3 бескорпусные кремниевые диффузионные СВЧ переключательные p-i-n предназначены для управления фазой и уровнем СВЧ сигнала. Диоды поставляют

Подробнее

АНАЛИЗ ЛИНЕЙНЫЙ ЦЕПЕЙ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ

Вопросы для подготовки к экзамену по курсу «Основы теории цепей» 1 АНАЛИЗ ЛИНЕЙНЫЙ ЦЕПЕЙ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ 1. Понятие напряжения, тока, мощности, энергии. 2. Модели элементов цепи, вольт-амперная характеристика

Подробнее

Составитель: Н.Н. Муравлева

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫПРЯМИТЕЛЬНОГО ДИОДА. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ P-N ПЕРЕХОДА. Методические указания к самостоятельной виртуальной практической работе по дисциплине «Электротехника и электроника» для студентов всех

Подробнее

ИМПУЛЬСНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

95 Лекция 0 ИМПУЛЬСНЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ План. Введение. Понижающие импульсные регуляторы 3. Повышающие импульсные регуляторы 4. Инвертирующий импульсный регулятор 5. Потери и КПД импульсных регуляторов

Подробнее

Полупроводниковые приборы

Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ) Кафедра «Электротехника»

Подробнее

idt sin tdt 0,32I T R R R R

Лабораторная работа 1 Выпрямитель переменного тока Цель: изучение работы однополупериодного и двухполупериодного выпрямителей и их характеристик. Выпрямителем называется устройство для преобразования напряжения

Подробнее

Полупроводниковый диод . Классификация параметры и обозначен…

Привет, Вы узнаете про полупроводниковый диод, Разберем основные ее виды и особенности использования. Еще будет много подробных примеров и описаний. Для того чтобы лучше понимать что такое полупроводниковый диод,вах диодов,классификация диодов,уго диодов,вольтамперная характеристика диодов,параметры диодов,простейший выпрямитель,простейший стабилизатор,диод , настоятельно рекомендую прочитать все из категории Электроника, Микроэлектроника , Элементная база

Полупроводниковым диод ом называют электропреобразовательный прибор, который, как правило, содержит один или несколько электрических переходов и два вывода для подключения к внешней цепи. Принцип работы большинства диодов основан на использовании различных физических явлений в электрических переходах. Наиболее часто в диодах применяют электроннодырочные переходы, контакты металл-полупроводник, анизотипные гетеропереходы. Однако существуют диоды, структура которых не содержит выпрямляющих электрических переходов (например, диод Ганна) либо содержит несколько переходов (например, p-i-n-диод, динистор), а также диоды с более сложной структурой переходов (например, MДM- и MДП-диоды и др.).

полупроводниковый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле — полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один p-n-переход.

В отличие от других типов диодов, например, вакуумных, принцип действия полупроводниковых диодов основывается на различных физических явлениях переноса зарядов в твердотельном полупроводнике и взаимодействии их с электромагнитным полем в полупроводнике.

Полупроводниковыми диодами называются полупроводниковые приборы с одним p-n-переходом и двумя выводами.

Полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом, работа которого заключается в преобразования одних электрических значений в другие, называют диодом. В конструкции данного изделия предусматривается два вывода для монтажа.
Сущесвуют также диодные сборки с множеством выводов.

классификация диодов .

Классификация диодов

Типы диодов по назначению

  • Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный.
  • Импульсные диоды имеют малую длительность переходных процессов, предназначены для применения в импульсных режимах работы.
  • Детекторные диоды предназначены для детектирования сигнала
  • Смесительные диоды предназначены для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты.
  • Переключательные диоды предназначены для применения в устройствах управления уровнем сверхвысокочастотной мощности.
  • Параметрические
  • Ограничительные диоды предназначены для защиты радио и бытовой аппаратуры от повышения сетевого напряжения.
  • Умножительные
  • Настроечные
  • Генераторные

Типы диодов по частотному диапазону

  • Низкочастотные
  • Высокочастотные
  • СВЧ

Типы диодов по размеру перехода

  • Плоскостные
  • Точечные
  • Микросплавные

Типы диодов по принципу работы и конструкции

  • Диоды Шоттки
  • СВЧ-диоды
  • Стабилитроны
  • Стабисторы
  • Варикапы
  • Светодиоды
  • Фотодиоды
  • Pin диод
  • Лавинный диод
  • Лавинно-пролетный диод
  • Диод Ганна
  • Туннельные диоды
  • Обращенные диоды

Другие типы

  • Селеновый выпрямитель (вентиль)
  • Медно-закисный выпрямитель (вентиль, купрокс)
  • алмазный диод- применяется в высокотемпературных средах (бурение, иследование других планети т.д.)

По мощности

В зависимости от конструктивных особенностей, разные диоды способны рассеивать в пространство различную

мощность, которая ограничивается тепловым разрушением материала проводимости или p-n перехода. Таким образом, диоды делят на:
  • Маломощные;
  • Средней мощности;
  • Большой мощности (силовые).

По исполнению корпуса

Один и тот же вид диода может изготавливаться в различных корпусах. Для портативных устройств лучшим вариантом является диоды в форм-факторе SMD. Проволочные выводы в них заменены контактными площадками. Это обеспечивает им минимальные габаритные размеры, а также позволяет отказаться от монтажа в отверстия платы печатной платы и перейти на поверхностный. Сейчас поверхностным монтажом собирается более 95% портативных устройств. Его просто автоматизировать, а пайка ведется с помощью инфракрасной печи или ручного паяльного фена.

Рисунок 3.1 – Упрощенная структура и условное графическое обозначение полупроводникового диода.

Рисунок 3.1 – Устройство плоскостного диода.

Рисунок 3.1 – Устройство точечного диода.

Под понятием полупроводникового диода собрано множество приборов с различным назначением. Приборы с одним p—n-переходом;

  1. выпрямительный диод — достаточно мощный, позволяющий получать из переменного тока постоянный для питания нагрузки;
  2. импульсный диод;
  3. лавинно-пролетный диод;
  4. туннельный диод — диод с участком, обладающим отрицательным дифференциальным сопротивлением;
  5. стабилитрон — диод, работающий на напряжении электрического пробоя в обратном направлении;
  6. варикап — диод с управляемой напряжением емкостью ЭДП в обратном включении;
  7. диод с накоплением заряда — импульсный диод с малым временем восстановления обратного сопротивления, выполненный методом диффузии примесей.

Приборы с иными разновидностями полупроводниковых структур:

  1. диод Ганна — полупроводниковый прибор без p—n-перехода, использующий эффект доменной неустойчивости;
  2. диод шоттки — прибор со структурой металл — полупроводник, с уменьшенным падением напряжения в прямом направлении;

Фотоэлектрические приборы со структурой типа p—i—n:

  1. фотодиод — диод, преобразующий свет в разность потенциалов;
  2. светодиод — диод, излучающий свет.

Также, помимо прочего, к диодам относят:

  1. динистор, неуправляемый тиристор , имеющий слоистую p—n—p—n-структуру;

Плоскостные диоды обладают с высокими емкостными характеристиками. С увеличением частоты емкостное сопротивление понижается, что приводит к нарастанию его обратного тока. На больших частотах вследствие того в диоде есть емкость, величина его обратного тока может достичь значения прямого тока, и этот диод, таким образом, утратит свое основное свойство односторонней электропроводности. Для сохранения своих функциональных качеств необходимо снизить емкость диода. Это достигается с помощью всевозможных технологических и конструктивных методов, направленных на сокращения площади p-n-перехода.

В диодах, используемых в схемах, работающих с высокочастотным током, применяют изделия с точечными и микросплавными p-n-переходами. Нужный точечный p-n-переход, получается в месте контакта заостренного окончания специальной металлической иглы с полупроводником. При этом применяют способ электроформования, заключающемся в том, что через соединение проволоки и кристалла полупроводники протекают импульсы электрического тока, формирующие в месте их контакта p-n-переход . Об этом говорит сайт https://intellect.icu . Микросплавными называются такие диоды, у которых p-n-переход создается при электроформовании контакта между пластинкой полупроводника и металлическим предметом с плоским торцом.

Выпрямительные диоды.

SMD форм-фактор не подходит для сильноточных диодов. Поэтому там изготавливают диоды в классическом корпусе с двумя выводами. При токах на диоде свыше 10 ампер необходимо уже обеспечивать принудительное охлаждение диода. Для этого они снабжаются болтом и гайкой для крепления к теплоотводящему радиатору. Сейчас серийно выпускаются выпрямительные диоды с максимально допустимым током до 2500 А и напряжением 2000 вольт. Такие модели изготавливаются в дисковом корпусе диаметром около 70 мм. Оба торца являются токоведущими выводами и теплоотводящими поверхностями. Выпрямительные диоды часто делаются в виде сборок по четыре (диодный мост).

Универсальные диоды .

Универсальные импульсные диоды применяются в большом количестве при изготовлении бытовых электронных устройств. Там с помощью них реализуют логические операции, выпрямляют токи небольшой величины. Объемы их выпуска наиболее велики. Цена на них при оптовой покупке составляет несколько центов и менее.

Стабилитроны и варикапы.

Стабилитроны являются простым сенсором, реагирующим на изменение напряжения. Именно такую функцию они выполняют в стабилизаторах напряжения. При помощи организации специальной схемы, маломощным стабилитроном можно стабилизировать значительные токи.

Варикапы являются неотъемлемым компонентом современных радиочастотных схем. Именно с помощью них осуществляется модуляция и перестройка частоты. Важнейшая характеристика варикапа — перекрываемая емкость и добротность. От этого зависит, на какой рабочей частоте может работать варикап. Для СВЧ схем требуются очень высокие значения добротности.

Основные характеристики и параметры диодов

  • Вольт-амперная характеристика
  • Максимально допустимое постоянное обратное напряжение
  • Максимально допустимое импульсное обратное напряжение
  • Максимально допустимый постоянный прямой ток
  • Максимально допустимый импульсный прямой ток
  • Номинальный постоянный прямой ток
  • Прямое постоянное напряжение на диоде при номинальном токе (т. н. «падение напряжения»)
  • Постоянный обратный ток, указывается при максимально допустимом обратном напряжении
  • Диапазон рабочих частот
  • Ёмкость
  • Пробивное напряжение (для защитных диодов и стабилитронов)
  • Тепловое сопротивление корпуса при различных вариантах монтажа
  • Максимально допустимая мощность рассеивания

система параметров приводятся в справочниках.

Эта система позволяет правильно выбрать диод для применения в конкретных условиях.
Iпр – прямой ток, проходящий в прямом направлении,
Uпр – прямое напряжение,
Iпр max – максимально доступный прямой ток,
Uобр max – максимально доступное обратное напряжение,
Iобр – обратный ток диода,
Uобр – обратное напряжение диода – (постоянное напряжение, приложенное к диоду в обратном направлении).

  • Вольт-амперная характеристика
  • Максимально допустимое постоянное обратное напряжение
  • Максимально допустимое импульсное обратное напряжение
  • Максимально допустимый постоянный прямой ток
  • Максимально допустимый импульсный прямой ток
  • Номинальный постоянный прямой ток
  • Прямое постоянное напряжение на диоде при номинальном токе (т. н. «падение напряжения»)
  • Постоянный обратный ток, указывается при максимально допустимом обратном напряжении
  • Диапазон рабочих частот
  • Ёмкость
  • Пробивное напряжение (для защитных диодов и стабилитронов)
  • Тепловое сопротивление корпуса при различных вариантах монтажа
  • Максимально допустимая мощность рассеивания


Пример: КД204А Iпр = 2 А, Uобрmax = 400 В,
Uпр = 1.4 В, Iобр = 150 мкА
Диоды, как нелинейные элементы, характеризуются
статическим Rc = U/I
дифференциальным (динамическим) Rдиф = ∆U/∆I

Условное графическое изображение (УГО)диодов на схемах

Общее обозначение диода

Так обозначают на схемах выпрямительные, высокочастотные, импульсные диоды.


Обозначение стабилитронов


Обозначение двухстроннего стабилитрона

Двухсторонний стабилитрон чаще называют двуханодным. Главная прелесть состоит в том, что его можно включать независимо от полярности. Причем стабилитроны одной и той же марки могут быть как двухсторонними, так и односторонними, например, КС162, КС168, КС133 и др. бывают в железных корпусах (или в стекле) и они односторонние, а бывают в пластмассe обычно красного цвета — двуханодные.


Oбозначение варикапа


Обозначение варикапной матрицы


Обозначение туннельного диода


Oбозначение обращенного туннельного диода


Oбозначение диода с барьером Шотки (диод Шотки)


Oбозначение светодиода


Oбозначение фотодиода

Плоскостные

В зависимости от разработки диода его обозначение может включать дополнительные символы . Об этом говорит сайт https://intellect.icu . В любом случае вершина треугольника, примыкающая к осевой линии диода, указывает на направление протекания тока. В той части обозначения, где располагается треугольник , находится p-область, которую еще называют анодом или эмиттером, а со стороны, где к треугольнику примыкает отрезок , находится n-область, которую соответственно называют катодом, или базой.

Выпрямительные Стабилитрон Туннельные Варикапы Светодиоды Фотодиоды

Условные графические обозначения элементов, компонентов и устройств волоконно-оптических систем передачи с применением диодов

обозначение лазерных диодов

Система маркировки диодов


1 – исходный материал:
германий — буква Г или цифра 1 ;
кремний — буква К или цифра 2 ;
галлий — буква А или цифра 3 ;
индий — буква И или цифра 4
2 – тип прибора:
А — СВЧ диоды
В — варикап ы
Д — выпрямительные и импульсные
И — туннельные диоды
Л — излучающие диоды (светодиоды)
Н — диодные тиристоры ( динисторы )
С — стабилитрон ы
Ц — выпрямительные столбы и блоки
3 – цифры обозначают некоторые основные параметры диода (мощность) (для стабилитронов четвертый элементы характеризуют напряжение стабилизации),
4 – буквы и /или цифры, обозначающие порядковый номер разработки
5 — буква, определяющая классификацию по параметрам.

Вольтамперная характеристика (ВАХ) диодов

Полупроводниковые диоды, назначение которых заключается в преобразовании переменного тока в постоянный ток, называются выпрямительными. Выпрямление переменного тока с использованием полупроводникового диода построено на основе его односторонней электропроводности, которая заключается в том, что диод создает очень малое сопротивление току, текущему в прямом направлении, и достаточно большое сопротивление обратному току.

Для того чтобы выпрямить ток большой силы не опасаясь теплового пробоя, конструкция диодов должна предусматривать значительную площадь p-n-перехода. В связи, с чем в выпрямительных полупроводниковых диодах задействуют специальные p-n-переходы соответствующие последнему слову науки и техники.

Технология создания p-n-перехода получается, за счет ввода в полупроводник p-или n-типа примеси, которая создает в нем область с противоположным значением электропроводности. Примеси можно добавлять методом сплавления или диффузии.

Диоды, получаемые методом сплавления, называют «сплавными», а изготавливаемые методом диффузии «диффузионными».

График стабилитрона

Вольтамперная характеристика (ВАХ) реального диода

Для технических целей используют ВАХ в линейных координатах.
При больших напряжениях обратного смещения в диоде может развиться пробой – резкое увеличение обратного тока при незначительном изменении напряжения. При лавинном пробое электроны в электрическом поле p-n перехода приобретают энергию, достаточную для ионизации собственных атомов полупроводника. Это приводит к лавинному размножению носителей заряда, резкому увеличению их локальной концентрации и соответственно тока. После развития лавинного пробоя диод не теряет свою работоспособность. Этот вид пробоя используется в полупроводниковых стабилитронах, о свойствах которых будет сказано далее.
Тепловой пробой развивается в результате локального разогрева области p-n перехода, и как следствия, увеличения концентрации носителей заряда. Тепловой пробой является необратимым, после которого диод теряет свои свойства и работоспособность.

Вольтамперная характеристика идеального диода

Стабилитронами стабилизируют уровень напряжения примерно от 3,5 Ви выше. Для стабилизации постоянного напряжения до 1 вольта применяют стабисторы. У стабисторов работает не обратная, а прямая часть вольтамперной характеристики. Поэтому их подсоединяют не в обратном, как делают со стабилитронами, а в прямом направлении. Электронные компоненты, такие как стабисторы и стабилитроны, как правило, изготовляются, из кремния.

Вольтамперная характеристика стабистора

Принцип действия универсального диода

Вольт-амперная характеристика диода описывается уравнением Шокли:

где

Темновой ток насыщения — ток утечки диода, определяемый его конструкцией, является масштабным коэффициентом. Коэффициент идеальности — также конструктивная характеристика диода. Для идеального диода равен 1, для реальных диодов колеблется от 1 до 2 в зависимости от различных параметров (резкость перехода, степень легирования и пр.)

простейший выпрямитель

Простейший выпрямитель

В ходе положительного полупериода входного напряжения U1 диод Vработает в прямом направлении, его сопротивление маленькое и на нагрузке RH напряжение U2практически равно входящему напряжению.

График напряжения на входе и выходе простейшего однополупериодного выпрямителя

При отрицательном полупериоде данного входного напряжения диод включен в направлении обратно, где его сопротивление формируется значительно больше, чем сопротивление на нагрузке, и почти все входящее напряжение падает на диоде, а напряжение на нагрузке приближается к нулю В такой схеме для получения выпрямленного напряжения используется всего лишь один полупериод входящего напряжения, поэтому такой тип выпрямителей называется однополупериодным.

Простеший сабилизатор

Полупроводниковые диоды, которые используются для стабилизации постоянного напряжения на нагрузке, называют стабилитронами. В стабилитронах задействован участок обратной участка вольтамперной характеристики в поле электрического пробоя.

Схема простейшего стабилизатора напряжения

В данном случае при изменении тока, проходящего через стабилитрон, от Iст. мин. до Iст. макс. напряжение на нем практически не изменяется. Если нагрузка RH включена параллельно стабилитрону, уровень напряжения на ней также будет оставаться неизменным в указанных пределах изменения тока, проходящего через стабилитрон.

Интересные факты о диодах

  • В первые десятилетия развития полупроводниковой технологии точность изготовления диодов была настолько низкой, что приходилось делать «разбраковку» уже изготовленных приборов. Так, диод Д220 мог, в зависимости от фактически получившихся параметров, маркироваться и как переключательный (Д220А, Б), и как стабистор (Д220С) Радиолюбители широко использовали его в качестве варикапа.
  • Диоды могут использоваться как датчики температуры.
  • Диоды в прозрачном стеклянном корпусе (в том числе и современные SMD-варианты) могут обладать паразитной чувствительностью к свету (то есть радиоэлектронное устройство работает по-разному в корпусе и без корпуса, на свету). Существуют радиолюбительские схемы, в которых обычные диоды используются в качестве фотодиода и даже в качестве солнечной батаре

См. также:

На этом все! Теперь вы знаете все про полупроводниковый диод, Помните, что это теперь будет проще использовать на практике. Надеюсь, что теперь ты понял что такое полупроводниковый диод,вах диодов,классификация диодов,уго диодов,вольтамперная характеристика диодов,параметры диодов,простейший выпрямитель,простейший стабилизатор,диод и для чего все это нужно, а если не понял, или есть замечания, то нестесняся пиши или спрашивай в комментариях, с удовольствием отвечу. Для того чтобы глубже понять настоятельно рекомендую изучить всю информацию из категории Электроника, Микроэлектроника , Элементная база

Полупроводниковые диоды

Полупроводниковый диод — это полупроводниковый прибор с одним электронно-дырочным переходом (основная часть) и двумя выводами. Примеры внешнего вида диодов приведены на рис. 1.

Рис. 1. Полупроводниковые диоды.

По конструкции полупроводниковые диоды могут быть плоскостными и точечными. Устройство плоскостного диода показано на рис. 2. К кристаллодержателю припаивается пластинка полупроводника n-типа. Кристалложержатель – это металлическое основание плоскостного диода. Сверху в пластинку полупроводника вплавляется капля трёхвалентного металла, обычно индия. Атомы индия диффундируют (проникают) в полупроводниковую пластинку и образуют у её поверхности слой р-типа. Между слоями р- и n-типов образуется электронно-дырочный переход (ЭДП). К кристаллодержателю и индию припаиваются проводники, которые служат выводами диода. Для предохранения диода от механических повреждений, попадания света, пыли и влаги на полупроводник, его помещают в герметичный корпус.

На рис. 2 позиция 1 – это вывод р-области, позиция 2 – вывод n-области.

Рис. 2. Устройство плоскостного диода.

Точечный полупроводниковый диод состоит из пластинки полупроводника n-типа и заострённой пружинки из вольфрама или фосфористой бронзы диаметром около 0,1 мм. Через прижатую к полупроводниковой пластинке пружинку пропускают электрический ток большой силы, в результате чего металлическая пружинка сваривается с полупроводниковой пластинкой, образуя под своим остриём р-область. Между р-областью и полупроводником n-типа возникает электронно-дырочный переход.

На рис. 3 приведены условные графические обозначения (УГО) различных диодов. Острая вершина треугольника в УГО указывает на направление протекания прямого тока через диод. То есть для того, чтобы диод пропускал ток, включать его нужно так, чтобы на основание треугольника подавался «плюс» (или на прямолинейный отрезок подавался «минус»). Если включить диод в обратном направлении, то он не будет пропускать ток (потому и называется полупроводником – пропускает ток только в одном направлении). Пример включения диода показан на рис. 4. Пример применения диода можно увидеть на рис. 5.

Рис. 3. Условное графическое обозначение (УГО) диодов.

р-область диода (то есть вывод, на который в прямом направлении подаётся «плюс») носит название анод. Противоположный вод называется катод.

Рис. 4. Включение диода.


ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Компоненты волоконно-оптических систем передачи / ЕСКД. Единая система конструкторской документации / Законодательство

ГОСТ 2.761-84

УДК 003.62:621.3062:006.354

Группа Т52

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

Единая система конструкторской документации

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ.

КОМПОНЕНТЫ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ СИСТЕМ ПЕРЕДАЧИ

Unified system for design documentation.

Graphic designations in diagrams. Optical fibre data transmission systems components

ОКСТУ 0002

Дата введения 01.07.85

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. РАЗРАБОТЧИКИ

В.А. Бирюков, Н.М. Дмитриева, С.П. Корнеева, В.В. Мукосеев, И.Н. Сидоров, А.А. Суворова

2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 29.06.84 № 2253

3. Стандарт соответствует СТ СЭВ 5049-85

4. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

5. ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ

Обозначение НТД, на который дана ссылка

Номер пункта

ГОСТ 2.721-74

2, табл. 1 (пункты 1, 3, 6, 7)

6. ИЗДАНИЕ (октябрь 2000 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, утвержденными в октябре 1986г., апреле 1987 г., июле 1991 г., (ИУС 1-87, 7-87, 10-91)

1. Настоящий стандарт устанавливает условные графические обозначения компонентов и элементов волоконно-оптических систем передачи на схемах, выполняемых вручную или автоматизированным способом, во всех отраслях промышленности.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

2. Знаки, характеризующие электронно-оптические и фотоэлектрические эффекты, приведены в табл. 1.

Таблица 1

Наименование

Обозначение

1. Эффект оптического излучения

По ГОСТ 2.721

2. Эффект оптического когерентного излучения

3. Эффект фотоэлектрический

По ГОСТ 2.721

4. Совмещение эффекта оптического излучения с фотоэлектрическим эффектом

5. Эффект распространения оптического излучения

6. Эффект лавинного пробоя (односторонний и двухсторонний)

По ГОСТ 2.721

7. Взаимодействие оптическое

По ГОСТ 2.721

Примечание. Изображение эффектов применяют для образования условных графических обозначений элементов аппаратуры волоконно-оптических систем передачи (см. табл. 4).

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2).

3. Знаки, характеризующие типы оптических волноводов и соединение пучков оптических волокон, приведены в табл. 2.

Таблица 2

Наименование

Обозначение

1. Оптический волновод, оптическая линия, оптическое волокно, волоконный световод, оптический кабель. Общее обозначение.

Примечания:

1. В обозначение включают дополнительную информацию о диаметре отдельных слоев оптического волокна в направлении от центра волокна:

а — сердцевина

b — оболочка

с — первичная защита

d — вторичная защита

n — количество оптических волноводов в кабеле

Допускается при наличии дополнительной информации указывать (n) над обозначением волновода без наклонной черты

2. При обозначении оптических линий окружность с двумя стрелками можно опустить, если исключена возможность ошибки.

2. Одномодовый оптический волновод, одномодовое оптическое волокно

3. Многомодовый оптический волновод, многомодовое оптическое волокно со ступенчатым профилем показателя преломления

с градиентным профилем показателя преломления

4. Оптический волновод с применением когерентного излучения

5. Слияние оптических волокон

6. Разветвление оптических волокон

Примечание к пп. 5 и 6.

Соотношение оптических мощностей приводят в процентах или в децибелах.

4. Условные графические обозначения элементов, компонентов и устройств волоконно-оптических систем передачи приведены в табл. 3.

Таблица 3

Наименование

Обозначение

1. Розетка оптического соединителя

2. Вилка оптического соединителя

3. Оптический разъемный соединитель

4. Оптический неразъемный соединитель

5. Оптический соединитель «вилка – розетка — вилка»

6. Оптический соединитель «розетка-вилка»

7. Оптический соединитель «розетка – вилка — розетка»

8. Оптический комбинированный соединитель

9. Оптический переключатель

10. Соединительная разъемная муфта

11. Соединительная неразъемная муфта

12. Оптический ответвитель

Примечание. Допускается на линиях выводов указывать коэффициент ответвления по каждому выходному каналу в децибелах или процентах

13. Ответвитель типа «звезда»

14. Оптический пассивный разветвитель:

(n — количество входов, m — количество выходов)

15. Оптический активный разветвитель:

(n — количество входов, m — количество выходов)

16. Передающий оптоэлектронный модуль с диодом светоизлучающим с лазерным диодом

с диодом светоизлучающим

с лазерным диодом

17. Приемный оптоэлектронный модуль

с фотодиодом

с лавинным фотодиодом

18. Приемно-передающий оптоэлектронный модуль

19. Электрооптический модулятор

20. Оптический коммутатор:

(n — количество входов, m — количество выходов)

21. Оптический аттенюатор

22. Смеситель мод

23. Делитель мод (полупрозрачное зеркало)

24. Удалитель мод оболочки

5. Примеры соединений условных графических обозначений элементов и компонентов в схемах волоконно-оптических систем передачи приведены в табл. 4.

Таблица 4

Наименование

Обозначение

1. Диод светоизлучающий с выводом многомодового оптического волокна со ступенчатым профилем показателя преломления

2. Фотодиод лавинный с розеткой оптического соединителя

3. Лазер полупроводниковый с соединителем оптическим разъемным

4. Кабель оптический, содержащий 20 многомодовых оптических волокон со ступенчатым профилем показателя преломления с диаметром сердцевины 50 мкм и диаметром оболочки 125 мкм

5. Приемно-передающий оптоэлектронный модуль с розеткой оптического соединителя

6. Кабель оптический комбинированный с комбинированным оптическим соединителем

7. Передающий оптоэлектронный модуль со светодиодом с оптическим ответвителем

4, 5. (Измененная редакция, Изм. № 3).

6. Основные размеры условных графических обозначений элементов и компонентов волоконно-оптических систем передачи приведены в табл. 5.

Таблица 5

Наименование

Обозначение

1. Оптическое волокно

2. Розетка оптического соединителя

3. Вилка оптического соединителя

4. Соединитель оптический разъемный

5. Соединитель световодный проходной

6. Муфта соединительная разъемная

7. Соединитель оптический комбинированный

8. Ответвитель оптический

9. Оптический разветвитель активный

10. Оптоэлектронный передающий модуль со светодиодом

11. Модуль приемно-передающий

12. Модулятор электрооптический

13. Показатель преломления ступенчатого профиля

14. Показатель преломления градиентного профиля

15. Одномодовое оптическое волокно

3-6. (Измененная редакция, Изм. № 1).

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

ИНФОРМАЦИОННО-СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ О СООТВЕТСТВИИ

ГОСТ 2.761-84 СТ СЭВ 5049-85

ГОСТ 2.761-84

СТ СЭВ 5049-85

ГОСТ 2.761-84

СТ СЭВ 5049-85

Табл. 2, п. 1

Табл. 1, п. 1

Табл. 3, п. 13

Табл. 3, п. 8

п. 2

п. 4

п. 16

Табл. 4, пп. 1, 2

п. 3

пп. 3, 5

п. 17

пп. 3, 4

п. 4

п. 2

п. 21

Табл. 3, п. 9

п. 5

Табл. 2, п. 1

п. 22

п. 10

п. 6

п. 2

п. 23

п. 11

Табл. 3, п. 1

Табл. 3, п. 2

п. 24

п. 12

п. 2

п. 3

Табл. 4, п. 1

Табл. 1, п. 3

п. 3

п. 1

п. 2

Табл. 3, п. 2

п. 5

п. 6

п. 3

Табл. 3, п. 1

п. 6

п. 4

п. 4

Табл. 6, п. 1

п. 7

п. 5

п. 5

Табл. 3, п. 2

п. 9

п. 7

п. 6

Табл. 6, п. 2

п. 10

Табл. 2, п. 4

п. 11

п. 3

(Введено дополнительно, Изм. № 1).

Электроника и микропроцессорная техника | Страница 3 из 12

Активные элементы электронных устройств

Для преобразования электрических сигналов (усиления, генерирования колебаний, изменения формы сигнала и т.д.) недостаточно использования в цепях пассивных линейных элементов. Для этих цепей в электронике широко применяются различные активные элементы, обладающие необходимыми нелинейными характеристиками. Исторически такими элементами долгое время служили электровакуумные и газонаполненные приборы. Сейчас подавляющее  развитие и распространение получили полупроводниковые приборы.

Работа большинства полупроводниковых приборов основана на свойствах т.наз. p-n перехода (электронно-дырочного перехода).

Электронно-дырочным переходом (ЭДП) называют область, возникшую на границе раздела полупроводников п-типа и р-типа. ЭДП получают вплавлением (резкий переход) или диффузией (плавный переход) в полупроводниковый монокристалл примесей, создающих тип проводимости, противоположный типу проводимости исходного монокристалла.

Электрические свойства ЭДП можно понять, если рассмотреть процесс его образования. Концентрация электронов в п-области пп (основные носители) во много раз больше их концентрации в р-области пр  (неосновные носители). Поэтому при образовании p-n перехода из-за существования градиента концентрации носителей заряда происходит диффузия электронов из п-области в р-область кристалла, а дырок из р-области в п-область. В результате этого вблизи границы ЭДП в n- области остается связанный положительный объемный заряд ионизированных атомов доноров (атомов примеси, обогащающей исходный монокристалл отрицательными носителями заряда – электронами), а в р-области  — отрицательный объемный заряд ионизированных атомов акцепторов (атомов примеси, обогащающей исходный монокристалл положительными носителями заряда–дырками).Эти объемные заряды образуют электрическое поле, препятствующее дальнейшей диффузии электронов и дырок, образуется запирающий слой, в котором практически отсутствуют подвижные основные (примесные) носители заряда, вследствие чего его сопротивление велико.  Устанавливается равновесие, при котором падение напряжения на границе р и п-областей, называемое потенциальным барьером или контактной разностью потенциалов, принимает стационарное значение. При этом полный ток через р-п переход равен нулю. Ширина области запирающего слоя (ширина р-п перехода) зависит от метода изготовления ЭДП и концентрации основных носителей в п- и р-областях и тем больше, чем меньше эти концентрации. Если к ЭДП приложить электрическое напряжение U, то равновесие нарушается. При обратном смещении (+U приложено к области n ) потенциальный барьер для основных носителей возрастает, вследствие чего ток через переход за счёт основных носителей практически равен нулю,однако по цепи: источник питания – переход протекает ток, порождаемый так называемыми неосновными носителями заряда. Неосновными носителями являются заряды p – типа в области n и n- типа в области p, возникающие в результате термогенерации атомов исходного монокристалла, их концентрация много меньше таковой для основных ( примесных ) носителей, для неосновных носителей слой объёмного заряда не является запирающим.Ток неосновных носителей мал по величине, слабо зависит от обратного напряжения на переходе, поскольку их концентрация постоянна для данной температуры и носит название обратного или теплового тока p-n перехода.

Увеличение обратного напряжения может привести к пробою р-п перехода. Под пробоем понимают явление резкого возрастания тока через переход, вызванное увеличением числа подвижных носителей заряда в обедненной области. Различают два основных вида пробоя: электрический и тепловой. В первом случае увеличение числа подвижных носителей заряда происходит за счет процессов ударной (лавинной) ионизации атомов, во второй – вследствие нарушения теплового равновесия и повышения температуры полупроводника. Напряжение, при котором происходит пробой, называется напряжением пробоя Uпр.

В случае прямого смещения (+U приложено к области p )  потенциальный барьер запирающего слоя уменьшается. Основные носители заряда пересекают ЭДП, образуя прямой ток через переход, который может достигать значительной величины. Этот процесс называют инжекцией  носителей. Инжектированные носители заряда диффундируют вглубь полупроводника, рекомбинируя с носителями заряда, приходящими из внешней цепи. Прямой ток через ЭДП устанавливается не мгновенно из – за  инерционности, которая обусловлена процессами рекомбинации и характеризуется временем жизни t  носителей заряда.  Величина t определяет частотные характеристики полупроводниковых приборов.
На рис. 10 приведена вольт – амперная характеристика  ЭДП, на которой различают прямую ветвь (1 квадрант) и обратную ветвь (3 квадрант).

Рис. 10 Вольт – амперная характеристика ЭДП

Полупроводниковым диодом – называют электропреобразовательный прибор с двумя выводами, принцип действия которого основан на использовании свойств ЭДП.

В зависимости от оформления p-n перехода различают плоскостные и точечные полупроводниковые диоды. В плоскостных граница между областями полупроводника представляет собой плоскость соприкосновения, в точечных диодах полупроводник контактирует с металлической иглой (ЭДП полупроводник – металл).

На рис.11 приведена в качестве примера наиболее распространённая структура плоскостного диода, изготовленного методом вплавления .

Рис. 11. Структурная схема плоскостного диода

Промышленность выпускает следующие типы полупроводниковых диодов.

Выпрямительные диоды – для преобразования переменного тока  в постоянный. В качестве основных материалов используются – кремний и германий. Прямое напряжение и рабочая температура кремниевых диодов выше, чем у германиевых. Частотные характеристики лучше у германиевых диодов. Диапазон прямых токов и допустимых обратных напряжений диодов весьма широк: от десятков миллиампер до сотен ампер и от десятков вольт до десятков киловольт соответственно. Величина обратных токов в зависимости от типа диода может находиться в пределах единиц микроампер – единиц миллиампер. Обратный ток диода характеризует  неидеальность его выпрямительных свойств, с этой точки зрения кремниевые диоды, имеющие существенно меньшие обратные токи перспективнее германиевых.

Высокочастотные диоды предназначены для использования в качестве ключевых элементов в импульсных схемах. Для диода состояние «включено» соответствует прямому смещению р-п перехода, состояние «выключено» – обратному. Характерной особенностью этих диодов является малая ёмкость перехода, достигаемая технологическим путем, благодаря чему время переходного процесса между двумя состояниями весьма мало.

Стабилитроны (опорные диоды) предназначены для поддержания неизменного напряжения (напряжения стабилизации) при больших изменениях тока. Стабилитроны работают при отрицательном смещении на р-п переходе при U = Uобр. (рис.10). Вольтамперные характеристики этих диодов имеют слабую зависимость напряжения от тока в области электрического пробоя. Основным параметром этих диодов является напряжение стабилизации.

Варикапы (параметрические диоды) используют в качестве конденсатора переменной ёмкости. Принцип действия их основан на свойстве барьерной ёмкости обратно смещенного перехода   изменять свою величину в зависимости от приложенного напряжения. Варикапы широко используются в схемах автоматической подстройки частоты, амплитудной и частотной модуляции, в схемах параметрических усилителей и др.

Светодиоды – приборы с р-п переходом, которые излучают свет при прохождении через них прямого тока. Светодиоды являются источниками некогерентного излучения. Светодиоды изготовляются на основе полупроводниковых материалов, вероятность излучательной рекомбинации в которых высока. Одним из основных параметров светодиодов является длина волны излучаемого света, которая определяет цвет излучения. Светодиоды находят широкое применение в качестве буквенно-цифровых индикаторов и индикаторных панелей, в установках аварийной сигнализации, в системах ночного видения, в контрольно-цифровой аппаратуре и др.

Туннельные диоды – используются в схемах генераторов и усилителей СВЧ диапазона, в быстродействующих ключевых и импульсных схемах и др. Принцип действия их основан на туннельном эффекте, который возможен в случае сверхмалой толщины ЭДП. Туннельные диоды изготавливают на основе таких высоколегированных полупроводниковых материалов как Ge и GaAs

Фотодиоды  -используются в качестве  приемников светового излучения,принцип работы основан на генерации под действием квантов света пар носителей заряда,которые разделяются  p-n переходом, образуя  на выходных выводах фотоэдс ,фотодиоды работают при обратном смещении перехода и используются в двух основных режимах: как датчик освещенности (режим фотоэдс) и как переменное сопротивление, включаемое последовательно с нагрузкой и зависящее от внешней освещенности. Весьма широко используется  комбинация : светодиод – фотодиод, конструктивно объединенные в одном приборе, называемом оптроном или оптопарой, такие оптопары служат для идеальной гальванической развязки маломощных управляющих и мощных нагрузочных цепей.

Тиристоры –полупроводниковые приборы ,основанные на трех — переходной диодной структуре, подразделяются на три основные типа :динисторы, тринисторы (чаще называются просто тиристорами) и симисторы. Основное назначение – коммутация больших нагрузочных токов в широком диапазоне напряжений на нагрузке. На рис.12 показана физическая модель динистора, включающая три p-n перехода.

При некотором напряжении между анодом и катодом, называемом напряжением включения, в коллекторном переходе создаются условия для лавинообразного нарастания числа неосновных носителей в результате чего электрическое сопротивление динистора резко падает, возрастает прямой ток, величина которого теперь будет определяться сопротивлением последовательно включенной нагрузки и приложенным напряжением. Вольт-амперная характеристика динистора с характерными точками,определяющими параметры динистора приведена на рис.13.

Следует отметить,что обратная ветвь  характеристики динистора ничем не отличается от таковой для диода, кроме того, после включения выключить динистор можно только одним способом – уменьшить прямой ток до величины Iвыкл.

Тринистор отличается от динистора наличием дополнительного  «управляющего» вывода, подачей напряжения на который, можно управлять моментом включения тринистора (Рис.14)

Вольт-амперная характеристика тринистора приведена на рис.15.

Разновидность тринистора – симистор обладает симметричной характеристикой  в первом и третьем квадрантах, таким образом,  симистор способен коммутировать переменный ток в нагрузке. Управление указанными приборами  ведется также только на включение, выключение возможно только путём снижения тока нагрузки. В принципе существуют тринисторы как с включением, так и с выключением с помощью управляющего электрода, однако при этом, выключающий ток сравним по величине с током нагрузки, в связи с этим  они используются крайне редко.

Условные графические обозначения диодов и их разновидностей приведены на рис.16.

На рис.16 приведены УГО следующих основных разновидностей диодов:

а) – диод выпрямительный,

б) – стабилитрон,

в)-варикап,

г)-туннельный диод,

д)-диод Шоттки (контакт:металл-полупроводник),

е)-светодиод,

ж)-фотодиод,

з)-диодный оптрон (оптопара),

и)-динистор,

к)-тринистор с управлением по катоду (управляющее напряжение действует между
управляющим электродом и катодом),

л)-симистор с управлением по катоду .

УГО диодов на принципиальных схемах сопровождается буквами «VD».

Система обозначений диодов в конструкторской документации:

  • первый элемент  — цифра или буква:1 или Г (германий), 2 или К (кремний),3 или А (арсенид галлия),
  • второй элемент — буква:        Д – выпрямительный диод,

В – варикап,

А – СВЧ диод,

И – туннельный диод,

С – стабилитрон,

Ц – выпрямительные блоки,

У – тиристоры,

АЛ  — излучающие диоды,

ФД – фотодиоды.

  • третий элемент – 3х значное число —  свойства  группы,
  • четвёртый элемент – буква : особенности внутри группы.

Примеры обозначений: 1Д402А –германиевый выпрямительный диод, КД 202В —          кремниевый выпрямительный диод, КС107А – стабилитрон, КУ 208Г – симистор,  КВ110Б – варикап.

Биполярный транзистор (БТ) –  полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на взаимодействии близкорасположенных ЭДП. На рис.17схематически приведена структура БТ типа р п р.

Рис. 17.  Схематическое изображение транзистора типа рnр

Эмиттер (Э) – это область с высокой концентрацией положительных носителей заряда-дырок, база (Б) — тонкая область между эмиттером и коллектором (К). Переход, который образуется на границе областей эмиттер-база, называют эмиттерным, а на границе база-коллектор – коллекторным. Площадь коллекторного перехода в несколько раз больше площади эмиттерного перехода.

Классификация БТ производится по материалу полупроводника (германиевые, кремниевые, на основе арсенида галлия), по порядку следования областей (рпр и прп – транзисторы), по механизму движения неосновных носителей заряда в базе (дрейфовые и диффузионные), по мощности (малой, средней и большой) и по частоте (низкой, средней, высокой и сверхвысокой частоты).

Принцип действия транзистора рассмотрим на примере БТ рпр типа. С приложением к эмиттерно — базовому переходу прямого напряжения происходит инжекция дырок из эмиттера в базу и электронов из базы в эмиттер. Ввиду того, что эмиттер легирован много сильнее базы, поток инжектированных дырок будет намного превышать поток электронов. Инжектированные в базу дырки в результате диффузии будут перемещаться к коллекторному переходу и почти все дырки (за исключением успевших рекомбинировать в тонком базовом промежутке) достигнут коллектора. Возникающий при этом коллекторный ток лишь немного меньше тока эмиттера .  Поскольку дырки в области базы являются неосновными носителями заряда часто говорят, транзистор работает на неосновных носителях заряда, кроме того, наличие двух источников смещения переходов объясняет происхождение термина «биполярный». Т.к. коллекторный переход смещён в обратном направлении, то его сопротивление на несколько порядков выше сопротивления эмиттерного перехода. При включении в цепь коллектора нагрузочного сопротивления относительно малое изменение напряжения на эмиттере будет вызывать большое изменение напряжения на сопротивлении нагрузки. Таким образом, в результате различия входного и выходного напряжений транзистор даёт усиление по мощности. В зависимости от сочетаний величин и полярности напряжений на эмиттерном и коллекторном переходах транзистор может работать в области отсечки, активной области и области насыщения. Область отсечки характеризуется обратным смещением на обоих переходах, активная область – прямым смещением на одном переходе и обратным на другом; область насыщения – прямым смещением на обоих переходах. Кроме того, при различном сочетании напряжений, транзистор может работать в прямом (нормальном) и в обратном (инверсном) включениях. В последнем случае эмиттер служит коллектором, а коллектор – эмиттером. В режиме усиления при малых сигналах транзистор работает только в активной области, а при больших сигналах – в области отсечки и в активной области. В режиме переключения транзистор работает во всех трёх областях – активной, отсечки и насыщения.

В зависимости от того, какой электрод является общим для входной и выходной цепи, различают три схемы включения транзисторов: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) рис.18

Рис. 18. Основные схемы включения транзистора

а) ОБ;    б)  ОЭ;   в) ОК

Для схемы с ОБ входной ток – , а выходной – . В схеме с ОЭ входным током является ток базы, выходным – , а в схеме с ОК входной ток – ток базы, а выходной – . Принцип работы транзистора для всех схем включения одинаков.

Статические характеристики транзистора представляют собой семейство входных и выходных характеристик транзистора, снятых при столь медленном изменении тока и напряжения, при котором можно пренебречь инерционностью прибора. Статические характеристики имеют различный вид для различных схем включения транзистора. На рис. 19приведены семейства входных (Iэ = f(Uэ) при Uк = const) и выходных характеристик (Iк = f(Uк) при Iэ = const) транзистора, включённого по схеме с общей базой.

Рис.19. Семейства входных (а) и выходных (б) характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ

На семействе выходных характеристик выделяют три области: I – активная область усиления транзистора; II – область отсечки; III – область насыщения. Реальные выходные характеристики отличаются от теоретических тем, что при увеличении наблюдается рост  . Это объясняется главным образом сужением базы при расширении коллекторного перехода под действием напряжения ().Кроме того, через коллекторный переход протекает тепловой ток связанный с наличием неосновных носителей в области базы и коллектора, концентрация которых увеличивается примерно в два раза при повышении температуры коллекторного перехода на каждые 100С за счет термогенерации.  Тепловой ток коллекторного перехода влияет на аддитивную  погрешность транзисторной усилительной схемы и это влияние необходимо учитывать при проектировании  усилительных схем, работающих в широком температурном диапазоне. Транзистор, также как и любой электронный прибор, характеризуется предельными режимами, превышение которых приводит к нарушению работы прибора и выходу его из строя. Максимально допустимые напряжения ограничиваются пробивными напряжениями соответствующих переходов, максимально допустимые мощность и ток ограничиваются максимально допустимой температурой коллекторного перехода , не приводящей к  тепловому пробою.

В показанных на рис.18 схемах включения транзисторов источники постоянных напряжений (Е) создают начальные токи в выводах транзистора (токи покоя), необходимые для обеспечения его работы в линейной области  входных и выходных характеристик, источники переменных напряжений (U) создают знакопеременные приращения  начальных токов, при этом,  эти приращения в усилительных схемах не должны приводить к нелинейным искажениям , т.е. в этом смысле должны быть «малыми». Источники «U» можно ,таким образом, рассматривать как источники входного сигнала, подлежащего усилению. В отличие от начального, режим работы с «малыми» сигналами называют рабочим (иногда динамическим) или режимом класса «А», этот режим используется в линейных усилителях. Если в начальном режиме рабочая точка транзистора находится на границе области отсечки (коллекторный ток может изменяться только в сторону увеличения), то говорят, что транзистор работает в классе «В», промежуточный режим называется классом «АВ». Разновидностью класса «В» является режим класса «С», когда на выходе воспроизводится лишь часть положительной полуволны входного сигнала, наконец, в режиме класса «Д» рабочая точка находится либо на границе области насыщения, либо на границе области отсечки (ключевой режим).Основными параметрами транзистора являются коэффициенты передачи токов:

  • ? =Iк/Iэ  -коэффициент передачи эмиттерного тока в коллектор, меньше единицы за счёт рекомбинации части носителей в базе (базового тока), примерный диапазон значений: 0,9 – 0,99 в зависимости от типа транзистора,
  • ? = Iк/Iб — коэффициент передачи базового тока в коллектор, примерный диапазон значений 10 – 1000 в зависимости от типа транзистора,

Поскольку  из принципа работы транзистора следует, что:Iэ = Iк +Iб, то легко показать взаимосвязь указанных коэффициентов: ? = ?/( ? +1), ? = ?/(1- ?),

1- ? =1/(1+ ?), кроме того очевидно, что Iэ/Iб = ? +1.

Величины указанных коэффициентов даже в пределах одной группы транзисторов  зависят от технологического разброса, температуры окружающей среды, частоты сигнала, величины коллекторного тока, обычно в расчетах используются средние значения с последующей корректировкой схемотехники с целью уменьшения погрешностей.

Условные графические обозначения транзисторов двух основных типов показаны на рис.20 , в схемах УГО сопровождается буквенным обозначением транзистора «VT», в перечне элементов к электрической  принципиальной схеме буквами «КТ»,например, КТ315.

С целью увеличения коэффициента усиления базового тока довольно часто применяется так называемый составной транзистор (схема Дарлингтона), показанный на рис.21

Из приведенной схемы вытекает ряд очевид
ных соотношений:
Iк=Iвых=Iк1+Iк2
Iк1=Iб1*?1
Iк2=Iэ1* ?2=Iб1*( ?1+1)* ?2
Iк1=Iб1*( ?1+ ?2+ ?1* ?2)
Кi=Iвых/Iвх=( ?1+ ?2+ ?1* ?2)? ?1* ?2,
здесь Кi-результирующий коэффициент усиления
входного тока много больший такового для одного
из транзисторов.

 

В расчетах электрических схем с транзисторами используют эквивалентные схемы замещения транзистора двух типов: физические, основанные на физической модели транзистора и формализованные, основанные на замене транзистора активным 4х-полюсником.Следует отметить, что схемы замещения составляются только для переменных составляющих токов и напряжений, действующих в транзисторе, т.е. для рабочего режима, при этом имеются в виду малые сигналы в смысле указанном выше. На рис.22 приведена  для примера простейшая физическая эквивалентная схема транзистора, включенного по схеме ОЭ, источники постоянного напряжения считаются закороченными по переменному току и на схеме не показываются (действительно, источники питания электронных схем содержат на выходе фильтрующие конденсаторы большой ёмкости, реактивное сопротивление которых по переменному току весьма мало).

 

Пользуясь приведенной схемой можно найти ряд параметров транзистора:

приведенное уравнение справедливо, поскольку очевидно, что
и ответвлением входного тока в выходную цепь можно пренебречь.
Коэффициент передачи базового тока в коллектор в данном случае равен:

Пользуясь теоремой об эквивалентном генераторе, можно найти выходное сопротивление:

Достоинством данной эквивалентной схемы является её наглядность, т.к.она отражает внутреннюю структуру транзистора, однако, практическое измерение приведенных на схеме параметров затруднительно. Этот недостаток  восполняется при использовании эквивалентной схемы замещения  формализованного типа. Приведем пример замещения транзистора активным 4х-полюсником (рис.23)

Рис.23. Схема замещения

4х-полюсником

Для транзисторов чаще всего используются h-параметры,наиболее удобные для измерений.Система уравнений,связывающая напряжения и токи с h-параметрами имеет вид:

Физический смысл h-параметров: h11 =  u1/i1 – входное сопротивление при коротком замыкании на выходе; h12 = u1/u2 — коэффициент обратной связи по напряжению; h21 = i2/i1
коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе; h22 = i2/u2 — выходная проводимость при холостом ходе на входе. Таким образом, очевидна методика измерения h-параметров, для различных схем включения транзисторов (ОБ,ОЭ,ОК) существуют формулы,связывающие h-параметры с параметрами физической модели транзистора, например,для рассматриваемого случая очевидны соотношения:

Полевые транзисторы представляют собой класс полупроводниковых приборов, в которых величина выходного тока изменяется под действием электрического по-
ля ,создаваемого входным напряжением, благодаря чему полевые транзисторы  имеют очень высокое (1-10МОМ) входное сопротивление. Указанное обстоятельство является главным достоинством этих приборов, что подчёркивается в их названии. Различают два подкласса полевых транзисторов: с управляющим  p-n переходом и с изолированным затвором со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структура).

В полевых транзисторах первого типа управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к входному электроду. Полевой транзистор с управляющим р-п переходом состоит из тонкой пластинки полупроводникового материала с одним р-п переходом в центральной части и с невыпрямляющими контактами по краям (рис. 24).

Рис. 24. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом

Работа этих транзисторов основана на модуляции эффективного сечения канала, которую осуществляют изменением толщины запирающего слоя обратно смещённого р-п перехода. Область, от которой начинают движение основные носители называют истоком, а область, к которой движутся основные носители – стоком. Область, используемая для управления током, протекающим через канал, называют затвором. Источник Е1 создаёт отрицательное напряжение на затворе. Ток, протекающий через канал можно модулировать переменным входным напряжением. Постоянное отрицательное напряжение, при котором токопроводящий канал окажется перекрытым, называют пороговым или напряжением отсечки. К параметрам, характеризующим максимально допустимые режимы, относятся максимально допустимое напряжение между стоком и истоком, между затвором и истоком и максимально допустимая мощность рассеивания в транзисторе. На рис.25 приведены примерные выходные характеристики транзистора этого типа:

Рис.25. Семейство выходных характеристик полевого транзистора с n-каналом и p-n переходом

В качестве основного параметра полевого транзистора используется крутизна характеристики Iс =f(Uзи) в пологой области семейства выходных характеристик:

S = dIс/dUзи    при Uси = Const.

Полевые транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗы) бывают двух типов: с встроенным каналом и с индуцируемым каналом, рассмотрим  их физические модели (рис.26)

Рис. 26. Физические модели МДП полевых транзисторов

Семейства выходных характеристик указанных транзисторов приведены на рис.27.

Рис.27. Выходные характеристики МДП полевых транзисторов

Из характеристик транзистора с встроенным каналом следует, что он может работать   с обеднением  канала носителями тока, когда  входное напряжение положительно и дырки оттесняются вглубь кристалла ,поскольку заряды пластин конденсатора, образованного металлом затвора , диэлектрическим «зазором» и полупроводником должны быть одинаковы и противоположны по знаку. Кроме того, указанный транзистор может работать и с обогащением канала при отрицательном значении входного напряжения по тем же причинам. Транзистор с индуцируемым каналом,  как это следует из модели и характеристик, может работать только в режиме обогащения канала. Основным параметром  МДП транзисторов также является приведенный выше  коэффициент «S».

Условные графические обозначения полевых транзисторов разных типов приведены на рис.28.

В транзисторах с изолированным затвором как правило делается вывод от подложки (П), который может быть использован в некоторых случаях как второй затвор, чаще всего он накоротко соединяется с истоком. В схемах полевые транзисторы обозначаются как и биполярные буквами «VT» , в перечнях элементов буквами «КП» и числом, кодирующим свойства данного типа транзистора, например, КП 720 — мощный  полевой транзистор с индуцируемым каналом n-типа.

Элементы индикации (ЭИ) предназначены для преобразования электрических сигналов в видимые, удобные для визуального наблюдения. Классификация ЭИ приведена на рис. 29, из которой видно, что в основе классификации элементов индикации устройств отображения информации (УОИ) лежит многообразие физических принципов их работы и областей применения. По принципу светоотдачи они разделяются на активные и пассивные: активные ЭИ характеризуются генерацией фотонов, а пассивные – тем, что управляют излучением внешнего источника путем модуляции таких параметров, как отражение, поглощение, рассеяние или поляризация.

Рис.29. Классификация ЭИ

К основным параметрам ЭИ относятся яркость, контрастность, размеры знакоместа, угол обзора, информационная емкость, напряжение питания и потребляемый ток.

Широкое распространение в технике отображения информации получили электронно-лучевые трубки (ЭЛТ). В настоящее время разработаны их новые типы, работающие в качестве специальных индикаторов-дисплеев или экранных пультов.

Светоизлучающие диоды (СИД) представляют собой класс твёрдотельных приборов, в которых электрическая энергия превращается непосредственно в световую. По своим электрическим характеристикам СИД совместимы с низковольтными транзисторами и ИС, принцип их работы рассмотрен выше.

Промышленностью освоен широкий спектр вакуумных люминесцентных индикаторов (ВЛИ). Достоинство ВЛИ – сопрягаемость с микроэлектроникой, технологическое совмещение на одной плате индикатора со схемами управления, высокая яркость свечения и большая долговечность. С помощью ВЛИ можно отобразить информацию в виде букв, символов, получая практически любые размеры информационного поля. Принцип работы основан на возбуждении зерен люминофора сфокусированным электронным пучком.

Достоинство газоразрядных ЭИ – малое потребление энергии, высокая яркость и надёжность, а также возможность использования в плоскостных конструкциях. Эти ЭИ являются самыми многочисленными и распространёнными среди активных элементов индикации. Перспективными являются газоразрядные индикаторные панели (ГИП), которые начинают конкурировать с ЭЛТ, так как имеют плоскую конструкцию, высокую яркость и стабильность изображения, а схемы управления полностью построены на цифровой логике. Принцип работы основан на свечении инертных газов в электрическом поле.

Достоинством ЭИ с использованием волоконной оптики является высокая светособирательная способность, возможность изменения масштаба передаваемого изображения и увеличения интенсивности светового потока. Для отображения десятичных цифр применяют световоды с цифрами от 0 до 9, которые укладываются знаковыми торцами и склеиваются. Необходимая цифра отображается при включении на соответствующем световоде  источника света.

Успехи в лазерной технике создали предпосылки для разработки систем отображения информации с помощью лучей лазера, которые с успехом заменили электронный луч. В ЭИ на лазерах используются следующие методы:

— визуальной лазерной индикации, когда на экран направляется свет лазера;

— индикации с активным экраном, при котором луч лазера применяется для управления световым излучением активного материала экрана;

— лазерно-лучевого светового клапана, когда луч лазера обеспечивает управление оптическими свойствами материала (например, коэффициентом пропускания или отражения), а отдельный источник обычного типа даёт свет для проекции на экран.

Достоинство ЭИ на лазерах – возможность создания экранов любых размеров.

Среди пассивных ЭИ широко известны электромагнитные индикаторы, принцип действия которых основан на модулировании внешнего рассеянного освещения, падающего на информационное табло. Основным элементом такого индикатора является подвижный элемент-шторка, на одной стороне которого нанесено светопоглощающее покрытие, на другой — светоотражающее. При изменении вектора напряжённости магнитного поля на 180°, шторка поворачивается в одну или другую сторону к внешнему освещению. В результате наблюдается либо темное, либо светлое пятно на фоне окружающего (нерабочего) промежутка. Достоинство таких ЭИ — простота конструкции, высокая контрастность. В последнее время широкое распространение находят жидкокристаллические индикаторы (ЖКИ), которые конкурируют во многих случаях с активными светоизлучающими диодами. Принцип их работы заключается в изменении ориентации молекул жидкого кристалла (высокомолекулярное вещество, обладающее как свойствами жидкости: вязкость,текучесть,так и свойствами кристалла — строго определенное расположение молекулярных цепочек) под действием внешнего электрического поля в результате чего изменяется  светопоглощающая способность. К перспективной группе пассивных элементов индикации относятся электрохромные ячейки конденсаторного типа. Принцип действия элементов такого типа основан на явлении окрашивания (потемнения) тонких (0,3-1,5) мкм слоев электрохромного вещества вследствие инжекции в него электронов из электродов под влиянием электрического напряжения до 10 В. Электрохромные ячейки обладают эффектом памяти. Быстродействие их составляет десятки миллисекунд. Недостатками являются малая долговечность и температурная нестабильность..

Электрогальванопластические ЭИ представляют собой миниатюрную электрическую герметизированную ванночку, в которой при пропускании тока металл катода осаждается на прозрачном аноде, вследствие чего ячейка темнеет и теряет окраску электролита. Скорость изменения цвета составляет доли секунды, но сама ячейка обладает эффектом устойчивой памяти.

Источники электропитания электронных устройств подразделяются на первичные(аккумуляторы ,гальванические элементы , сетевое напряжение) и вторичные, преобразующие выходные параметры первичных источников к виду ,необходимому для данных конкретных целей. Однако в любом случае источники электропитания могут быть источниками тока  или напряжения. Следует отметить, что один и тот же источник может быть как тем ,так и другим в зависимости от конкретной организации нагрузочной цепи.

Часто на практике необходимо реализовать источник напряжения, когда  напряжение на нагрузке не зависит в определённых пределах от величины самой нагрузки, например, при согласовании  внутреннего сопротивления источника сигнала со входным сопротивлением усилителя. Простейшая электрическая цепь в данном случае будет выглядеть как показано на рис.30.

Рис.30. Электрическая цепь с источником и нагрузкой

Е –э.д.с. источника сигнала,
Rи –внутреннее сопротивление источника,
Rн – эквивалентное сопротивление нагрузки,
Iн – ток нагрузки,
Uвых – выходное напряжение.

Очевидно, что режим генератора напряжения будет тем строже, чем ближе к 1 коэффициент передачи данной схемы,т.е.

Для той же схемы режим генератора тока ( ток не зависит от Rн) можно организовать, если обеспечить схемным путём неравенство Rи » Rн, действительно:

Полупроводниковые диоды. Условно-графическое обозначение (УГО). Влольт-амперная характеристика (ВАХ). Основные параметры.

Полупроводниковые диоды. Условно-графическое обозначение (УГО).

Основой полупроводникового диода является рn-переход, определяющий его свойства, характеристики и параметры. В зависимости от конструктивных особенностей рn-перехода и диода в целом полупроводниковые диоды изготовляются как в дискретном, так и в интегральном исполнении. По своему назначению полупроводниковые диоды подразделяются на выпрямительные (как разновидность выпрямительных – силовые), импульсные, высокочастотные и сверхвысокочастотные, стабилитроны, трехслойные переключающие, туннельные, варикапы, фото- и светодиоды. Условные графические обозначения диодов показаны на рис. 1.10.

Рис. 1.10 Условные графические обозначения: а – выпрямительные и универсальные;
б – стабилитроны; в – двухсторонний стабилитрон; г – туннельный диод;
д – обращенные диоды; е – варикап; ж – фотодиодов; з – светодиод

В зависимости от исходного полупроводникового материала диоды подразделяются на германиевые и кремниевые. Туннельные диоды изготовляются также на основе арсенида галия GaAs и антимонида индия InSb. Германиевые диоды работают при температурах не выше +80 °С, а кремниевые – до +140 °С.


По конструктивно-технологическому признаку диоды делятся на плоскостные и точечные. Наиболее распространены плоскостные сплавные диоды, применение которых затруднительно лишь на повышенных частотах. Преимуществом точечных диодов является низкое значение емкости p-n-перехода, дающая возможность их работы на высоких сверхвысоких частотах.

Влольт-амперная характеристика (ВАХ)


Рис. 2. Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р — n-переходом: U — напряжение на диоде; I — ток через диод; U*oбр и I*oбр — максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток; Ucт — напряжение стабилизации.

Основные параметры.

1. Вольт-амперная характеристика

2. Постоянный обратный ток диода

3. Постоянное обратное напряжение диода

4. Постоянный прямой ток диода

5. Диапазон частот диода

6. Дифференциальное сопротивление

7. Ёмкость

8. Пробивное напряжение

9. Максимально допустимая мощность

10. Максимально допустимый постоянный прямой ток диода

Ugo Francescutti Изобретения, патенты и заявки на патенты

Номер публикации: 20020122325

Abstract: Изобретение относится к выпрямительной схеме, согласованной для коррекции коэффициента мощности, содержащей первый диод (D1), второй диод (D2), третий диод (D3) и четвертый диод (D4) в мостовой схеме, индуктивность (L1) и емкость (C1), причем первый полюс (10) и второй полюс (12) мостовой схемы подключены к источнику (U), который имеет по меньшей мере одну составляющую переменного напряжения, а индуктивность ( L1) расположены последовательно с третьим полюсом (14) или четвертым полюсом (16), где емкость (C1) подключена между первым полюсом (10) и вторым полюсом (12), а два из четырех диодов (D1, D2, D3, D4) выполнены в виде быстрых диодов.

Тип: Заявление

Подано: 7 марта 2002 г.

Дата публикации: 5 сентября 2002 г.

Изобретателей: Уго Франческутти, Феликс Франк

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности.Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в cookie-файлах может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Лаборатория квантовой оптомеханики и фотоники

Весна 2021 г. : PHYS570V: Дополнительные темы по оптике и фотонике

День (дни): TR

Время: 13:30 — 14:45

Комната: Physics Building 331

Осень 2020 : PHYS322: Optics

День (дни): MWF

Время: 12: 30–13: 20 PM

Комната: ARMS B071

Весна 2020: ECE 305 Полупроводниковые приборы

День (дни): MWF

Время: 8: 30-9: 20 AM

Комната: Neil Armstrong Hall of Engineering 1010

Описание каталога:
Вводит и объясняет терминологию, модели, свойства и концепции, связанные с полупроводниковыми устройствами.Предоставляет подробное представление о внутренней работе структурных блоков устройства, таких как диод с pn-переходом, диод Шоттки, BJT и MOSFET. Предоставляет информацию о большом количестве других устройств, включая солнечные элементы, светодиоды, HBT и современные устройства с полевым эффектом. Систематически разрабатывает аналитические инструменты, необходимые для решения практических проблем с устройством.

Осень 2019 : PHYS322: Оптика

День (дни): MWF

Время: 12: 30–13: 20

Комната: Физический корпус 201

Весна 2019 : Проф.Ли преподавал PHYS461: Квантовая механика II (с отличием) .

Дни: Вт, Чт

Время: 9:00 — 10:15

Комната: Физический корпус 338

Веб-сайт курса: https://www.physics.purdue.edu/academic- программы / курсы / course_detail.php? SEM = spring2019 & c = Phys461

Описание: угловые моменты, радиальное уравнение, операторы, матрицы, спин, теория возмущений, не зависящая от времени, взаимодействие электронов с электромагнитным полем, атом водорода, структура атомов, молекул, радиация; избранные темы по радиационным переходам, теории столкновений, твердым телам, ядрам, элементарным частицам и их симметрии.

Необходимые учебники: Введение в квантовую механику. 3-е издание, Дэвид Дж. Гриффитс и Даррелл Шретер, Cambridge University Press. ISBN № 978-1107189638.


Осень 2018 : Проф. Ли преподавал PHYS 416: Тепловая и статистическая физика (с отличием) .

Дни: T, TH

Время: 9:30 AM — 11:20 AM

Зал: Physics Building 338

Весна 2018 : Проф. Ли преподает ECE 20100-005 Анализ линейных цепей I .

Дни: MWF

Время: 10:30 — 11:20

Комната: Physics Building 223

Информация о курсе: https://engineering.purdue.edu/ECE/Academics/Undergraduates/UGO/CourseInfo / courseInfo? courseid = 601 & show = true & type = undergrad

Описание каталога: Вольт-амперные характеристики элементов схемы; независимые и зависимые источники; Законы Кирхгофа и уравнения цепи. Преобразование источника; Теоремы Тевенина и Нортона; суперпозиция, переходная характеристика цепей 1-го (RC, RL) и 2-го порядка (RLC).Фазорный анализ, расчет импеданса и вычисление синусоидальных откликов в установившемся состоянии. Мгновенная и средняя мощность, комплексная мощность, коррекция коэффициента мощности и передача максимальной мощности. Мгновенная и средняя мощность.

Обязательные учебники: Линейные схемы: временная область, фазоры и подходы преобразования Лапласа, 3-е издание, Р. ДеКарло и П.М. Лин, Кендалл Хант, 2009 г., ISBN No. 9780757564994.

Осень 2017 г. : Проф. Ли преподавал PHYS322: Оптика

День (дни): MWF

Время: 12: 30–13: 20

Зал: Физический корпус 338

Веб-сайт курса: http: // www.Physics.purdue.edu/academic-programs/courses/course_detail.php?c=phys322&SEM=Fall2017

Описание: Волновая оптика и свойства света, включая отражение, интерференцию преломления. Дифракционная дисперсия Фраунгофера и Френеля, поляризация, двойное лучепреломление, введение в лазеры и голография.

Необходимые учебники: Оптика , 5-е издание, Юджин Хехт (Издатель: Pearson, 2016)

Весна 2017 : Проф. Ли преподавал PHYS461: Квантовая механика II (с отличием) .

День (дни): TR

Время: 9:00 — 10:15

Зал: Physics Building 338

Веб-сайт курса: https://www.physics.purdue.edu/academic-programs/ курсы / course_detail.php? SEM = spring2017 & c = Phys461

Описание: угловые моменты, радиальное уравнение, операторы, матрицы, спин, теория возмущений, не зависящая от времени, взаимодействие электронов с электромагнитным полем, атом водорода, структура атомов, молекулы, излучение; избранные темы по радиационным переходам, теории столкновений, твердым телам, ядрам, элементарным частицам и их симметрии.

Необходимые учебники: Введение в квантовую механику. 2-е издание, Дэвид Дж. Гриффитс, Бенджамин Каммингс. ISBN № 978-0131118928.

Осень 2016 : Проф. Ли преподавал физику 570V Продвинутые темы в оптике и фотонике.

День (дни): MW

Время: 13:30 — 14:45

Комната: PHYS 234

Веб-сайт курса: http://www.physics.purdue.edu/academic-programs/courses /course_detail.php?c=phys570v&SEM=fall2016


Описание: В этом курсе будут рассмотрены последние достижения в оптике с упором на квантовую оптику и фотонику.Первая часть курса познакомит вас с квантовой природой взаимодействия света и фотона с веществом. Мы также рассмотрим продвинутые темы, представляющие текущий исследовательский интерес, связанные с фотонами. Темы включают однофотонные излучатели, наноразмерные лазеры, гребенки оптических частот, лазерный захват и охлаждение атомов и твердых тел, квантовую электродинамику резонатора (QED), оптомеханику резонатора и квантовую телепортацию.

Весна 2016 : Преподавал профессор Ли ECE 20100-001 Анализ линейных цепей I .

Дни: MWF

Время: 12:30 — 13:20

Зал: Physics Building 223

Информация о курсе: https://engineering.purdue.edu/ECE/Academics/Undergraduates/UGO/CourseInfo/courseInfo ? courseid = 601 & show = true & type = undergrad

Описание каталога: Вольт-амперные характеристики элементов схемы; независимые и зависимые источники; Законы Кирхгофа и уравнения цепи. Преобразование источника; Теоремы Тевенина и Нортона; суперпозиция, переходная характеристика цепей 1-го (RC, RL) и 2-го порядка (RLC).Фазорный анализ, расчет импеданса и вычисление синусоидальных откликов в установившемся состоянии. Мгновенная и средняя мощность, комплексная мощность, коррекция коэффициента мощности и передача максимальной мощности. Мгновенная и средняя мощность.

Обязательные учебники: Анализ линейных цепей: подходы во временной области, фазоры и преобразования Лапласа, 3-е издание, Р. ДеКарло и П.М. Лин, Кендалл Хант, 2009 г., ISBN No. 9780757564994.

Осень 2015 г. : Проф. Ли преподавал Phys 57000V Продвинутые темы в оптике и фотонике.

День (дни): MW

Время: 2: 30–3: 45

Комната: PHYS 331

Веб-сайт курса: http://www.physics.purdue.edu/academic-programs/courses/course_detail.php?SEM=fall2015&c=phys570V


Описание: В этом курсе будут рассмотрены последние разработки в оптике с акцентом на квантовую оптика и фотоника. Первая часть курса познакомит вас с квантовым природа взаимодействия света и фотона с веществом. Мы также проведем обследование продвинутых актуальные темы исследования, связанные с фотонами.Темы включают однофотонный излучатели, наноразмерные лазеры, гребенки оптических частот, лазерный захват и охлаждение атомов и твердых тел, квантовая электродинамика резонатора (КЭД), оптомеханика резонатора, и квантовая телепортация.


Уго Реджиани — Болонский университет — Исследования

Темы исследований (в хронологическом порядке)

  • водородно-кислородные топливные элементы
  • Частотное регулирование асинхронных двигателей
  • теория электромагнитного поля
  • аналитических и численных методов анализа и синтеза электромагнитных и электромеханических аппаратов
  • моделирование и анализ коммутируемых сетей
  • высокочастотное моделирование компонентов раны
  • электрические характеристики альтернативных источников энергии (топливо элементы, фотоэлектрические модули и тонкопленочные солнечные элементы)
  • Электромагнитная совместимость (EMC): электромагнитное экранирование, кондуктивные помехи в двигателях переменного тока с питанием от инверторов, компактные среды для испытаний на ЭМС, излучаемые излучения от кабелей и печатные платы, анализ электромагнитных помех (EMI) механизмы источников, наведенные и излучаемые помехи от коммутационные преобразователи, моделирование электрических свойств дисперсионные материалы для прогнозирования эффективности экранирования, электромагнитная связь внутри металлических корпусов, электромагнитные помехи в энергосистемах подвижного состава и ж / д тяговые системы
  • беспроводная передача энергии через резонансный магнитный муфта (индуктивная передача мощности: IPT)

Текущие темы исследований

Электромагнитная совместимость

Моделирование электрических свойств дисперсных материалов для прогнозирования эффективности экранирования

Эта исследовательская деятельность касается моделирования электрических свойства дисперсных материалов для прогнозирования их экранирования эффективность против электромагнитных волн.Деятельность в основном обратился к разработке методов извлечения комплексная диэлектрическая проницаемость как функция частоты дисперсионного материалы. Косвенно восстанавливается комплексная диэлектрическая проницаемость. от знания измеряемой величины, аналитическая выражение как функция комплексной диэлектрической проницаемости известно. Для решения этой проблемы можно использовать детерминированные или стохастические методы. обратная задача. Для этого используются алгоритмы, основанные как на методом наименьших квадратов типа Марквардта-Левенберга и по стохастические методы типа Роя частиц Разработан алгоритм оптимизации (PSO).Обратная задача может решаться различными процедурами, извлекая непосредственно сложный диэлектрическая проницаемость для каждой отдельной частоты интересующего диапазона (то есть по точкам) или во всем диапазоне частот, предполагая, что модель диэлектрической релаксации (Дебая, серии Деби, Коула-Коула, Гавриляк-Негами) и извлечение его параметров. Процедура имеет общая применимость, поскольку она может применяться к различным измерениям техники и материалы.

Электромагнитная муфта внутри металлических корпусов

Это исследование посвящено разработке метода прогнозировать электромагнитную связь внутри металлического корпус.Метод основан на аналогии между моно-модальным прямоугольный волновод и линия передачи, т.е. между передаваемая мощность в режиме распространения в волноводе и передаваемая мощность в эквивалентной линии передачи. В основные излучатели (источники и пострадавшие), рассматриваемые внутри корпуса — прямые провода и петли, смоделированные как электрические монополи / диполи и магнитные диполи соответственно. В электромагнитная связь представлена ​​в виде эквивалента схемы для элементарных диполей и линий передачи для мультимодальный путь распространения.Связь между элементарный диполь внутри металлического корпуса, рассматриваемый как прямоугольные волноводы закорочены на обоих концах, и каждый волноводный режим возникает за счет взаимных емкостей и / или взаимных индуктивности и могут быть представлены через зависимые источники. В участок ЛЭП между источником и жертвой представлен для каждого режима распространения двухпортовой сетью. В Полученная эквивалентная схема может быть решена с помощью узлового анализа.

Способ можно распространить на электромагнитную муфту. между электрическими монополями и проводящими плоскостями внутри металлического корпус. Проводящие плоскости представлены эквивалентным сопротивление через аналогию с линией передачи. В этом случае проблема усложняется, когда анализ не учитывает только доминирующей моды, но учитывает моды более высокого порядка как проводящая плоскость действует как источник связи мод.

Результаты, полученные этим методом, сравниваются с экспериментальные измерения и метод моделирования линии передачи (TLM) численное моделирование.

Целью данной исследовательской деятельности является разработка компьютерный код для прогнозирования электромагнитной связи между печатными печатные платы и другие радиаторы, например, соединительные кабели внутри металлических корпусов.

Электромагнитные помехи мощности подвижного состава системы

Исследовательская деятельность касается моделирования явлений и доминирующие пути связи электромагнитных помех энергосистемы подвижного состава.Основной вклад в бортовую излучаемая эмиссия обеспечивается внутренними элементами, которые действуют как непреднамеренные антенны (например, соединительные кабели различных электрическая и электронная аппаратура, радиаторы питания электронных устройств) из-за кондуктивных выбросов, присутствующих в эти элементы. Для внутренних цепей качения инвентарь и соответствующие проводники инфраструктуры, работающие под током и управляемые напряжением механизмы электромагнитной связи могут быть идентифицированы и представлены эквивалентными схемами, содержащими источники тока и напряжения, регулируемые.В частности, можно определить токи, подаваемые в проводники инфраструктуры, которые представляют собой новые источники индуктивного и емкостные связи с близкой инфраструктурой, телекоммуникационные и сигнальные линии. Эти муфты могут быть изучается с помощью многопроводной линии передачи теория.

Прогнозирование электромагнитных помех ближнего поля в преобразователи мощности методом наведенной ЭДС

Исследовательская деятельность касается подхода к прогнозированию электромагнитные помехи (EMI), создаваемые переключенным режимом источник питания (ИИП) по цепи жертвы.Электромагнитное поле связь между основными источниками (токами и напряжениями) электромагнитные помехи ИИП и пострадавшего представлены двухпортовыми сетями, характеризующимися взаимные импедансы или адмиттансы, которые рассчитываются через метод индуцированной ЭДС — классический метод расчета самовозбуждения. и взаимные сопротивления излучающих конструкций (или их элементов). Как только спектры токов и напряжений источников известны в во временной области, напряжение шума на круговом магнитном поле Затем выполняется прогнозирование зондов, используемых в измерениях ближнего поля.Измерения на некоторых обратноходовых преобразователях с разной компоновкой проводится для оценки подхода. Предлагаемый метод может быть применяется также для прогнозирования внутрисистемной связи, т. е. с внутренние цепи источника и жертвы SMPS. Знание спектры двухпортовых параметров (импедансы холостого хода и проводимости короткого замыкания) позволяет быстро оценить поведение шума EMI для различных источников тока и напряжения спектров, без необходимости повторять анализ система.

Электрические характеристики альтернативных источников энергии: топливные элементы, фотоэлектрические модули и тонкопленочные солнечные элементы

В рамках данной исследовательской деятельности была создана нелинейная схемная модель полимера. исследуется топливный элемент с электролитной мембраной (ПЭМ). Модель позволяет моделирование как стационарного, так и динамического поведения ячейку при условии, что значения некоторых ее параметров равны изменилось в двух рабочих условиях.Параметры схемы могут могут быть получены с помощью простых экспериментальных испытаний и расчетов. Целью данного исследования является моделирование коммерческого топливного элемента на основе ПЭМ. дымовая труба, если смотреть со стороны системы кондиционирования, без требующие параметров, необходимых для сложных математических моделей и труднодоступный для большинства пользователей.

Еще одна тема в этой области исследований касается числовых процедура извлечения параметров модели двойного диода фотоэлектрических (PV) модулей.Оптимизация роя частиц алгоритм может быть использован для подгонки расчетного тока-напряжения характеристика фотоэлектрического модуля к экспериментальному. Поскольку нет повторяющееся решение найдено в большом количестве симуляций осуществляется, главным образом, из-за стохастического характера алгоритм оптимизации, статистика в сочетании с кластером анализ может быть использован, чтобы дать представление о фотоэлектрическом модуле параметры. Цель состоит в том, чтобы получить набор параметров, который разумный и репрезентативный для физической системы.

В последнее время исследования также сосредоточены на моделировании и электрические характеристики тонкопленочных солнечных элементов CIGS. Просто аналитическая модель плотности фототока тонкой пленки CIGS солнечные элементы с линейно измененной шириной запрещенной зоны исследуются, показывая что плотность фототока этой ячейки больше, чем у ячейка с постоянной шириной запрещенной зоны. Четырехдиодная эквивалентная схема Солнечный элемент CIGS для учета таких явлений, как «ловушка» состояния »и« границы зерен ».Новый профиль группы разрыв, который использует расширение валентности и зоны проводимости изучаются с помощью моделирования.

Индуктивная передача мощности (IPT)

Исследовательская деятельность связана с точной характеристикой беспроводной системы передачи энергии, состоящей из двух резонансных катушки с воздушным сердечником, соединенные между собой в свободном пространстве. Сосредоточенная схема параметры эквивалентной схемы (сопротивление, собственное и взаимное индуктивности) определяются по аналитическим формулам, взятым из литературе и подтверждено сравнением с численным моделированием с помощью конечно-элементного компьютерного кода и с помощью экспериментов.В параметры определяются с учетом только геометрии система (размер катушки и взаимное расстояние, радиус проводника и виток расстояние) и частота. После того, как параметры схемы с сосредоточенными параметрами будут известная с хорошей точностью, оценка передачи мощности система может быть проведена путем оценки силы тока и напряжения выигрыш и эффективность как функция частоты для различных геометрия системы и условия нагрузки.

Исследование также включает разработку процедур для электрические характеристики (собственная и взаимная индуктивность и паразитная емкость) плоских спиральных индукторов (прямых или с зигзагообразные плечи), которые используются как промежуточные резонаторы или как метаматериал для повышения эффективности беспроводной передачи с безызлучательный метод.

Наконец, теоретический и экспериментальный анализ беспроводной Рассмотрена передача мощности через компланарный массив резонаторов. В в частности, шесть одинаковых спиральных резонаторов используются для формирования массив и для передачи мощности между излучателем и приемником. Все спиральные резонаторы резонируют на частоте около 20 МГц, а эмиттер и Приемные катушки разработаны по формулам, взятым из литературы. Резонансная система моделируется с помощью взаимных индуктивностей, которые запаздывание незначительное.

uGo HU-110 активный концентратор 4 порта USB 2.0 Botland

Описание: uGo MAIPO HU-110 — активный концентратор 4-портовый USB 2.0 с переключателем

HUB USB позволяет одновременно подключать к компьютеру до четырех дополнительных устройств. Благодаря поддержке USB 2.0 он обеспечивает скорость передачи данных до 480 Мбит / с. Коммутатор , расположенный на каждом порту , позволяет удобно включать и выключать установленные устройства в зависимости от ваших текущих потребностей. О работе подключенного оборудования сигнализирует LED подсветка , отдельные для каждого порта. MAIPO HU110 позволяет подключать внешний источник питания, что делает его активным полнофункциональным концентратором . Таким образом, его можно использовать для питания устройств с более высоким энергопотреблением. HUB можно использовать для работы с Raspberry Pi.

uGo HU-110 — активный концентратор на 4 порта USB 2.0 с переключателем. Устройство работает с Raspberry Pi.

Спецификация активного концентратора USB 2.0 uGo MAIPO HU-110:

  • Интерфейс: USB 2.0

  • Количество портов: 4
  • Скорость передачи данных: до 480 Мбит / с
  • Поддерживаемые операционные системы: Windows, MAC OS и Linux (включая Raspbian Raspberry Pi)
  • Возможность подключения внешнего источника питания: DC 1.2 / 3,5 5 В 5 А. Блок питания в комплект не входит
  • Цвет: чёрный
  • Длина кабеля: 600 мм
  • Размеры: 104 x 35 x 21 мм

Отправка в тот же день

  • Зачисление оплаты заказа на наш счет в рабочий день до 10:00 означает отправку товара в тот же день.
  • Все посылки доставляются курьером GLS Group и застрахованы до 1200 EUR.
  • Вы получите ссылку для отслеживания вашей посылки и отслеживания процесса доставки, как только она будет отправлена.

Условия поставки

GLS — зона 1

Австрия, Бельгия, Хорватия, Чехия, Дания, Германия, Нидерланды, Польша, Словакия

  • Срок доставки: 2-4 дня
  • Стоимость доставки: от 4 шт.18 евро
  • Страхование: 1200 EUR
GLS — зона 2

Болгария, Эстония, Франция, Венгрия, Италия, Латвия, Литва, Люксембург, Португалия, Румыния, Сан-Марино, Словения

  • Срок доставки: 2-5 дней
  • Стоимость доставки: от 5,35 евро
  • Страхование: 1200 EUR
GLS — зона 3

Кипр, Финляндия, Греция, Ирландия, Мальта, Испания, Швеция

  • Срок доставки: 2-7 дней
  • Стоимость доставки: от 7.67 евро
  • Страхование: 1200 EUR

]]>

Задайте вопрос об этом продукте первым!

Вопрос о продукте

Silan выпустила несколько серий решений для приводов светодиодного освещения, включая ASOP7 / SOP7 / SOP4-AG 旗 APP 電子 英文 官 網

Недавно Silan выпустила несколько серий светодиодных осветительных приводов, совместимых с решениями DOB и не-DOB, например.грамм. ASOP7 + мостовые выпрямители + диоды / SOP7 + диоды / SOP4 + диоды с высокой степенью интеграции, сильно упрощенной периферией микросхемы, уменьшенным количеством компонентов, что значительно снижает стоимость спецификации. Таким образом, общие решения очень конкурентоспособны на рынке и могут широко использоваться на различных рынках светодиодного освещения, например, в лампах и Т-образных трубках.

Решения серии ASOP7 + мостовые выпрямители + диоды включают в себя несколько продуктов, таких как неизолированные однокристальные серии с низким коэффициентом мощности (SDH775XR), неизолированные серии OVP с низким коэффициентом мощности (SDH771XR), неизолированные серии с серия с высоким коэффициентом мощности (SDH790XR / SDH792XR) и изолированные серии с низким коэффициентом мощности (SDH761XR).

Неизолированные изделия с низким коэффициентом мощности

Неизолированные изделия с низким коэффициентом мощности — это серия высокоточных управляющих микросхем светодиодов, работающих от постоянного тока, с творчески интегрированными выпрямительными мостами и высоковольтными МОП-транзисторами на 500 В , Обгонные диоды на 600 В, что значительно упрощает потребности периферийных устройств системы; Между тем, благодаря встроенному высоковольтному источнику питания, автономное питание микросхемы может быть реализовано без необходимости использования пусковых резисторов и вспомогательных обмоток, что устраняет необходимость в традиционной внешней силовой емкости VCC и дополнительно снижает стоимость системы, одновременно ускоряя запуск системы.

Следует отметить, что вышеуказанная серия продуктов работает в режиме критической проводимости индуктивного тока, что позволяет получить постоянный ток с высокой точностью и отличное линейное регулирование / регулирование нагрузки с помощью уникальной методики выборки высокоточного тока. В схему интегрированы различные функции защиты, включая защиту от короткого замыкания на выходе, защиту от перегрузки по току от одного цикла к другому, регулирование перегрева, защиту от перегрева, защиту от разомкнутой цепи для резисторов отбора проб и т. Д., что повышает безопасность и надежность системы. Напряжение защиты от разомкнутой цепи продуктов SDH771XR может быть подключено к различным конфигурациям сопротивления через контакты ROVP для реализации периферийно регулируемого напряжения OVP. Продукты серий SDH775XR и SDH771XR с пакетом ASOP7 совместимы друг с другом, и их технические характеристики следующие:

6 500

и их демонстрации показаны ниже:

Продукты SDH771XR


SDH775XR

Неизолированные продукты с высоким PF

К неизолированным продуктам с высоким PF907R и SDH792XR, и все три серии продуктов оснащены встроенными выпрямительными мостами и диодами свободного хода на 600 В, среди которых серия SDH7901RH оснащена встроенной высоковольтной МОП мощностью 650 В, а SDH790XRL / SDH792XR оснащен встроенной высоковольтной МОП мощностью 500 В.Продукты серии SDH790XR имеют коэффициент мощности более 0,9 и общий коэффициент нелинейных искажений менее 20% и не имеют периферийной компенсационной емкости. Продукты серии DH792X имеют коэффициент мощности более 0,7, что позволяет снизить стоимость периферийных устройств. Общее решение значительно упрощает требования к системным периферийным устройствам. Напряжение защиты от разомкнутой цепи серийных продуктов может быть подключено к различным конфигурациям сопротивления через контакты ROVP для реализации периферийно регулируемого напряжения OVP.Серии SDH790XRL и SDH792XR обладают способностью защиты от молний более 1 кВ, в то время как серия SDH7901RH с мощностью защиты от молний более 4 КВ соответствует требованиям индийского рынка и может пройти испытания при входном напряжении 440 В переменного тока. Соответствующая информация о продуктах приведена ниже:

Описание

Допуск напряжения MOS

Защита от перенапряжения

Рекомендуемая мощность

(170-265В)

SDH7752R

500V

0002

02 / 100 мА

SDH7753R

500 В

12 Ом

/

120 В / 120 мА

/

120 В / 120 мА

Да

120 В / 120 мА

SDH7711R

500 В

7.5 Ом

Да

120 В / 150 мА

SDH7712R

500 В

5 Ом

5 Ом

9620005

9620005

Описание

Допуск напряжения MOS

На сопротивлении

Защита от перенапряжения Рекомендуемая мощность

SDH7901RH

650 В

13 Ом

> 0.9

81 В / 100 мА

SDH7901RL

500 В

7,8 Ом

> 0,9

> 0,9

500 В

6.0 Ом

> 0,9

81 В / 130 мА

SDH7921R

500V

8 Ом

> 0,7

81 В / 100 мА

SDH7922R

500 В

6,0 Ом

9027

Благодаря высокоинтегрированному системному решению и сильно упрощенной периферии микросхемы решение имеет низкую стоимость спецификации и весьма конкурентоспособно на рынке, схематическая диаграмма которого показана ниже:

SDH790XRL

Изолированные продукты с низким PF

К изолированным продуктам с низким коэффициентом мощности в основном относятся серии SDH761X со встроенными выпрямительными мостами, высоковольтные силовые МОП 650 В, высоковольтные силовые МОП 650 В и управляющий чип SDH761XSH, а также без емкости VCC и запуска. резисторы.Эта серия продуктов обладает высокой защитой от помех и нагрузочной способностью и не имеет рисков, связанных с высокой температурой, высокой влажностью и мигающим светом, поэтому решение имеет сильную защиту от грозовых перенапряжений. Соответствующая информация о продуктах приведена ниже:

4

13Ω 9705

4 9705

4

13Ω

5

650 В

Описание

Допуск напряжения MOS

На сопротивлении

0003

650V

24 Ом

5 * 1Вт

SDH7611R

650V

10 Ом

9 * 1 Вт

SDH7612R

600 В

3.8 Ом

12 * 1 Вт

Схема решения показана ниже:

Первоначальный клинический опыт использования красного диодного лазера (670 нм) при лечении заболеваний сетчатки

Полупроводниковые диодные лазеры ближнего инфракрасного диапазона были введены в офтальмологию Бранкато и др. в конце 1980-х годов. 10, 11, 12, 13, 14 Преимущество этих лазеров заключается в компактных размерах, эффективном электрооптическом преобразовании, отсутствии основных требований к охлаждению, длительном сроке службы и минимальном обслуживании.Однако биофизические свойства длины волны ближнего инфракрасного диапазона требуют значительного обучения для его повседневного использования в клинической практике. 7 Спектр поглощения этой длины волны тканями глаза не такой благоприятный, как у лазеров на криптоновом красном, без поглощения гемоглобином и на 80% меньшего поглощения пигментным эпителием сетчатки по сравнению с криптоновым лазером. 15, 16 Как следствие, повреждения, вызванные диодным лазером с длиной волны 810 нм, проникают дальше в сосудистую оболочку и требуют более высоких общих уровней энергии для образования видимых повреждений. 14 Диодный лазер с длиной волны 670 нм сочетает в себе хороший спектр поглощения красного лазера с преимуществами портативного и менее дорогостоящего оборудования. Характеристики поглощения диода с длиной волны 670 нм очень похожи на характеристики криптонового лазера с длиной волны 647 нм. Что касается пропускания через окулярные среды, красная длина волны имеет отличную кривую, на которую почти не влияют непрозрачность, и очень похожа на пропускание диодного лазера ближнего инфракрасного диапазона с длиной волны 810 нм. Облучение может проходить через хрусталик и помутнения стекловидного тела и кровотечения.Также он хорошо усваивается пигментным эпителием сетчатки и меланоцитами хориоидеи. 17 Таким образом, длина волны красного цвета имеет превосходные свойства для лазерной фотокоагуляции сетчатки. Отбеливание сетчатки достигается легко, и не требуется никакого обучения, как для диодного лазера ближнего инфракрасного диапазона.

Immonen et al 18 были первыми, кто оценил транссклеральный контакт и эндолазерную доставку диодного лазера с длиной волны 670 нм на кроликах. Они пришли к выводу, что этот лазер является многообещающим методом лазерной фотокоагуляции сетчатки и цилиарного тела.Насколько нам известно, наше исследование представляет собой первое клиническое применение транспупиллярного диодного красного лазера, излучающего на длине волны 670 нм. В этом первом отчете о лечении различных заболеваний сетчатки, помимо конкретной информации о терапевтической эффективности диодного лазера с длиной волны 670 нм, были получены ценные данные о полезных характеристиках и текущих ограничениях этой системы. Это пилотное исследование также позволило провести сравнение с обычными лазерами, особенно в отношении простоты использования и терпимости.Что касается клинических результатов этого исследования, косвенное сравнение с использованием других длин волн и лазерных источников предполагает аналогичный уровень эффективности. Однако это только предварительный отчет об ограниченном числе случаев лечения различных заболеваний сетчатки. Для подтверждения эквивалентного уровня эффективности потребуются контролируемые исследования на более крупной серии случаев однородных заболеваний. Лазер был надежным, неисправностей за период исследования не было. Его портативность и простота использования обеспечивали гибкость работы, аналогичную той, которую допускают другие диодные лазеры, излучающие на разных длинах волн.Уровни мощности, необходимые для фотокоагуляции сетчатки, такие же, как и обычно используемые с криптоновым красным лазером. Это связано с одинаковой скоростью поглощения длин волн 670 и 647 нм на уровне пигментного эпителия сетчатки.

Из-за некоторых ограничений фотокоагулятора, использованного в настоящем исследовании (например, размеры пятна, низкая мощность прицельного луча), мы не лечили заболевания макулы и заднего полюса. В настоящее время основные ограничения экспериментального диодного красного лазера связаны с малой мощностью наводящего луча и относительно небольшой мощностью излучающего источника.

Разное

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *