+7 495 120-13-73 | 8 800 500-97-74

(для регионов бесплатно)

Содержание

выразите в амперах силу тока, равную: 200 мА; 15 мкА; 8 кА

На дні басейну глибиною 1 м 80 см розташований круглий отвір закритий пробкою радіусом 4 см. Яку силу треба прикласти щоб витягти її з отвору?

У праве коліно U-подібної трубки, яка містила воду, налили шар гасу висотою 0,2 м. Визначити різницю рівнів води і гасу в правому і лівому коліні труб … ки.

В одне коліно U-подібної трубки налито воду яка встановилась на позначці 20 см, на якій висоті встановиться ртуть , що налита в друге коліно трубки?

ОЧЕНЬ СРОЧНО! 13 балловПочему при изучении движения Земли вокруг Солнца Можно пренебречь её размерами?​

Железный проводник длинной 25 см завис в однородном магнином поле с индукцией 0.5 тл. Определите напряжение на концах проводника, если он размещён пер … пендикулярно до линий индукции. Удельное сопротивление железа 10*10-8 Ом*м, плотность железа 7800кг/м3

1) При температуре 26 ºC относительная влажность воздуха составляет 45%. Определите, какое количество росы выпадет с каждого кубического метра воздуха … при понижении температуры до 10 ºC. Ответ укажите в миллиграммах. Плотность насыщенного пара при 26 ºC составляет 24,4 г/м³, при 10 ºC – 9,4 г/м³. 2) С высоты девятиэтажного здания упал молоток массой 900 г на железную пластину массой 3 кг и остановился. На сколько градусов нагрелась пластина, если на её нагревание израсходовалось 25 % выделившегося при ударе количества теплоты? Высоту этажа принять равной 3 м.

помогите по физикеее УМОЛЯЮЮЮЮЮЮЮ 1) Сосуд содержит смесь воды и льда при температуре 0 °С. Масса воды равна 0,8 кг, масса льда равна 100 г. После вве … дения водяного пара при температуре 100 °С установилась температура, равная 30 °С. Найдите массу пара. Потерями тепла пренебречь. 2) Полезная мощность дизельного двигателя 500 л.с., КПД 35%. Сколько тонн топлива необходимо такому двигателю на 10 дней бепрерывной работы? Удельная теплота сгорания дизельного топлива 42 МДж/кг.

Если растягивать упругую пружину силой 10н ее длина станет 1,5 дм.

Если же сжимать ее силой 5н ее длина составит 6 см определите длину пружины в нерас … тянутом состоянии. Вместе с решением, подробно, пожалуйста

Двом однаковим металевим кулькам надали певні заряди й розмістили на відстані 3 см одна від одної. Виявилося, що на цій відстані кульки притягуються і … з силою 90 мкН. Потім кульками торкнулися одна до одної й розвели на ту саму відстань, Тепер кульки почали відштовхуватися із силою 40 мкН. Які заряди були надані кулькам на початку досліду?​

При падении луча света на стеклянную пластинку (показатель преломления данного сорта стекла равен 1,74) угол между отраженным и преломленным лучами ра … вен 90°. Определите угол падения луча.​ (Пожалуйста, очень срочно…буду благодарна)

Основные единицы физических величин

Работа и энергия

1 кв × ч киловатт-час 1 кв × ч = 10 гвт × ч
1 гвт × ч гектоватт-час 1 гвт × ч = 100 вт × ч
1 вт × ч ватт-час 1 вт × ч = 3 600 вт × сек ( ватт-секунд )
1 дж джоуль 1 дж = 1 вт × сек
1 эрг эрг 1 эрг = 10-7 вт × сек
1 кГ/м килограммометр 1 кГ/м = 9,81 вт × сек
1 ккал килокалория 1 ккал = 1,16 вт × ч

Ёмкость

1 ф фарада 1 ф =106 мкф
1 мкф микрофарада 1 мкф =106 пф = 10-6 ф
1 пф пикофарада 1 пф =10-6 мкф = 10-12 ф = 0,9 см
1 см сантиметр 1 см = 1,11 пф = 1,11 × 10-6 мкф = 1,11 ×10-12 ф

Индуктивность

1 гн генри 1 гн = 1000 мгн
1 мгн миллигенри 1 мгн =1 000 мкгн=10-3 гн
1 мкгн микрогенри 1 мкгн =10-3 мгн=10-6 гн = 1 000 см
1 см сантиметр 1 см =10-3 мкгн = 10-6 мгн = 10-9 гн

Частота

1 Мгц мегагерц 1 Мгц = 1 000 кгц = 106 гц
1 кгц килогерц 1 кгц = 1 000 гц = 103 гц
1 гц гepц 1 гц = 10-3 кгц = 10-6 Мгц

Измеряемые токи от 100 до 100 мкА

Я хочу измерить токи поглощения / резорбции диэлектрика при подаче напряжения 1000В, 1500В, 2000В.

Я сделал небольшое устройство для измерения токов с помощью LOG114:

Я использую: LOG114 с опорным током 1 мкА на входе I1. Источник питания для LOG114 выполнен с использованием 78L05SMD (12 В -> 5 В), а затем ICL7660 для получения -5 В. Логарифмический выход LOG114 масштабируется до 0 В. 2.5 В и подается на 24-разрядный АЦП LTC2400. Я использую микроконтроллер, чтобы получить показания и отправить на компьютер для дальнейшей обработки.

Проблема в том, как подключить это устройство для измерения заряда / разряда конденсатора?

Если я использую, например, простой источник тока, изготовленный из батареи 1,5 В и резистора 91 МОм 5%, я получу правильные показания тока 16 нА.

Мне нужно помочь мне приспособить это, чтобы измерить зарядку и разрядку конденсатора.

Я обнаружил, что эта плата используется кем-то для измерения этих токов, но без объяснений, она использует LOG104:

Я сделал схемы:

Подключение токового входа на плате, которую использует человек, выглядит следующим образом:

Вопрос в том, что это:

Почему резистор 50Mohm не подключен к земле, являются такие разделители напряжения 10К / 1К от опорного 5V, используемого для компенсации как входного тока и опорного тока, который идет к LOG104?

WhatRoughBeast

Во-первых, прямой ответ. Вам необходимо подключить цепь между нижним концом нижнего резистора 1М и массой. Любой зарядный или разрядный ток в крышке также протекает через оба резистора 1М.

Теперь о вашей другой схеме.

R6 / R7 / R9 устанавливает опорный ток на уровне около 1 мкА.

R23 обеспечивает смещение 10 нА. Очевидно, что входной ток иногда будет отрицательным. В качестве альтернативы, разработчик хотел гарантировать, что если ток падает до нуля, результирующий выходной сигнал может быть идентифицирован как это условие.

R24 / R25 / R26 / C9 / C10 / C11 обеспечивает комплексный фильтр нижних частот для входного тока. Изменяющиеся значения конденсаторов позволяют избежать проблем с саморезонансом на любой частоте.

РЕДАКТИРОВАТЬ —

Мой прямой ответ ссылался на диаграмму резистор / конденсатор, и результат должен выглядеть следующим образом

смоделировать эту схему — схема, созданная с использованием CircuitLab

Вы заметите, что LOG114 не должен быть подключен там, где вы думаете. Он подключен к «нижнему концу нижнего резистора 1М», как я уже говорил.

И я согласен, что если вы попытаетесь применить фильтр нижних частот к верхней части нижнего резистора 1М и добавить резистор 50М после этого, вы получите более низкий ток. Но это не имеет значения, так как вы не хотите делать это в первую очередь. Попытка вывести ток путем измерения напряжения на нижнем резисторе 1М является крайне плохой идеей — по крайней мере, ток 100 мкА будет производить 100 вольт, и я не могу придумать хороший способ попытаться измерить это.

Вы пытаетесь адаптировать схему, которая не подходит для вашей проблемы.

Микроампер — Энциклопедия по машиностроению XXL

В самостоятельном разряде начиная с токов выше нескольких микроампер наблюдается неравномерное распределение электрического поля в межэлектродном пространстве, состоящем из трех зон (рис. 2.6) катодной 1, анодной 2 и столба разряда 3. На электродах часто наблюдаются пятна — анодное А и катодное К.
Скачки потенциала и Ул обусловлены скоплениями пространственного заряда (рис. 2.7) и повышенным сопротивлением этих зон по сравнению со столбом. В длинной дуге можно отчетливо различить три указанные выше области, причем основные свойства столба мало зависят от процессов в катодной и анодной зонах. В связи с этим в дальнейшем отдельно рассмотрены явления в столбе дуги и в пограничных областях — катодной и анодной. Для коротких дуг, где влияние  [c.37]
Фотоэлемент, в отличие от глаза и фотопластинки, реагирует не на освещенность чувствительной поверхности, а на световой поток, ибо фототок, т. е. число электронов, освобождаемых в единицу времени действием света, пропорционален количеству световой энергии, поглощаемой за секунду всей освещенной поверхностью. Поэтому чувствительность фотоэлемента обычно выражают в микроамперах на люмен. Фотоэлемент может работать и как прибор, интегрирующий световое действие по времени, если измеряется количество выделившихся зарядов (электрометр с емкостью) если же измеряется сила возникающего тока (гальванометр), то интегрирование по времени не имеет места.
[c.341]

Так, одни контакты способны работать при токах в несколько микроампер и напряжениях в несколько микровольт, в то время как другие выдерживают постоянные и переменные токи в десятки килоампер и напряжения в сотни киловольт, при этом нагрузка может быть активной или индуктивной. Контакты могут двигаться или оставаться неподвижными, выдерживать нагрузку от нескольких граммов до сотен килограммов, сохранять работоспособность в высококоррозионных средах и в широком диапазоне температур. Для удовлетворения столь разнообразных требований требуется большое количество материалов с широким спектром свойств.  

[c.417]

Плотность защитного тока для подземных резервуаров-хранилищ с битумным покрытием, как известно из опыта, должна быть не менее 100 мкА-м при очень хорошем состоянии изоляционного покрытия плотность защитного тока может составлять несколько десятков микроампер, а при очень плохом состоянии изоляции она может доходить до нескольких миллиампер на 1 кв. м. Таким образом, требуемый защитный ток для резервуаров-хранилищ одинакового объема может  [c.268]

Вследствие небольшой растворимости кислорода в воде (порядка 8 мг/л при нормальных условиях, что соответствует приблизительно 0,001 н. раствору) обеднение приэлектродно-го пространства по кислороду наступает уже при очень небольших катодных токах, не превышающих нескольких микроампер на 1 см .  [c.59]

При внедрении этого метода в производство нами установлено, что а-излучатели следует применять в случае необходимости создания местной ионизации воздуха около материала с разрядным током не выше нескольких микроампер, причем эффективное их использование получается на расстоянии 3—6 см от заряженной поверхности.  [c.294]

При экранизации статического поля различными проводниками (части машин, аппаратов и др.) а-излучатели необходимо ставить внутри экрана. При необходимости же ионизации воздуха во всем объеме аппарата или помещения требуется разрядный ток не выше нескольких десятых долей микроампера. Если нет возможности установить нейтрализатор около заряженного материала, то необходимо применять [3-излучатели, так как Р-частицы имеют значительно больший пробег в воздухе, чем а-частицы. Используя -излучатели для нейтрализации статического электричества, следует учитывать, что эти излучатели обладают меньшей ионизационной способностью, чем а-излучатели.  [c.294]


В приборах с электронным реле (фиг. 38) обгорания контактов не происходит из-за наличия малых токов в цепях контактов (порядка микроампер). Поэтому эти Приборы применяются для измере-  [c.192]

Для исследования природы коррозионных процессов в перегретом паре проводился следующий эксперимент. В стеклянную ампулу впаивались два электрода и штуцер, к которому присоединяли манометр. Затем в ампулу заливалось расчетное количество воды, необходимое для получения при заданной температуре (200°С) перегретого пара определенного давления. Ампула герметизировалась и помещалась в электрическую печь. Величина температуры (200° С) и давления (4 ат), согласно термодинамическим таблицам воды и водяного пара, подтвердили то, что в ампуле находился перегретый пар. При подключении к образцам сухих анодных батарей, между ними возникал электрический ток порядка десяти микроампер.  [c.30]

В электронных реле с транзисторами обычно используют схему с общим эмиттером, дающую наибольшее усиление по току. В схеме, приведенной на фиг. 18, б, входной сигнал величиной в несколько микроампер вызывает в цепи коллектор — эмиттер ток в несколько миллиампер, достаточный для срабатывания электромагнитного поляризованного реле Р. При разомкнутом контакте К ток в цепи реле Р практически равен нулю.  [c.255]

Автоэмиссионные токи, получаемые с одиночных волокон (а это, как уже упоминалось выше, сотни микроампер), для большинства практических применений явно недостаточны. Многочисленные ли-  [c. 148]

Ввиду малой силы тока, даваемой фотоэлементом прибора, к нему специально изготовлен индикатор, представляющий собой микроамперметр чувствительностью 4—5 микроампер, шкала которого разделена на 90 равных частей  [c.158]

Напряжение выпрямлялось посредством железо-селеновых вентилей, причем фильтрация обеспечивалась двумя конденсаторами общее выпрямленное напряжение могло достигать 14 000 в, при этом ток составлял только несколько микроампер [Л. 789].  [c.382]

Соотношение поверхностей можно варьировать в широких пределах. Ток таких элементов при малых размерах электродов и незначительной разности потенциалов невелик. Поэтому для регистрации такого тока необходимо брать очень чувствительные микроамперметры. Однако последние имеют значительное сопротивление, которое вводить в цепь пары крайне нежелательно. В таком случае измерение тока проводится одним из следующих способов. Первый способ заключается в том, что пары замыкают на определенное небольшое сопротивление (30 ом), и падение напряжения на этом сопротивлении автоматически записывают посредством чувствительного потенциометра. Шкалу потенциометра градуируют в микроамперах. Запись тока производят автоматическими потенциометрами СП или ЭП-09, позволяющими одновременно вести запись тока нескольких пар. Второй способ заключается в том, что для измерения силы тока используют прибор с нулевым сопротивлением [29].  [c.211]

Источник ионизации электронным ударом типа Нира применяется в масс-спектрометрических устройствах. Сила выходного тока не превышает нескольких микроампер вследствие низкой ионизации (10 ). Разброс по  [c.441]

Первый способ состоит в том, что электроды замыкаются на небольшое сопротивление и падение напряжения на этом сопротивлении записывается чувствительным автоматическим потенциометром ЭПП-09. Шкала такого потенциометра должна быть проградуирована в микроамперах.  [c.155]

Конечные показания микроампер метра / мка  [c.115]

Регистрация таких малых деформаций в приборах для динами- ческих измерений, как правило, требует применения электронной усилительной аппаратуры, включаемой между мостам и вибратором измерительного прибора. Необходимость усиления вызывается тем, что петлевые вибраторы с частотой собственных колебаний йт нескольких тысяч герц и выше требуют силы тока порядка 2— 20 ма, а ток в измерительной диагонали моста обычно не превышает десятых микроампера.  [c.32]

Произведение составляет примерно 0,06 сек, ток равен нескольким микроамперам, поэтому передаточную функцию регулятора в нормальном диапазоне частот можно приближенно представить в виде  [c.183]

Для устранения подгорания контакта 3 (фиг. 86) через пневмоэлектрический датчик пропускается ток силой всего в несколько микроампер. Задача усиления получающегося в этом случае очень маленького сигнала  [c.132]

Результаты экспериментов по влиянию различных режимов травления фольги из тантала, ниобия и сплава Та—МЬ перед оксидированием на величину диэлектрических свойств оксидной пленки даны в табл. 3. Поскольку для определения диэлектрических свойств применяли единый стандартный образец с рабочей площадью 10 см , то величину площади при дальнейшем изложении будем опускать и размерность диэлектрических свойств, зависящих от площадки (ток утечки и емкость), будем выражать соответственно только в микроамперах и микрофарадах. Величины диэлектрических свойств, указанных в табл. 3, брали средними из 5—10 измерений (образцов).  [c.86]


Л) — сдвоенный триод Л. — лампа контрольная Яр предохранитель 7 1—Гз — тумблер М/(А — индикатор (микроампер-метр) / 1, 7 2, — 11 — сопротивления переменные Др дроссель i з—- 12—- 15 сопротивления постоянные С]—Сз — конденсаторы 7р — трансформ.атор силовой.  [c.83]

Точно так же обстоит дело и с измерением абсолютной спектральной чувствительности Вместо нее чаще всего измеряют относительную спектральную чувствительность Л,, т. е. ответ фотоэлемента на величину монохроматического излучения стандартной электрической лампы в светотехнических единицах (микроамперах па люмен). Между собой эти две величины связаны соотношением Л, где У ,— распределение энергии по спект-  [c.285]

Сила тока Международный ампер. . . . Миллиампер. . . Микроампер. . . 1 10-3 10- А тА (хА а ма мш Международный ампер есть сила не изменяющегося электрического тока, который отлагает 0,00111800 г серебра в 1 сек., проходя через водный раствор азотнокислого серебра  [c.627]

Фотоумножители, применяющиеся в томографии, имеют темновой ток не свыше 10 А, обеспечивают линейность фототока до десятков и сотен микроампер, отличаются повышенной стабильностью и сохранением чувствительности с погрешностью не свыше 0,2 % в течение нескольких секунд. Они имеют относительно большие габариты, что приводит к повышению размеров и массы матрицы. Сцинтил-ляциоиные детекторы с ФЭУ используются в томографах I и И-го поколений, когда количество каналов небольшое (8—32) или в томографах IV-ro поколения, когда матрица неподвижна или процессирует с медленной скоростью. С целью существенного сокращения габаритов, расширения (в 100 и более раз) динамического диапазона линейности и повышения стабильности применяют вместо ФЭУ полупроводниковые фотоприемники (ФП). В качестве последнего используют кремниевые фотоэлементы с диффузионным или поверхностно барьерным р—п переходом.  [c.468]

В последнее время для специальных заправочных станций используют также горизонтальные цилиндрпческпе стальные резервуары емкостью 300 м1 Эти одностенные резервуары снаружи покрывают пластмассой, армированной стекловолокном (QIK), Изнутри такие резервуары имеют футеровку, стойкую к воздействию жидкого топлива. Резервуары такого типа обычно оборудуют привариваемыми или прикрепляемыми на фланцах стальными купольными колодцами типоразмеры их тоже стандартизованы. Благодаря наличию полимерного покрытия (при условии, гго и куполыи.(е коло/щы имеют такое же покрытие) требуемая плотность защитного тока не превышает нескольких микроампер на 1 кв. м. Таким образом, для резервуара емкостью 300 м с двумя купольными колодцами с общей площадью поверхности 400 м2 при «принятой плотности защитного тока 10 мкА-м требуемый защитный ток составил бы всего 4 мА, E jh-i кс купольные колодцы имеют только битумное покрытие, то защитный ток, как известно из  [c. 270]

Диодный механотрон является простейшим в ряду преобразователей с подвижными электродами. Разработаны конструкции с двумя анодами и дифференциальной схемой включения, выполненные как по диодной, так и по триодной схемам, с чувствительностью до нескольких сот микроампер на микрометр. Вследствие большой жвсткости механотроны более пригодны для измерения сил и давлений.  [c.204]

Первеанс выражается в амперах на вольт в степени три вторых. На практике его выражают в микроамперах на вольт в степени три вторых, а числовое значение первеанса в этих единицах, равное 10 5 . называют микропервеансом. Обычно мнкропервеанс составляет несколько единиц, но в пушках специальной конструкции может быть и значительно больше.  [c.60]

Сфокусированный ионный пучок сканируется в двух взаимно перпендикулярных направлениях с помощью магнитного поля, либо электростатически. Высота сфокусированного ионного пучка составляет порядка нескольких десятков, а ширина — нескольких миллиметров. Сила тока, обусловленная ионным пучком, лежит в пределах от нескольких микроампер до нескольких миллиампер.  [c.130]

Нефтегазовое направление кабельной техники вмещает широкий спектр кабелей и проводов, работающих в общем случае при токах от микроампер ло десятка ампер, электрических напряжениях от десятков вольт до нескольких киловольт, при температурах от +250°С до -60°С в многофазовых жидкостно-газовых средах с примесью поверхностно-активных и других агрессивных компонентов, и т.д., при высоких гидростатических давлениях, т.е. в условиях сложного многофакторного эксплуатационного воздействия. Создание широкой гаммы кабелей и проводов для нефтегазовой индустрии всегда бьыо и остается одним из важнейших приоритетных направлений деятельности Всероссийского НИИ кабельной промышленности (ранее Всесоюзный НИИКП) и ряда ведущих предприятий кабельной отрасли.  [c.21]

Через два отверстия, расположенных по диаметру образца, проходит болт из высоко(прочного алюминиевого сплава, на теле которого наклеены два тензодатчика, являющиеся активными плечами моста, схема которого приведена па рисунке. Два других точно таких же датчика укреплены на ненагруженном болте для температурной компенсации. При деформации образца стягивающим болтом наступает разбаланс моста и возникающий при этом ток записывается регистрирующим микроампер-метром, включенным в диагональ моста. Ток в диагонали моста является линейной функцией нагрузки, растягивающей болт. При развитии в иослбдуемо1М образце водородной трещины упругое сопротивление образца падает, стягивающий болт разгружается и разбаланс моста уменьшается, что регистрируется микроампермегром на диаграммной бумаге. Этот метод имеет преимущество перед методом изме(рения электросопротивления образца во времени [144], так как показывает действительное падение упругого сопротивления образца. При измерении электросопротивления образца развитие параллельных трещин может привести к такому же увеличению общего сопротивленяя образца, как и рост основной трещины. Кро-ме того, применение постоянного тока для оценки изменения электросопротивления образца при росте трещины может вызвать электр01перенос водорода в стали и этим исказить результаты.  [c.43]

При выборе плотностей тока для поляризации следует учесть характер коррозионной среды и металла. Поляризующий ток должен быть всегда больше тока саморастворения, иначе нельзя заметно сдвинуть потенциал от стационарного значения. Для процессов коррозии, протекающих с водородной поляризацией (кислые среды), плотность поляризующего тока определяется миллиамперами (от 0,25 до 5—10 ма/см )-, для процессов, протекающих с кислородной деполяризацией, плотность тока составляет микроамперы (от 1 до 1000 мка1см ). Предельный диффузионный ток по кислороду в неразмешиваемых электролитах невелик (15—30 мка/см ), поэтому в таких случаях следует получать возможно большее число точек на катодной поляризационной кривой в интервале малых плотностей тока (от 1 до 25 мка/см ). Вообще, снимая кривые в нейтральных электролитах, необходимо по возможности получать все три участка кривой, характерных для реакции восстановления кислорода, процессов диффузии и реакции разряда ионов водорода. Для этой цели обычно достаточно довести величину потенциала металла при катодной поляризации до (—1,0) (—1,2) в по водородному электроду.  [c.139]


С помощью токов в несколько микроампер Нир добился получения изотопа со скоростью в 1 иг за каждые 16 час. Способность изотопа и к делению вызвала необходимость увеличить получаемые количества. В книге Смита [26] указано, что Лоуренс в декабре 1941 г. увел 1чил скорость до 1 р-г/час на одну установку. Это последняя из опубликованных цифр. В книге Смита говорится, что скорость производства сильно увеличилась в 1942 г. и позже. Утверждают, что первые две атомные бомбы были сделаны из и- » это означает, что было выделено, по крайней мере, несколько килограммов этого изотопа. Таким образом, можно считать, что скорость производства должна была действительно сильно возрасти.  [c.338]

Плотность тока 1е зависит от свойства материалов катодов, состояния пх паверхности, температуры, режима работы приборов и других факторов и колеблется в очень широких пределах, начиная от нескольких микроампер до десятков и сотен ампер с 1 см их поверх- ости.  [c.218]

Ионный пучок обычно ускоряется в генераторе Ван-де-Граафа, энергия нонов, как правило, составляет от нескольких сотен килоэлектронвольт до 1—2 мэв, ток соответствует нескольким микроамперам, толщина  [c.300]

Фотоэлектрические приемники также характеризуются довольно резко выраженной спектральной кривой абсолютной чувствительности. В этом случае величина спектральной чувствительности определяет тот фототок, который возникает в цепи фотоэлемент — гальванометр при падении иа светочувствительную поверхность элемента потока лучистой энергии данной длины волны мощностью 1 вт. Поэтому абсолютная спектральная чувствительность фотоэлементов должна измеряться в микроамперах на ватт падающего монохроматического излучения. Одна1 о в силу сложности таких измерений, требующих энергетических оценок лучистого потока, чатце всего измеряют относительную спектральную чувствительность, а вместо абсолютной чувствительности определяют для каждого фотоэлемента только его интегральную чувствительность. Оценивают ее по общей величине фототока, возникающего в цепи при воздействии на фотоэлемент белого света определенной интенсивности. При этом лучистый поток определяют пе в энергетических единицах, а в светотехнических единицах светового потока — люменах, и стандартизуют источник света. В качестве такого стандартного источника света л СССР принята 100-ваттная газонолная лампа накаливания МЭЛЗ с вольфрамовой питью, цветовая температура которой прп нормальном режиме накала лампы составляет 2848° К. Все значения интегральной чувствительности фотоэлектрических приемников относятся к указанной температуре источника.  [c.285]


Направление и величина электрического тока. Количество электричества

  

Мы неоднократно подчеркивали, что электроны в электрическом поле перемещаются от точек с более низким потенциалом к точкам с более высоким потенциалом. Следовательно, и в электрической цепи, показанной на рис. 1, электроны движутся от отрицательного полюса источника электрической энергии к положительному: поэтому следовало бы считать, что электрический ток идет от минуса (—) к плюсу ( + ).

Рисунок 1. Простейшая электрическая цепь

 

Однако до объяснения электрических явлений с точки зрения электронной теории, т. е. когда природа электрического тока не была достаточно изучена, полагали, что ток идет от положительного полюса источника к отрицательному.

Чтобы не менять этого установившегося и прочно вошедшего в практику положения, решили сохранить такую условность и считать, что ток идет от плюса к минусу, как показано на рис. 2. В действительности же в металлических проводниках ток проходит в обратном направлении.

Рисунок 2. Направление движения электронов в проводнике и направление тока 

 

С ростом напряженности внешнего электрического поля увеличивается сила, действующая на электроны в проводнике. Электроны начинают перемещаться по проводнйку быстрее, а значит, увеличивается количество электричества, проходящее через поперечное сечение проводника в единицу времени.

Для характеристики интенсивности движения электрических зарядов в проводниках вводится понятие о силе тока или токе.

Определение: Силой тока называется количество электричества, проходящее через поперечное сечение проводника в единицу времени.

Сила тока (ток) обозначается буквой I или i.

Если за время t через поперечное сечение проводника прошло количество электричества q, то ток в проводнике можно определить по формуле:

За единицу тока принимается ампер (сокращенно обозначается буквой  А). В ГОСТ  приведено следующее определение этой основной электрической единицы: «ампер — сила неизменяющегося тока, который, проходя по двум параллельным прямоугольным проводникам бесконечной длины и ничтожно малого кругового сечения, расположенным на расстоянии 1 м один от другого в вакууме, вызвал бы между этими проводниками силу, равную 2*10-7 единицы силы  на каждый метр длины».

Следует подчеркнуть, что ампер — единственная основная электрическая единица. Все остальные единицы, используемые при электрических и магнитных измерениях, определяются через четыре основные единицы Международной системы единиц (метр — килограмм — секунда — ампер).

Единица измерения тока названа по имени французского физика и математика Андре Мари Ампера (1775—1836), открывшего закон взаимодействия электрических токов и предложившего новую гипотезу для объяснения магнитных свойств вещества.

В радиотехнике часто приходится иметь дело с токами, величина которых в тысячи и даже миллионы раз меньше одного ампера. Такие токи измеряются в миллиамперах (сокращенно обозначается мА или mА) или в микроамперах (сокращенно обозначается мкА или μА). Миллиампер одна тысячная доля ампера, т. е.

1 мА = 0,001 А, или 1 А = 1000 мА.

Микроампер — это одна миллионная доля ампера или одна тысячная доля миллиампера, т. е.

1 мкА = 0,001 мА = 0,000001 А.

Полезно запомнить также следующие соотношения:

1 мА= 1000 мкА = 0,001 А; 1 А = 1000 мА = 1 000 000 мкА.

При рассмотрении вопросов взаимодействия зарядов мы сказали, что количество электричества измеряется в кулонах. При этом количество электричества в 1 кулоне соответствует приблизительно общему заряду 6 • 1018 электронов. Сейчас можно дать более строгое определение кулона:

Определение: кулон — это количество электричества, проходящее через поперечное сечение проводника в течение 1 секунды при неизменяющемся токе в 1 ампер.

Эта единица количества электричества часто называется ампер-секундой (сокращенное обозначение А-с). На практике количество электричества измеряется в ампер-часах (А-ч).

Если известен ток I в проводнике, то количество электричества q, прошедшее через поперечное сечение проводника за время t, можно определить по формуле:

где q — в кулонах; I— в амперах; t — в секундах.

Для измерения тока в цепи применяются приборы, называемые амперметрами. Амперметр включается в цепь так, чтобы через него проходил весь измеряемый им ток (рис. 3). 

Рисунок 3. Схема включения амперметра в электрическую цепь. Б — источник напряжения; PA — амерметр; EL — нагрузка (лампа).

ПОНРАВИЛАСЬ СТАТЬЯ? ПОДЕЛИСЬ С ДРУЗЬЯМИ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ!

Похожие материалы:

Добавить комментарий

Корнев В. К.

Корнев Виктор Константинович

 

Описание курса:

 

О большом значении и интенсивном развитии сверхпроводниковой микро- и наноэлектроники в настоящее время свидетельствует проведение регулярных международных конференций в этой области, таких как, Applied Superconductivity Conference, International Superconductive Electronics Conference, European Conference on Applied Superconductivity и ряд других. Успехи в этой научной области уже привели к созданию аналоговых и цифровых устройств с характеристиками, недоступными для полупроводниковой электроники. Следует отметить аналоговые устройства на основе сквидов (SQUID, Superconducting Quantum Interference Device) с близкой к квантовому пределу чувствительностью к магнитным сигналам, которые находят применение в биологии и медицине (магнитокардиография, магнитоэнцефалография), геологии (поиск залежей магнитных руд), технике (диагностике усталости металлических конструкций), а также в различных областях современной науки.

Целью настоящего курса является формирование у слушателей углубленных базовых знаний, необходимых для дальнейшей исследовательской работы в области физики сверхпроводниковой наноэлектроники.

 

План курса:

Каждое занятие данного Курса состоит из теоретической лекционной части и выполнения соответствующего виртуального (численного) эксперимента с использованием программного пакета PSCAN.


1. Динамика джозефсоновских переходов, описываемых резистивной моделью с емкостью. Гистерезис вольт-амперной характеристики и его зависимость от величины емкостного параметра Стюарта-Маккамбера. Джозефсоновская генерация. Ток возврата, плазменные осцилляции, частота плазменных осцилляций и характерное время затухания. Другие возможные модели.


Численное моделирование динамических процессов и вольт-амперных характеристик (ВАХ) с использованием программного пакета PSCAN. Изучение влияния емкости на амплитуду и форму джозефсоновских осцилляций


Контрольные вопросы: Вопросы к задачам 1 и 2 в Пособии [1].


Пример задач: Рассчитать плазменную частоту и время затухания плазменных осцилляций в джозефсоновском переходе, критический ток которого равен 100 мкА, нормальное сопротивление RN = 2 Ом, емкость С = 7,5 пФ.

2. Микроскопическая теория туннельных джозефсоновских переходов. Гистерезис и риделевский пик на вольт-амперной характеристике (ВАХ). Ток возврата, плазменные осцилляции, динамический пробой. Шунтирование туннельного джозефсоновского перехода низкоомным резистором. ВАХ шунтированного джозефсоновского перехода и его характерные параметры. Нелинейно-резистивная модель.


Численное моделирование характеристик и динамических процессов в туннельных джозефсоновских переходах с использованием SIS и SNINS моделей джозефсоновских переходов.
Контрольные вопросы: Вопросы к задачам 1 и 2 в Пособии [1].


Пример задач: Какова должна быть величина шунтирующего резистора, чтобы ВАХ шунтированного туннельного джозефсоновского перехода стала безгистерезисной, если его критический ток равен 100 мкА, а емкость С = 3 пФ?

3. Динамические процессы в джозефсоновском переходе под воздействием внешнего высокочастотного сигнала. Области синхронизации джозефсоновской генерации – ступени Шапиро в рамках резистивной модели, туннельной и других моделей. «Обратный» эффект Джозефсона. Фазовые соотношения в области синхронного режима. Размер ступеней Шапиро в случаях слабого и сильного сигнала. Влияние емкости. Динамический хаос в системе с 2,5 степенями свободы: джозефсоновский переход с емкостью под воздействием внешнего гармонического сигнала. Необходимое условие возникновения хаотических процессов.


Численное моделирование вольт-амперных характеристик и динамических процессов с использованием резистивной, нелинейно-резистивной и туннельной моделей (SIS и SNINS) джозефсоновского перехода, а также изучение фазовых соотношений с помощью фигур Лиссажу, изучение динамического хаоса в численном эксперименте с использованием фазового портрета системы.


Контрольные вопросы: Вопросы к задаче 3 в Пособии [1].


Пример задач: На ВАХ джозефсоновского перехода наблюдаются ступени Шапиро. Под воздействием приложенного СВЧ сигнала. При этом первая ступень имеет максимальный размер. Пользуясь высокочастотным приближением, оценить во сколько раз необходимо изменить амплитуду СВЧ воздействия на удвоенной частоте, чтобы (а) достичь максимального размера третьей ступени Шапиро? (б) полного подавления сверхпроводящего участка ВАХ?

4. Одноконтактный сверхпроводящий квантовый интерферометр. Статическая зависимость полного магнитного потока и фазы джозефсоновского элемента от приложенного внешнего магнитного потока. Динамика процессов в одноконтактном интерферометре при медленном и быстром изменениях внешнего магнитного потока. Влияние емкости джозефсоновского перехода. Динамика одноквантовых и многоквантовых скачков. Динамический хаос в рассматриваемой системе. Необходимое условие возникновения хаоса. Критерий отсутствия хаоса в рассматриваемой системе.
Численное моделирование динамических процессов с использованием фазового портрета системы для изучения динамического хаоса.


Контрольные вопросы: Вопросы к задаче 4 в Пособии [1].


Примеры задач: В сверхпроводящее кольцо включен джозефсоновский переход с критическим током 100 мкА. Какова должна быть индуктивность кольца, чтобы статическая зависимость полного магнитного потока от приложенного потока была неоднозначной при всех значениях приложенного магнитного потока?


5. Двухконтактный сверхпроводящий квантовый интерферометр. Статическая зависимость полного магнитного потока и разности фаз джозефсоновских элементов от приложенного внешнего магнитного потока. Сквид постоянного тока (dc SQUID). Вольт-амперная характеристика, зависимость полного сверхпроводящего тока от приложенного магнитного потока. Динамика интерферометра в резистивном состоянии, зависимость фазовых соотношения в процессах джозефсоновской генерации от приложенного магнитного потока. Сигнальная характеристика. Влияние асимметрии плеч интерферометра и неодинаковости критических токов джозефсоновских переходов.


Численное моделирование динамических процессов, наблюдение фазовых соотношений. Моделирование сигнальных характеристик, изучение влияния величины индуктивности и асимметрии плеч сквида.

Контрольные вопросы: Вопросы к задаче 5 в Пособии [1].


Примеры задач: Сигнальная характеристика симметричного сквида постоянного тока имеет размах DV = 50 мкВ при температуре 4,2 К. Нормальное сопротивление джозефсоновских переходов RN = 2 Ом. Считая флуктуации в сквиде тепловыми, рассчитать чувствительность такого сквида (в единицах магнитного потока Ф и кванта потока Ф0).


6. Релаксационные колебания в туннельном джозефсоновском переходе и двухконтактном интерферометре с туннельными джозефсоновскими переходами в случае подключения к ним внешней RL-цепи. Область существования релаксационных колебаний. Вольт-амперная характеристика (ВАХ). Ток возврата, его зависимость от емкости. Динамический пробой. Релаксационный сквид постоянного тока. Сигнальные характеристики.
 

Численное моделирование и изучение релаксационных процессов в туннельном джозефсоновском переходе и двухконтактном квантовом интерферометре с туннельными джозефсоновскими переходами, численное моделирование сигнальных характеристик релаксационного сквида постоянного тока.


Контрольные вопросы: Вопросы к задаче 6 в Пособии [1].


Примеры задач: Параллельно туннельному джозефсоновскому переходу с критическим током IС = 100 мкА, нормальным сопротивлением RN = 10 Ом и током возврата на ВАХ IR = 10 мкА подключена цепь из последовательно соединенных индуктивности LS = 3 нГн и резистора RS = 0,5 Ом. Джозефсоновский переход смещен постоянным током I0 =105 мкА. В цепи существуют релаксационные колебания. Вычислить длительность той части периода релаксационных колебаний, когда джозефсоновский переход находится в сверхпроводящем состоянии.


7. Сквид переменного тока (rf SQUID). Теория процессов в гистерезисном режиме работы. Высокочастотная и сигнальная характеристики в гистерезисном режиме работы. Теория процессов в безгистерезисном режиме безгистерезисном режиме работы, сигнальные характеристики. Резонансные характеристики в безгистерезисном режиме работы. Нелинейная зависимость резонансной частоты от амплитуды. Физические принципы формирования сигнальной характеристики в безгистерезисном режиме работы.


Численное моделирование динамических процессов, а также высокочастотных и сигнальных характеристик сквида в гистерезисном режиме работ, а также амплитудно-частотной характеристики в безгистерезисном режиме работы при различных значениях приложенного магнитного потока.


Контрольные вопросы: Вопросы к задаче 7 в Пособии [1].


Примеры задач: Сквид переменного контура находится в гистерезисном режиме работы. Добротность колебательного контура Q = 200. Индуктивность кольца интерферометра L = 0,3 нГн, критический ток джозефсоновского перехода IС = 10 мкА, индуктивность колебательного контура Lk = 2 нГн, взаимная индуктивность интерферометра и колебательного контура М = 0,2 нГн. Определить, возможно ли получение треугольной сигнальной характеристики.


8. Джозефсоновские пи-контакты. Слабая связь сверхпроводников через магнитную прослойку. Эффект близости в SF структуре, осциллирующий параметр порядка. Джозефсоновские переходы на основе высокотемпературных сверхпроводников. Сверхпроводники с нетривиальным спариванием электронов и джозефсоновские переходы на основе таких сверхпроводников. Сверхпроводящие квантовые пи-интерферометры.


Численное моделирование статических зависимостей полного магнитного потока в одно- и двухконтактных пи-интерферометрах от приложенного внешнего потока, моделирование динамики одно- и двухконтактных пи-интерферометров.


Контрольные вопросы: Вопросы к задачам 4 и 5 в Пособии [1].


Примеры задач: Симметричный сквид постоянного тока смещен током I = 20 мкА, внешний магнитный поток отсутствует. Джозефсоновские переходы имеют одинаковые критические токи IС = 100 мкА, но один из этих двух переходов является пи-контактом. Индуктивность сквида L = 10 пГн, Оценить значения фаз джозефсоновских переходов.


9. Параллельная цепочка джозефсоновских переходов. Низкоиндуктивная цепочка как модель распределенного джозефсоновского перехода. Параллельная цепочка 0- и пи- джозефсоновских переходов как модель бикристаллического джозефсоновского перехода. Уравнение Форрелла-Прейнджа для сверхпроводящего состояния распределенного туннельного перехода. Джозефсоновская глубина проникновения. Джозефсоновский вихрь. Энергия джозефсоновского вихря. Критическое поле. Зависимость критического тока распределенного джозефсоновского перехода от магнитного поля. Вольт-амперные характеристики распределенных джозефсоновских переходов туннельного типа. Частоты и ступеньки Фиске. Скорость Свайхарта. Пик Экка, “flux-flow” режим.


Численное моделирование низкоиндуктивной параллельной цепочки джозефсоновских переходов. Зависимость критического тока от приложенного магнитного поля. Динамика цепочки в резистивном состоянии. Параллельная цепочка 0- и пи- джозефсоновских переходов. Зависимость критического тока от магнитного поля.


Примеры задач: Изготовлена низкоиндуктивная (индуктивности связи L®0) параллельная цепочка их четного числа 2N джозефсоновских переходов с чередующимся (0- и пи-) типом. Все пи-контакты имеют одинаковые критические токи ICPi =1,2IC, а все 0-контакты – одинаковые критические токи IC0 =0,8IC. Ко всем ячейкам цепочки прикладывается одинаковый магнитный поток Фе. При каком магнитном потоке будет наблюдаться максимальный сверхпроводящий ток параллельной цепочки (предполагается, что каждый их джозефсоновских переходов цепочки смещен равным постоянным током), какова будет величина сверхпроводящего тока в отсутствие магнитного потока? Ответить на эти вопросы для случая противоположного соотношения критических токов пи- и 0-контактов, а также для случая одинаковых критических токов.

10. Движение и взаимодействие одиночных квантов магнитного потока в джозефсоновских цепях. Изучение влияния тока смещения джозефсоновских переходов в линии передачи и индуктивностей связи в линии передачи на скорость движения одиночных квантов магнитного потока. Взаимодействие квантов магнитного потока, движущихся навстречу друг другу, расщепление на два кванта.


Численное моделирование процессов генерации одиночных квантов магнитного потока, их распространения по джозефсоновской линии передачи и взаимодействия друг с другом, изучение влияния параметров линии передачи на скорость движения квантов магнитного потока.


Контрольные вопросы: Вопросы к задаче 8 в Пособии [1].


Примеры задач: В джозефсоновской линия передачи одиночных квантов магнитного потока величина индуктивностей связи L = 30 пГн, критические токи идентичных джозефсоновских переходов IC =100 мкА. Какова должна быть величина тока смещения джозефсоновских переходов и почему? Что будет происходить при слишком малой величине тока смещения?


11. Джозефсоновский балансный компаратор тока на основе пары Гото джозефсоновских переходов. Сравнение балансного компаратора со схемой небалансного компаратора на одном туннельном джозефсоновском переходе с гистерезисной вольт-амперной характеристикой (ВАХ). Динамика балансного компаратора, пороговые характеристики. Возможные режимы работы балансного компаратора и их зависимость от задаваемых параметров. Одно- и двухквантовые режимы работы. Удаление анти-кванта «отдачи». Задание и изменение тока сравнения. Влияние тепловых флуктуаций. Использование цепи следящей обратной связи. Чувствительность балансного компаратора.


Численное моделирование процессов передачи одиночных квантов магнитного потока в контур балансного компаратора и динамических процессов в контуре компаратора в одно- и двухквантовом режимах работы, изучение условий перехода от одноквантового к двухквантовому режиму работы, моделирование пороговых характеристик компаратора, изучение влияния конечной емкости джозефсоновских переходов.


Контрольные вопросы: Вопросы к задаче 9 в Пособии [1].


Примеры задач: Оценить точность балансного компаратора (однократное срабатывание) состоящего из пары идентичных джозефсоновских переходов (шунтированных туннельных джозефсоновских переходов) с критическим током IC = 100 мкА и нормальным сопротивлением (сопротивлением шунта) RN = 2 Ом. Рабочая температура Т= 4,2 К.

12. Джозефсоновский переход, подключенный к внешней электродинамической системе с комплексным импедансом. Вольт-амперные характеристик (ВАХ) джозефсоновского перехода при его подключении к (а) параллельному и (б) последовательному резонансным контурам. Резонансные особенности на ВАХ. Аналитическая теория для случая высокодобротного параллельного контура. Параметрический резонанс. Условия существования. Мягкое и жесткое возбуждения.


Численное моделирование вольт-амперных характеристик (ВАХ) и динамических процессов в системе, образованной подключением джозефсоновского перехода к (а) последовательному и (б) параллельному колебательным контурам. Изучение характера осцилляций в системе в области особенностей на ВАХ.


Контрольные вопросы: Вопросы к задаче 10 в Пособии [1].


Примеры задач: (а) Высота резонансного пика на ВАХ джозефсоновского перехода, подключенного к параллельному резонансному контуру, увеличивается с уменьшением резонансной частоты. Объяснить это явление и найти положение вершины резонансного пика относительно ВАХ автономного джозефсоновского перехода. (б) Джозефсоновских перехода с пренебрежимо малой собственной емкостью нагружен на последовательный резонансный контур, сопротивление потерь в котором много меньше нормального сопротивления джозефсоновского перехода. Резонансная частота контура совпадает с характерной частотой джозефсоновского перехода. Сделать оценку высоты резонансного анти-пика на ВАХ нагруженного джозефсоновского перехода.


13. Взаимодействие в цепочках и решетках джозефсоновских переходов через цепи электродинамической связи. Возможные типы таких цепей связи. Радиус взаимодействия джозефсоновских переходов в цепочке. Последовательные цепочки джозефсоновских переходов с RL-цепью электродинамической связи. Динамика, диапазон синхронизации. Четырехконтактная ячейка двумерной решетки джозефсоновских переходов. Динамика, диапазон синхронизации.


Численное моделирование процессов взаимной синхронизации джозефсоновской генерации взаимодействующих джозефсоновских переходов, изучение фазовых соотношений в области взаимной синхронизации, моделирование вольт-амперных характеристик взаимодействующих джозефсоновских переходов.


Контрольные вопросы: Вопросы к задаче 12 в Пособии [1].


Примеры задач: Два джозефсоновских перехода с номинальной величиной критического тока IC = 40 мкА, нормальным сопротивлением 0,5 Ом и пренебрежимо малой емкостью включены последовательно и смещены постоянным током I = 69 мкА. Какова должна быть амплитуда тока в цепи электродинамической связи этих переходов, чтобы обеспечивать синхронный режим джозефсоновской генерации в условиях, когда технологический разброс критических токов может достигать ±2,5% от номинального значения?


14. Джозефсоновский переход, нагруженный на бесконечно длинную микрополосковую линию и отрезок линии с разомкнутым или короткозамкнутым концом. Вольт-амперная характеристика. Два джозефсоновских перехода в микрополосковой линии. Взаимная синхронизация джозефсоновской генерации. Влияние приложенного магнитного поля.


Численное моделирование динамики и ВАХ джозефсоновского перехода, включенного в цепочку из N LC-звеньев, моделирующую длинную линию или отрезок линии с разомкнутым концом. Два джозефсоновских перехода, включенные в цепочку из N LC-звеньев. Изучение синхронизации джозефсоновской генерации. Изучение влияния приложенного магнитного поля.


Контрольные вопросы: Вопросы к задаче 11 в Пособии [1].


Примеры задач: Джозефсоновских перехода с пренебрежимо малой собственной емкостью нагружен на отрезок микрополосковой линии с разомкнутым концом. Найти значения тока на ВАХ джозефсоновского перехода, соответствующие вершинам резонансных пиков при значениях напряжения Vk. Как чередуются эти пики? Как изменяется высота пиков с увеличением номера k?


15. Тепловые флуктуации в джозефсоновском переходе. Метод Ланжевена описания флуктуаций. Влияние флуктуаций на вольт-амперную характеристику. Спектр токовых флуктуаций в резистивном состоянии, спектр низкочастотных флуктуаций, спектр флуктуаций напряжения. Спектр джозефсоновской генерации, ширина линии генерации, влияние уровня тепловых флуктуаций, шум-фактор.


Численное моделирование вольт-амперной характеристики (ВАХ) и динамических процессов, а также вычисление спектральных характеристик с использованием пакета PSCAN.


Контрольные вопросы: Вопросы к задачам 13 и 14 в Пособии [1].


Примеры задач: Шунтированный туннельный джозефсоновский переход с критическим током IC = 50 мкА, сопротивлением шунта R = 4 Ом (считаем, что параметр Маккамбера b << 1) при температуре Т = 4,2 К находится в состоянии джозефсоновской генерации с частотой F = 200 ГГц. Оценить относительную ширина линии генерации DF/F .

16. Джозефсоновская генерация и эффект сужения линии генерации в синхронных многоэлементных джозефсоновских структурах. Физический механизм сужения линии генерации. Определение и физический смысл радиуса электродинамического взаимодействия джозефсоновских переходов в цепочках и решетках. Зависимость радиуса взаимодействия от частоты.


Численное моделирование процессов в джозефсоновских структурах в присутствие флуктуаций и вычисление спектральных характеристик. Спектр флуктуаций напряжения в параллельной цепочке индуктивно связанных резисторов как функция числа резисторов в цепочке. Влияние величины индуктивностей связи. Сужение линии генерации в параллельной цепочке джозефсоновских переходов.


Контрольные вопросы: Вопросы к задаче 14 в Пособии [1].


Примеры задач: Джозефсоновский переход с критическим током IC = 100 мкА, нормальным сопротивлением RN = 2 Ом и пренебрежимо малой емкостью находится в состоянии джозефсоновской генерации с частотой F = 60 ГГц. Относительная ширина линии генерации DF/F = 3×10-3. Как изменится ширина линии генерации, если джозефсоновский переход будет иметь емкость С = 10 пФ?

17. Би-сквид и его характеристики. Два последовательных нелинейных преобразования сигнала. Влияние джозефсоновских осцилляций. Линейность характеристик и динамический диапазон. Безгистерезисный (нормированное значение эффективной индуктивности l ≤ 1) и гистерезисный (l > 1) отклик напряжения. Влияние тепловых флуктуаций на сигнальные характеристики. Влияние паразитных индуктивностей цепи. Многозначность сигнальной характеристики. Ограничения на величину эффективной нормированной индуктивности.


Численное моделирование характеристик би-сквида и определение параметров, при которых достигается максимальная линейность отклика напряжения в безгистерезисном (приведенная индуктивность l ≤ 1) и гистерезисном (l > 1) режимах работы. Влияние тепловых флуктуаций на сигнальные характеристики в гистерезисном и безгистерезисном режимах работы.


Контрольные вопросы: Вопросы к задачам 4 и 5 в Пособии [1].


Примеры задач: Би-сквид содержит два джозефсоновских перехода с одинаковыми критическими токами IC = 100 мкА и третий джозефсоновский переход (в одноконтактном контуре) с критическим током IC3 = 200 мкА. Величина основной индуктивности би-сквида (одноконтактного контура) L = 10 пГн. Рассчитать величину эффективной приведенной индуктивности и определить, какой вид (безгистерезисный или гистерезисный) будет иметь отклика рассматриваемого би-сквида? Как изменится вид отклика напряжения, если уменьшить в два раза величину (a) критического тока IC? (б) критического тока IC3?

18. Сверхпроводящие квантовые решетки. Линейность и динамический диапазон.

Дифференциальная квантовая ячейка на основе низкоиндуктивной параллельной цепочки джозефсоновских переходов. Отклик параллельной цепочки в пределе пренебрежимо малых индуктивностей связи, а также в случае малых, но конечных индуктивностей. Радиус взаимодействия джозефсоновских переходов на частоте джозефсоновской генерации и частоте сигнала. Зависимость формы отклика напряжения от радиуса взаимодействия.


Численное моделирование динамики и отклика напряжения дифференциальной квантовой ячейки и ее плеч. Анализ условий линейности отклика, изучение влияния магнитного и токового смещений.


Контрольные вопросы: Вопросы к задаче 15 в Пособии [1].


Примеры задач: Динамический диапазон устройства на основе сверхпроводящей квантовой решетки, содержащей 100 дифференциальных квантовых ячеек, в каждом плече которых 10 джозефсоновских переходов, достигает 60 дБ. Число джозефсоновских переходов в плече ячейки увеличивают до 20, а число ячеек в решетке — до 500. Какой динамический диапазон будет иметь устройство на основе такой решетки?


[1] В. К. Корнев, Н. В. Кленов, “Задачи физического практикума по сверхпроводниковой электронике”, Москва, ООП физического факультета МГУ, Заказ 58, Тир. 60, 78 стр.), 2012.

Электрический ток / Электрический ток I — Наука

2021

Электрический ток или сила электрического тока называется просто током. Это описывает передачу электрической энергии и числовое движение свободных носителей заряда. Носителями заряда могут быть электр

Содержание

Электрический ток или сила электрического тока называется просто током. Это описывает передачу электрической энергии и числовое движение свободных носителей заряда. Носителями заряда могут быть электроны или ионы.

Электрический ток может течь только в том случае, если между двумя разными электрическими зарядами имеется достаточно свободных и подвижных носителей заряда. Например, в проводящем материале, таком как металл, жидкость и газ.

Различие

  • Постоянный ток
  • Переменный ток
  • Вихревой ток

Текущий поток в сравнении

Поток электричества часто сравнивают с проточной водой в трубе. Чем больше воды протекает по трубе, тем больше воды. То же самое и с электричеством. Чем больше электронов проходит через проводник за одну секунду, тем больше электрический ток.
Сила электрического тока используется для численного описания электрического тока.

единицы измерения


1000 А = 1 кА (килоампер)
100 А (ампер)
10 А (ампер)
1 А (ампер)
0,1 А = 100 мА (миллиампер)
0,01 А = 10 мА (миллиампер)
0,001 А = 1 мА (миллиампер)
0,0001 A = 100 мкА (микроампер)

Законная базовая единица электрического тока — 1 ампер (А). Сила тока в электронике обычно составляет от нескольких микроампер (мкА) до нескольких ампер (А). В технике тяжелого тока также известны килоамперы (не указаны).

Обозначение формулы

I: электрический ток
i: мгновенное значение переменного тока
î: пиковое значение переменного тока
Я.ВСЕГО : Общий ток
Я.R1 : Ток через резистор R1

Символ электрического тока или силы электрического тока — это заглавная буква «I». В отличие от этого, есть разные варианты написания в верхнем и нижнем регистре с дополнительными символами, которые имеют определенное значение. Число или буквы в качестве индекса идентифицируют конкретный ток в цепи.

Формулы расчета

Существуют различные формулы для расчета электрического тока.






Текущее направление

Направление тока указано в схемах стрелкой. Из-за различных научных предположений и выводов определены два текущих направления.

  • Техническое текущее направление (историческое текущее направление) изменяется от плюса (+) до минуса (-).
  • Направление физического потока (направление потока электронов) изменяется от минуса (-) до плюса (+).
  • Ток показан в схемах с (красной) стрелкой в ​​техническом направлении тока.

Техническое направление тока (историческое направление тока): от плюса к минусу

До того, как мы узнали о процессах в атомах и взаимоотношениях между электронами, предполагалось, что носители положительного заряда ответственны за поток электричества в металлах. Соответственно, ток должен течь от положительного полюса к отрицательному. Использование измерительного прибора для измерения тока также позволяет сделать такой вывод. Хотя предположение в то время было опровергнуто, первоначальное (историческое) направление течения было сохранено по практическим соображениям. Вот почему направление тока в цепи до сих пор определяется от плюса к минусу.

Направление физического потока (направление потока электронов): от минуса к плюсу

В замкнутой цепи свободные носители заряда (электроны) отталкиваются от отрицательного полюса и притягиваются к положительному полюсу. Это создает поток электронов от отрицательного полюса к положительному. Это направление тока является физическим направлением тока, которое также называется направлением электронного тока. Это соответствует реальному направлению потока свободных носителей заряда.

Измерьте электрический ток

Амперметр всегда подключается последовательно с потребителем. Для этого необходимо отключить линию цепи, чтобы можно было вставить измерительный прибор в цепь. Во время измерения через измерительный прибор должен протекать ток.

Преобразование микроампер в амперы — Преобразование единиц измерения

›› Перевести микроамперы в амперы

Пожалуйста, включите Javascript для использования конвертер величин.
Обратите внимание, что вы можете отключить большинство объявлений здесь:
https://www.convertunits.com/contact/remove-some-ads.php



›› Дополнительная информация в конвертере величин

Сколько микроампер в 1 ампер? Ответ — 1000000.
Мы предполагаем, что вы конвертируете между мкА и мкА .
Вы можете просмотреть более подробную информацию о каждой единице измерения:
микроампер или amp
Базовой единицей СИ для электрического тока является ампер.
1 ампер равен 1000000 микроампер, или 1 ампер.
Обратите внимание, что могут возникать ошибки округления, поэтому всегда проверяйте результаты.
Используйте эту страницу, чтобы узнать, как преобразовать микроампер в ампер.
Введите свои числа в форму для преобразования единиц!



›› Хотите другие единицы?

Вы можете произвести обратное преобразование единиц измерения из ампер на микроампер, или введите любые две единицы ниже:

›› Преобразователи общего электрического тока

микроампер на гауссовский
микроампер на пикоампер
микроампер на электростатический блок
микроампер на кулон в секунду
микроампер на дециамперный
микроамперный на тераамперный
микроамперный на статический
микроамперный на электромагнитный
микроамперный на килоамперный
микроамп на биот



›› Определение: Микроампер

Префикс SI «micro» представляет коэффициент 10 -6 , или в экспоненциальной записи 1E-6.

Итак, 1 микроампер = 10 -6 ампер.


›› Определение: Amp

В физике ампер (символ: A, часто неофициально сокращается до ампер) — это базовая единица СИ, используемая для измерения электрических токов. Нынешнее определение, принятое 9-й сессией ГКПМ в 1948 году, гласит: «Один ампер — это тот постоянный ток, который, если он поддерживается в двух прямых параллельных проводниках бесконечной длины, с незначительным круглым поперечным сечением и помещен на расстоянии одного метра в вакууме, дает между этими проводниками действует сила, равная 2 × 10 -7 ньютон на метр длины ».


›› Метрические преобразования и др.

ConvertUnits.com предоставляет онлайн калькулятор преобразования для всех типов единиц измерения. Вы также можете найти метрические таблицы преобразования для единиц СИ. в виде английских единиц, валюты и других данных. Введите единицу символы, сокращения или полные названия единиц длины, площадь, масса, давление и другие типы. Примеры включают мм, дюйм, 100 кг, жидкая унция США, 6 футов 3 дюйма, 10 стоун 4, кубический см, метры в квадрате, граммы, моль, футы в секунду и многое другое!

мА в А — Преобразование из Миллиампер в Ампер

Миллиампер

Миллиампер (обозначение: мА) является частью основной единицы измерения электрического тока системы СИ — ампера.Он определяется как одна тысячная ампера.

Миллиампер берет свое начало от ампера. Префикс «милли» указывает одну тысячную от базовой единицы, которой она предшествует, в данном случае ампера. Амперу может предшествовать любой из метрических префиксов, чтобы указать единицы нужной величины.

Как часть единицы СИ, миллиампер используется во всем мире, часто для небольших измерений электрического тока. Есть много устройств, которые измеряют единицы в миллиамперах, таких как гальванометры и амперметры, хотя эти устройства не измеряют исключительно миллиамперы.

Ампер

Ампер (символ: A), часто называемый просто ампер, является базовой единицей электрического тока в Международной системе единиц (СИ). Формально ампер определяется как постоянный ток, при котором сила 2 × 10 -7 ньютонов на метр длины будет создаваться между двумя проводниками, где проводники параллельны, имеют бесконечную длину, помещены в вакуум и имеют незначительные круглые сечения. В единицах измерения заряда СИ, кулонах, один ампер определяется как один кулон заряда, проходящий через заданную точку за одну секунду.

Ампер назван в честь Андре-Мари Ампера, французского математика и физика. В системе единиц сантиметр-грамм-секунда ампер был определен как одна десятая единицы электрического тока времени, которая теперь известна как абампер. Размер единицы был выбран таким, чтобы она удобно помещалась в системе единиц метр-килограмм-секунда. Текущее определение ампера существует с 1948 года, но может измениться в ближайшем будущем.

Ампер, как основная единица измерения электрического тока в системе СИ, используется во всем мире почти для всех приложений, связанных с электрическим током.Ампер можно выразить в виде ватт / вольт или Вт / В, так что ампер равен 1 Вт / В, поскольку мощность определяется как произведение тока и напряжения.

Определение некоторых базовых единиц СИ может измениться в ближайшем будущем. Международный комитет мер и весов (CIPM) предложил переопределить некоторые базовые единицы СИ в попытке улучшить систему. Хотя определения некоторых единиц могут измениться, фактический размер единиц останется прежним; изменение определения не окажет большого влияния, если вообще повлияет на повседневное использование этих единиц.

Ампер — одна из единиц, которую необходимо пересмотреть из-за сложности поддержания высокой точности на практике. Предлагаемое новое определение ампера включает использование фиксированного числового значения элементарного заряда 1,602176634 × 10-19, выраженного в кулонах. Это определение также будет основано на повторном определении второго, которое будет определяться как фиксированное числовое значение частоты цезия.

Как преобразовать мА в напряжение


19 декабря 2012 г.

Преобразование мА в напряжение — обычное дело в HVAC при работе с датчиками давления.Терминология, о которой следует помнить, включает:

  • 1 мА = 0,001 AMP (сокращенно от ампер)
  • Ампер обозначается как ТОК
  • Значения резистора указаны в Омах (Ом — обозначение Ом)
  • НАПРЯЖЕНИЕ является результатом прохождения усилителя через резистор

Чтобы преобразовать мА (ток) в напряжение, необходимо пропустить ток через резистор.

Формула напряжения:

E = IR
E обозначает вольт, I обозначает ампер, а R обозначает сопротивление

В схемах управления наиболее распространенными значениями резистора являются 250 Ом и 500 Ом, хотя может использоваться любое значение в зависимости от устройства.

Если в вашей цепи управления используется резистор 250 Ом:
мА Ампер x сопротивление Вольт
4 0,004 x 250 Ом 1
5 0,005 x 250 Ом 1,25
6 0,006 x 250 Ом 1,5
7 0,007 x 250 Ом 1.75
8 0,008 x 250 Ом 2,0
9 0,009 x 250 Ом 2,25
10 0,010 x 250 Ом 2,5
11 0,011 x 250 Ом 2,75
12 0,012 x 250 Ом 3,0
13 0,013 x 250 Ом 3,25
14 0.014 x 250 Ом 3,5
15 0,015 x 250 Ом 3,75
16 0,016 x 250 Ом 4
17 0,017 x 250 Ом 4,25
18 0,018 X 250 Ом 4,5
19 0,019 x 250 Ом 4,75
20 0,020 x 250 Ом 5

Если в вашей цепи управления используется резистор 500 Ом:
мА Ампер x сопротивление Вольт
4 0.004 x 500 Ом 2
5 0,005 x 500 Ом 2,5
6 0,006 x 500 Ом 3
7 0,007 x 500 Ом 3,5
8 0,008 x 500 Ом 4
9 0,009 x 500 Ом 4,5
10 0,010 x 500 Ом 5
11 0.011 x 500 Ом 5,5
12 0,012 x 500 Ом 6
13 0,013 x 500 Ом 6,5
14 0,014 x 500 Ом 7
15 0,015 x 500 Ом 7,5
16 0,016 x 500 Ом 8
17 0,017 x 500 Ом 8,5
18 0.018 x 500 Ом 9
19 0,019 X 500 Ом 9,5
20 0,020 x 500 Ом 10

Нужна помощь в преобразовании чего-нибудь еще? Посетите нашу таблицу преобразования показателей.

Темы: Общепромышленный OEM, Критические среды, Уровень технологического / производственного резервуара, HVAC / R OEM, Вода и сточные воды, Промышленный вакуум, Испытания и измерения, Автоматизация зданий, Барометрический, Медицинский, OHV, Калибровка, Общепромышленное, Альтернативные виды топлива, Нефти и газа, Весы, HVAC / R, Производство полупроводников

Понижающие регуляторы

Micropower | Analog Devices

Некоторые файлы cookie необходимы для безопасного входа в систему, но другие необязательны для функциональной деятельности.Сбор наших данных используется для улучшения наших продуктов и услуг. Мы рекомендуем вам принять наши файлы cookie, чтобы обеспечить максимальную производительность и функциональность нашего сайта. Для получения дополнительной информации вы можете просмотреть сведения о файлах cookie. Узнайте больше о нашей политике конфиденциальности.

Принять и продолжить Принять и продолжить

Файлы cookie, которые мы используем, можно разделить на следующие категории:

Строго необходимые файлы cookie:
Это файлы cookie, которые необходимы для работы аналога.com или предлагаемые конкретные функции. Они либо служат единственной цели передачи данных по сети, либо строго необходимы для предоставления онлайн-услуг, явно запрошенных вами.
Аналитические / рабочие файлы cookie:
Эти файлы cookie позволяют нам выполнять веб-аналитику или другие формы измерения аудитории, такие как распознавание и подсчет количества посетителей и наблюдение за тем, как посетители перемещаются по нашему веб-сайту. Это помогает нам улучшить работу веб-сайта, например, за счет того, что пользователи легко находят то, что ищут.
Функциональные файлы cookie:
Эти файлы cookie используются для распознавания вас, когда вы возвращаетесь на наш веб-сайт. Это позволяет нам персонализировать наш контент для вас, приветствовать вас по имени и запоминать ваши предпочтения (например, ваш выбор языка или региона). Потеря информации в этих файлах cookie может сделать наши службы менее функциональными, но не помешает работе веб-сайта.
Целевые / профилирующие файлы cookie:
Эти файлы cookie записывают ваше посещение нашего веб-сайта и / или использование вами услуг, страницы, которые вы посетили, и ссылки, по которым вы переходили.Мы будем использовать эту информацию, чтобы сделать веб-сайт и отображаемую на нем рекламу более соответствующими вашим интересам. Мы также можем передавать эту информацию третьим лицам с этой целью.
Отклонить файлы cookie Цифровые мультиметры

Лист данных | Tektronix

Особенности и преимущества
Ключевые рабочие характеристики
  • Разрешение 6,5 разряда
  • Базовая погрешность постоянного тока до 0,0024% (1 год)
  • Диапазон напряжения от 100 мВ до 1000 В, с разрешением до 100 нВ
  • Диапазон тока от 100 мкА до 10 А, с разрешением до 100 пА
  • Диапазон от 10 Ом до 1 ГОм, с разрешением до 10 мкОм
  • CAT I 1000 В, CAT II 600 В
Доступные функции и возможности
  • Измерения напряжения, сопротивления и силы тока
  • True RMS (AC, AC + DC) Измерения
  • Тестирование диодов и целостности цепи
  • Измерения частоты и периода
  • Измерения температуры и емкости (DMM4050)
  • 4-проводная методика измерения 2 × 4 Ом
  • Режим безбумажного регистратора данных TrendPlot ™
  • Статистика измерений
  • Режим гистограммы
Возможности подключения
  • Передний и задний измерительные входы 2 × 4
  • Хост-порт USB на передней панели для удобного хранения данных измерений и настроек прибора
  • Порты RS-232, LAN и GPIB на задней панели для быстрого подключения к ПК
  • Включает кабель адаптера интерфейса USB — RS-232
  • Включает ограниченную версию LabVIEW SignalExpress ™ TE от National Instrument для подключения вашего рабочего места
3-летняя гарантия
Многофункциональные инструменты для прецизионных измерений

По мере того, как схемы во встроенных системах становятся все более сложными с более жесткими допусками, вы должны измерять множество различных параметров с высокой степенью точности, чтобы подтвердить свой проект.6.5-разрядные настольные мультиметры Tektronix DMM4050 и DMM4040 объединяют в одном приборе множество различных функций и анализов, причем все с исключительной точностью и производительностью.

Типичные измерения мультиметром — вольт, ом и ампер — выполняются с базовой точностью измерения напряжения постоянного тока до 0,0024% и разрешением 100 пА и 10 мкОм, что обеспечивает производительность, необходимую для современных требовательных конструкций. Вы также можете использовать DMM4050 / 4040 для измерения частоты и периода, а также для проверки целостности цепи и диодов.Для дополнительной гибкости DMM4050 предлагает измерения температуры и емкости. Это позволяет заменить измеритель температуры, измеритель емкости, счетчик, прибор для проверки целостности цепи и традиционный цифровой мультиметр одним универсальным прибором, что позволяет сэкономить место на рабочем столе и сэкономить средства.

Анализируйте свое устройство с помощью режимов графического дисплея

Благодаря уникальному двойному дисплею DMM4050 / 4040 вы можете измерять два разных параметра одного и того же сигнала при одном тестовом соединении. Чтобы выявить проблемы качества сигнала, такие как дрейф, прерывистые переходные процессы и стабильность, вы можете просматривать данные в виде графика тренда в реальном времени или гистограммы в режиме графического отображения DMM4050 / 4040, или вы можете использовать статистику измерений для отслеживания параметров сигнала. меняется со временем.

Режим безбумажного регистратора TrendPlot ™

Отображение графика трендов.

В зависимости от вашего тестового примера параметры вашего сигнала могут изменяться мгновенно. Выполнив несколько измерений в течение минут, часов или дней, вы можете количественно оценить эти изменения. С помощью TrendPlot ™ вы можете графически отобразить тенденцию изменения измеренного значения во времени, от коротких промежутков времени до продолжительных периодов времени. TrendPlot можно использовать для измерения постоянного напряжения, постоянного тока, частоты, сопротивления и температуры.Напряжение и ток переменного тока могут быть отображены как измерения RMS.

Статистика измерений

Пример отчета статистики по минимальным / максимальным / средним / стандартным значениям.

Благодаря встроенной статистической обработке, вы можете рассчитывать как среднее, так и стандартное отклонение измерения, а также отслеживать минимальные и максимальные измеренные значения одним нажатием кнопки. Статистические данные могут выполняться по измерениям постоянного, переменного напряжения, переменного напряжения в дБ, постоянного и переменного тока, сопротивления, емкости, частоты, периода и температуры.

Гистограммы

Отображение гистограммы.

Чтобы графически увидеть среднее значение и стандартное отклонение набора измерений, вы можете использовать функцию гистограммы, чтобы увидеть распределение результатов измерений.

Создан, чтобы упростить вашу работу

Мультиметр DMM4050 / 4040 разработан с учетом простоты использования и знакомой работы, которую вы ожидаете от Tektronix.

Интуитивное управление

Специальные кнопки на передней панели обеспечивают быстрый доступ к часто используемым функциям и параметрам, сокращая время настройки.Вам больше не нужно искать нужную функцию в меню программного обеспечения.

Двойной дисплей

Благодаря уникальному двойному дисплею вы можете измерять два разных параметра одного и того же сигнала при одном тестовом соединении.

Простое хранение данных и подключение к ПК

Порт USB на передней панели позволяет легко сохранять данные измерений и настройки прибора на карту памяти. Или подключитесь к компьютеру через порт LAN, RS-232 или GPIB на задней панели. Кабель адаптера интерфейса USB-RS-232 входит в стандартную комплектацию DMM4050 / 4040, чтобы упростить подключение к USB-порту вашего ПК.

Простые и точные четырехпроводные измерения

Запатентованные разъемные разъемы для функции 2 × 4 Ом позволяют выполнять 4-проводные измерения, используя только два провода вместо четырех. Доступны специальные принадлежности для измерительных щупов, позволяющие установить соединение. Вы получаете отличное разрешение и точность, а также удобство и простоту использования одной пары проводов.

Подключите стенд для интеллектуальной отладки

SignalExpress получает данные от Tektronix DMM4050 и DPO3052.


SignalExpress используется для экспорта данных DMM4050 в Excel.

Легко собирайте, сохраняйте и анализируйте результаты измерений с вашего мультиметра с помощью специальной версии Tektronix Edition программного обеспечения LabVIEW SignalExpress ™ от National Instrument. Каждый DMM4050 и DMM4040 поставляется с бесплатной копией ограниченной версии SignalExpress для базового управления прибором, регистрации данных и анализа. Опциональная версия Professional Edition предлагает более 200 встроенных функций, которые обеспечивают дополнительную обработку сигналов, расширенный анализ, развертку, тестирование пределов и возможности шага, определяемого пользователем.

SignalExpress поддерживает ряд настольных приборов Tektronix * 1 , что позволяет подключить весь испытательный стенд. Затем вы можете получить доступ к многофункциональным инструментам, встроенным в каждый прибор, из единого интуитивно понятного программного интерфейса. Это позволяет автоматизировать сложные измерения, требующие нескольких инструментов, регистрировать данные в течение длительного периода времени, проводить временную корреляцию данных с нескольких инструментов, а также легко собирать и анализировать ваши результаты — и все это с вашего ПК. Только Tektronix предлагает подключенный испытательный стенд интеллектуальных приборов для упрощения и ускорения отладки вашей сложной конструкции.

Производительность, на которую можно рассчитывать

В дополнение к лучшему в отрасли обслуживанию и поддержке, на каждый мультиметр DMM4050 и DMM4040 предоставляется трехлетняя стандартная гарантия.

* 1 NI LabVIEW SignalExpress поддерживает следующие инструменты Tektronix: осциллографы серии MSO / DPO4000 / 3000/2000, осциллографы серии TDS3000C / 2000B / 1000B, генераторы произвольной формы / функций серии AFG3000, цифровые мультиметры серии DMM4050 / 4040/4020.

Нейронная запись и стимуляция с использованием беспроводных сетей микроимплантатов

  • 1.

    Hochberg, L.R. et al. Контроль нейронного ансамбля протезных устройств у человека с тетраплегией. Nature 442 , 164–171 (2006).

    Артикул Google Scholar

  • 2.

    Afshar, A. et al. Единичное испытание нейронных коррелятов подготовки движения руки. Нейрон 71 , 555–564 (2011).

    Артикул Google Scholar

  • 3.

    Truccolo, W., Friehs, G.M., Donoghue, J.P. & Hochberg, L.R. Настройка первичной моторной коры головного мозга на кинематику предполагаемых движений у людей с тетраплегией. J. Neurosci. 28 , 1163–1178 (2008).

    Артикул Google Scholar

  • 4.

    Нурмикко, А.В. и др. Прослушивание микросхем мозга для взаимодействия с внешним миром — прогресс в беспроводных имплантируемых микроэлектронных устройствах нейроинженерии. Proc.IEEE 98 , 375–388 (2010).

    Артикул Google Scholar

  • 5.

    Rubehn, B., Bosman, C., Oostenveld, R., Fries, P. & Stieglitz, T. Гибкая многоканальная матрица ЭКоГ-электродов на основе МЭМС. J. Neural Eng. 6 , 036003 (2009).

    Артикул Google Scholar

  • 6.

    Pistohl, T., Ball, T., Schulze-Bonhage, A., Aertsen, A.И Меринг, С. Прогнозирование траекторий движения рук на основе записей ЭКоГ у людей. J. Neurosci. Методы 167 , 105–114 (2008).

    Артикул Google Scholar

  • 7.

    Jun, J. J. et al. Полностью интегрированные кремниевые зонды для записи нейронной активности с высокой плотностью записи. Nature 551 , 232–236 (2017).

    Артикул Google Scholar

  • 8.

    Маск, Э. и др. Интегрированная платформа интерфейса мозг-машина с тысячами каналов. J. Med. Интернет Res. 21 , e16194 (2019).

    Артикул Google Scholar

  • 9.

    Миранда, Х., Гилья, В., Честек, К. А., Шеной, К. В. и Мэн, Т. Х. HermesD: высокоскоростная система беспроводной передачи данных на большие расстояния для одновременных приложений многоканальной нейронной записи. IEEE Trans. Биомед. Circuits Syst. 4 , 181–191 (2010).

    Артикул Google Scholar

  • 10.

    Бортон, Д. А., Инь, М., Асерос, Дж. И Нурмикко, А. Имплантируемый беспроводной нейронный интерфейс для записи динамики коркового контура у движущихся приматов. J. Neural Eng. 10 , 026010 (2013).

    Артикул Google Scholar

  • 11.

    Инь, М., Бортон, Д. А., Асерос, Дж., Паттерсон, В. Р. и Нурмикко, А. В. 100-канальное герметичное имплантируемое устройство для хронических применений беспроводного нейросенсирования. IEEE Trans. Биомед. Circuits Syst. 7 , 115–128 (2013).

    Артикул Google Scholar

  • 12.

    Simeral, J. D. et al. Домашнее использование беспроводного интракортикального интерфейса мозг-компьютер людьми с тетраплегией. IEEE Trans. Биомед. Англ. 68 , 2313–2325 (2021).

    Артикул Google Scholar

  • 13.

    Сонг, Ю.-К. и другие. Активные микроэлектронные нейросенсорные матрицы для имплантируемых интерфейсов связи с мозгом. IEEE Trans. Neural Syst. Rehabil. Англ. 17 , 339–345 (2009).

    Артикул Google Scholar

  • 14.

    Занос, С., Ричардсон, А. Г., Шупе, Л., Майлз, Ф. П. и Фетц, Э. Э. Нейрочип-2: автономный компьютер с фиксированной головкой для записи и стимуляции свободно ведущих себя обезьян. IEEE Trans. Neural Syst. Rehabil. Англ. 19 , 427–435 (2011).

    Артикул Google Scholar

  • 15.

    Liu, X. et al. PennBMBI: разработка универсальной беспроводной системы интерфейса мозг-машина-мозг. IEEE Trans. Биомед. Circuits Syst. 9 , 248–258 (2015).

    Артикул Google Scholar

  • 16.

    Чжоу, А.и другие. Беспроводное 128-канальное устройство нейромодуляции без артефактов для стимуляции и записи по замкнутому циклу у нечеловеческих приматов. Нат. Биомед. Англ. 3 , 15–26 (2019).

    Артикул Google Scholar

  • 17.

    Сео, Д., Кармена, Дж. М., Рабэй, Дж. М., Махарбиз, М. М. и Алон, Э. Проверка модели непривязанных ультразвуковых частиц нейронной пыли для регистрации коры головного мозга. J. Neurosci. Методы 244 , 114–122 (2015).

    Артикул Google Scholar

  • 18.

    Seo, D. et al. Беспроводная запись в периферической нервной системе с помощью ультразвуковой нейронной пыли. Нейрон 91 , 529–539 (2016).

    Артикул Google Scholar

  • 19.

    Piech, D. K. et al. Беспроводной имплантируемый нейростимулятор миллиметрового диапазона с двунаправленной связью с ультразвуковым питанием. Нат. Биомед. Англ. 4 , 207–222 (2020).

    Артикул Google Scholar

  • 20.

    Jia, Y. et al. Свободно плавающее имплантируемое устройство оптической стимуляции с беспроводным питанием размером в миллиметр. IEEE Trans. Биомед. Circuits Syst. 13 , 608–618 (2019).

    Артикул Google Scholar

  • 21.

    Jia, Y. et al. Двухдиапазонная система беспроводной передачи энергии для оценки имплантатов миллиметрового размера. IEEE Trans. Биомед. Circuits Syst. 13 , 595–607 (2019).

    Артикул Google Scholar

  • 22.

    Gutruf, P. et al. Полностью имплантируемые оптоэлектронные системы для безбатарейных мультимодальных операций в нейробиологических исследованиях. Нат. Электрон. 1 , 652–660 (2018).

    Артикул Google Scholar

  • 23.

    Ho, J. S. et al.Беспроводная передача энергии на микроимплантаты глубоких тканей. Proc. Natl Acad. Sci. США 111 , 7974–7979 (2014).

    Артикул Google Scholar

  • 24.

    Khalifa, A. et al. Микрошарик: имплантируемый беспроводной нейростимулятор 0,009 мм 3 . IEEE Trans. Биомед. Circuits Syst. 13 , 971–985 (2019).

    Артикул Google Scholar

  • 25.

    Yeon, P., Bakir, M. S. и Ghovanloo, M. На пути к 1,1 мм 2 свободно плавающая беспроводная имплантируемая система записи нейронных сигналов. В конференции 2018 IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC) 1–4 (IEEE, 2018).

  • 26.

    Agrawal, D. R. et al. Конформные фазированные поверхности для беспроводного питания биоэлектронных микроустройств. Нат. Биомед. Англ. 1 , 0043 (2017).

    Артикул Google Scholar

  • 27.

    Lee, J. et al. Имплантируемая беспроводная сеть распределенных микромасштабных датчиков для нейронных приложений. В 2019 9-я Международная конференция IEEE / EMBS по нейронной инженерии (NER) 871–874 (IEEE, 2019).

  • 28.

    Lee, J. et al. Беспроводное питание и канал передачи данных для ансамблей имплантируемых датчиков субмиллиметрового масштаба около 1 ГГц. В конференции 2018 IEEE Biomedical Circuits and Systems Conference (BioCAS) 1–4 (IEEE, 2018).

  • 29.

    Leung, V. W. et al.Распределенные микромасштабные мозговые имплантаты с беспроводной передачей энергии и двунаправленной сетевой связью со скоростью Мбит / с. В конференции 2019 IEEE Custom Integrated Circuits Conference (CICC) 1–4 (IEEE, 2019).

  • 30.

    Laiwalla, F. et al. Распределенная беспроводная сеть имплантируемых суб-миллиметровых микростимуляторов коры головного мозга для интерфейсов мозг-компьютер. In 2019 41-я ежегодная международная конференция IEEE Engineering in Medicine and Biology Society (EMBC) 6876–6879 (IEEE, 2019).

  • 31.

    Ha, S. et al. Интегрированные в кремний электрокортикальные интерфейсы высокой плотности. Proc. IEEE 105 , 11–33 (2016).

    Артикул Google Scholar

  • 32.

    Ahmadi, N. et al. К распределенному, хронически имплантируемому нейронному интерфейсу. В 2019 9-я Международная конференция IEEE / EMBS по нейронной инженерии (NER) 719–724 (IEEE, 2019).

  • 33.

    Спилкер Дж.J. Jr. Цифровая связь через спутник (Прентис-Холл, 1977).

  • 34.

    Ан, Д. и Гованлоо, М. Оптимальная конструкция линий беспроводной передачи энергии для биомедицинских имплантатов миллиметрового размера. IEEE Trans. Биомед. Circuits Syst. 10 , 125–137 (2015).

    Артикул Google Scholar

  • 35.

    Фен, П., Маслик, М. и Констандину, Т. Г. ЭМ-линза с улучшенной передачей мощности и многоузловой передачей данных для имплантируемых медицинских устройств.В конференции 2019 IEEE Biomedical Circuits and Systems Conference (BioCAS) 1–4 (IEEE, 2019).

  • 36.

    Theilmann, P. T., Presti, C. D., Kelly, D. J. & Asbeck, P. M. Комплементарный мостовой выпрямитель µW с почти нулевым напряжением включения в SOS CMOS для беспроводных источников питания. IEEE Trans. Circuits Syst. Я, рег. Статьи 59 , 2111–2124 (2012).

    MathSciNet Статья Google Scholar

  • 37.

    Leung, V. W. et al. Система распределенных датчиков CMOS для беспроводных нейронных имплантатов высокой плотности для интерфейсов мозг-машина. В ESSCIRC 2018 — IEEE 44-я Европейская конференция по твердотельным схемам (ESSCIRC) 230–233 (IEEE, 2018).

  • 38.

    Lee, A.-H. и другие. Масштабируемая технология пост-КМОП-обработки с низким напряжением для имплантируемых микросенсоров. Микромашины 11 , 925 (2020).

    Артикул Google Scholar

  • 39.

    Yang, K., Dong, Q., Blaauw, D. & Sylvester, D. 8,3 A 553F 2 Физически неклонируемая функция (PUF) на основе 2-транзисторного усилителя с собственной нестабильностью 1,67%. В 2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 146–147 (IEEE, 2017).

  • 40.

    Сух, Г. Э. и Девадас, С. Физические неклонируемые функции для аутентификации устройства и генерации секретного ключа. В 2007 44-я Конференция по автоматизации проектирования ACM / IEEE 9–14 (IEEE, 2007).

  • 41.

    Huang, J. et al. 0,01 мм 2 в основном цифровой безконденсаторный AFE для распределенных автономных узлов нейронных датчиков. IEEE Solid-State Circuits Lett. 1 , 162–165 (2018).

    Артикул Google Scholar

  • 42.

    Jeong, J. et al. Конформная герметизация имплантируемых микросхем беспроводной микроэлектроники путем нанесения многослойных атомных слоев (ALD). Adv. Funct.Матер. 29 , 1806440 (2019).

    Артикул Google Scholar

  • 43.

    Steriade, M., Contreras, D., Amzica, F. & Timofeev, I. Синхронизация быстрых (30-40 Гц) спонтанных колебаний во внутриталамических и таламокортикальных сетях. J. Neurosci. 16 , 2788–2808 (1996).

    Артикул Google Scholar

  • 44.

    Бриндли, Г.С. и Левин, В. С. Ощущения, вызываемые электрической стимуляцией зрительной коры. J. Physiol. 196 , 479–493 (1968).

    Артикул Google Scholar

  • 45.

    Kim, S. et al. Поведенческая оценка чувствительности к внутрикортикальной микростимуляции соматосенсорной коры приматов. Proc. Natl Acad. Sci. США 112 , 15202–15207 (2015).

    Артикул Google Scholar

  • 46.

    Fi´ath, R. et al. Крупномасштабная регистрация таламокортикальных контуров: электрофизиология in vivo с помощью двумерного кремниевого зонда с электронным контролем глубины. J. Neurophysiol. 116 , 2312–2330 (2016).

    Артикул Google Scholar

  • 47.

    Определение максимальной пространственно-средней удельной скорости поглощения (SAR) в организме человека от устройств беспроводной связи, от 30 МГц до 6 ГГц — часть 3: особые требования к использованию метода конечных разностей во временной области (FDTD) для Расчет SAR мобильных телефонов. МЭК / IEEE 62704-3: 2017 1–76 (2017).

  • 48.

    Стандарт IEEE для уровней безопасности в отношении воздействия на человека радиочастотных электромагнитных полей, от 3 кГц до 300 ГГц. IEEE Std C95.1-2005 (редакция IEEE Std C95.1-1991) 1–238 (2006).

  • 49.

    Шилимкар, В. С., Гаскилл, С. Г. и Вайсхаар, А. Экспериментальная характеристика размещения металлической засыпки и влияние размера на спиральные индукторы. В 2009 18-я конференция IEEE по электрическим характеристикам электронных корпусов и систем 101–104 (IEEE, 2009).

  • 50.

    Сигурдссон, С. А., Ю, З., Ли, Дж. И Нурмикко, А. Метод крупномасштабной имплантации трехмерных ансамблей микроприборов в мозг и мягкие ткани. Микросист. Nanoeng. 6 , 97 (2020).

    Артикул Google Scholar

  • 51.

    Киани, М., Джоу, У.-М. & Гхованлоо, М. Разработка и оптимизация индуктивного соединения с 3 катушками для эффективной беспроводной передачи энергии. IEEE Trans.Биомед. Circuits Syst. 5 , 579–591 (2011).

    Артикул Google Scholar

  • 52.

    Финкенцеллер, К. Справочник RFID: основы и приложения в бесконтактных смарт-картах, радиочастотная идентификация и связь ближнего поля (John Wiley & Sons, 2010).

  • 53.

    Jeong, J. et al. Миниатюрный, удобный для глаз и надежный в течение длительного времени протез сетчатки, изготовленный из монолитного жидкокристаллического полимера (ЖКП). IEEE Trans. Биомед. Англ. 62 , 982–989 (2014).

    Артикул Google Scholar

  • 54.

    Cai, H. et al. Программно-определяемое радио для беспроводной сети мозговых имплантатов. In Proc. 24-я ежегодная международная конференция по мобильным вычислениям и сетям 852–854 (Ассоциация вычислительной техники, 2018).

  • Микроамперные электрические токи за короткое время вызвали повреждение бактериальной мембраны и двустороннюю утечку

    % PDF-1.7 % 1 0 объект > / Metadata 316 0 R / Outlines 2 0 R / Pages 3 0 R / StructTreeRoot 4 0 R / Type / Catalog / Viewer Preferences 5 0 R >> эндобдж 316 0 объект > поток 2020-03-12T08: 40: 42Z2021-08-14T10: 51: 39-07: 002021-08-14T10: 51: 39-07: 00application / pdf

  • Микроамперные электрические токи вызвали повреждение бактериальной мембраны и кратковременную двустороннюю утечку время
  • uuid: 5694cc0b-1dd2-11b2-0a00-fd08275dc400uuid: 5694cc0d-1dd2-11b2-0a00-810000000000 конечный поток эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 105 0 объект > эндобдж 106 0 объект > эндобдж 108 0 объект [128 0 R 129 0 R 130 0 R 131 0 R 132 0 R 133 0 R 134 0 R 135 0 R 136 0 R 137 0 R 138 0 R 139 0 R 140 0 R 141 0 R 142 0 R 143 0 R 144 0 R 145 0 R 146 0 R 147 0 R 148 0 R] эндобдж 109 0 объект [149 0 R 150 0 R 151 0 R 152 0 R 153 0 R 154 0 R 155 0 R 156 0 R 156 0 R 157 0 R 158 0 R 159 0 R] эндобдж 110 0 объект [160 0 R 161 0 R 162 0 R 163 0 R 164 0 R] эндобдж 111 0 объект [165 0 R 166 0 R 167 0 R 168 0 R 169 0 R 170 0 R] эндобдж 112 0 объект [171 0 R 172 0 R 173 0 R 175 0 R 176 0 R 177 0 R 178 0 R 178 0 R 179 0 R 180 0 R 180 0 R 174 0 R] эндобдж 113 0 объект [181 0 R 181 0 R 182 0 R 183 0 R 184 0 R 185 0 R 186 0 R 187 0 R] эндобдж 114 0 объект [188 0 R 189 0 R 190 0 R 191 0 R 192 0 R 193 0 R 194 0 R] эндобдж 115 0 объект [195 0 R 197 0 R 198 0 R 199 0 R 200 0 R 201 0 R 196 0 R] эндобдж 116 0 объект [202 0 R 204 0 R 205 0 R 206 0 R 207 0 R 203 0 R] эндобдж 117 0 объект [208 0 R 210 0 R 211 0 R 212 0 R 213 0 R 214 0 R 209 0 R] эндобдж 118 0 объект [215 0 R 216 0 R 217 0 R 218 0 R 219 0 R] эндобдж 119 0 объект [220 0 R 221 0 R 222 0 R 224 0 R 223 0 R] эндобдж 120 0 объект [225 0 226 р. 0 227 р. 0 228 р.] эндобдж 121 0 объект [229 0 R 230 0 R 231 0 R 232 0 R 233 0 R 234 0 R 235 0 R 236 0 R] эндобдж 122 0 объект [237 0 R 238 0 R 239 0 R 240 0 R 241 0 R 242 0 R 243 0 R 244 0 R 245 0 R 246 0 R 247 0 R 248 0 R 249 0 R 250 0 R 251 0 R 252 0 R 253 0 R 254 0 R 255 0 R] эндобдж 123 0 объект [256 0 R 257 0 R 258 ​​0 R 259 0 R 260 0 R 261 0 R 262 0 R 263 0 R 264 0 R 265 0 R 266 0 R] эндобдж 124 0 объект [267 0 R 268 0 R 269 0 R 270 0 R 271 0 R 272 0 R 273 0 R 274 0 R 275 0 R 276 0 R 277 0 R 278 0 R 279 0 R] эндобдж 125 0 объект [280 0 R 281 0 R 282 0 R 283 0 R 284 0 R 285 0 R 286 0 R 287 0 R 288 0 R 289 0 R 290 0 R 291 0 R] эндобдж 126 0 объект [292 0 R 293 0 R 294 0 R 295 0 R 296 0 R 297 0 R 298 0 R 299 0 R 300 0 R 301 0 R 302 0 R 303 0 R] эндобдж 127 0 объект [304 0 R 305 0 R 306 0 R 307 0 R 308 0 R 309 0 R 310 0 R 311 0 R 312 0 R 313 0 R 314 0 R] эндобдж 304 0 объект > эндобдж 305 0 объект > эндобдж 306 0 объект > эндобдж 307 0 объект > эндобдж 308 0 объект > эндобдж 309 0 объект > эндобдж 310 0 объект > эндобдж 311 0 объект > эндобдж 312 0 объект > эндобдж 313 0 объект > эндобдж 314 0 объект > эндобдж 107 0 объект > эндобдж 25 0 объект > / MediaBox [0 0 612 792] / Parent 3 0 R / Resources> / Font> / ProcSet [/ PDF / Text] >> / StructParents 19 / Tabs / S / Type / Page >> эндобдж 317 0 объект [321 0 R] эндобдж 318 0 объект > поток HWr8} W & xg ** IĮL $ ڒ i.
    Разное

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *