Диод рсн что это: что это такое и какая у него должна быть температура

Содержание

что это такое и какая у него должна быть температура

Программы мониторинга аппаратной среды компьютера, такие, как AIDA64 и HWiNFO, показывают много интересного, но, к сожалению, не всегда понятного. И больше всего вопросов вызывает показатель «Диод PCH».

Диоды, как мы знаем из школьного курса физики, это такие радиоэлементы с односторонней проводимостью, которые используют в схемотехнике электронных устройств. Разновидностей диодов целая куча: светоизлучающие, лазерные, микроволновые, инфракрасные, германиевые, кремниевые, тиристоры, стабисторы, варикапы… Но ни в одном справочнике радиодеталей вы не найдете диода PCH. Тем не менее, он есть в вашем компьютере и выполняет очень важную функцию. Итак, разберемся, что такое диод PCH, зачем следить за его температурой и о чем говорит ее повышение.

Неусыпный «часовой» и его подопечный

Не буду томить: диод, точнее, термодиод PCH – это обобщенное название датчика температуры чипсета (системной логики) материнской платы компьютера в программах мониторинга. Его значение отражает уровень нагрева этого узла в реальном времени. Обобщенным же понятие «диод PCH» является потому, что функции температурных датчиков могут выполнять другие элементы, например, термотранзисторы, а PCH – не всегда PCH в его исконном значении: так обозначают лишь один из существующих видов чипсета, а вовсе не все.

PCH (Platform Controller Hub) – это элемент системной логики производства Intel, который управляет работой основной массы структур материнской платы. В его «епархию» входят контроллеры шин USB, SMBus, PCI-Express, LPC, SATA, периферийных устройств, RAID, часы реального времени и т. д. Словом, он управляет всем за исключением графики и памяти, которыми на современных платформах заведует центральный процессор.

Аналог PCH марки AMD называется FCH (Fusion Controller Hub), а марки nVidia – MCP (Media and Communications Processor).

На старых материнках (выпущенных до 2008 г. для процессоров Intel и до 2011 г. для AMD) системная логика разделена на 2 части – северный (MCH по классификации Intel) и южный (ICH) мосты. Первый отвечает за память и графику, второй – за периферию и остальное. После «упразднения» северных мостов южные стали называть просто хабами платформы или PCH (FCH, MCP).

На материнских платах с двухчиповой логикой диод PCH показывает температуру южного моста.

На платах ноутбуков на базе Intel Core 4-го поколения и новее чипсет и вовсе отсутствует как отдельный элемент – теперь его размещают на одной подложке с процессором.

Температура PCH: какой она должна быть

Максимально допустимая температура на кристалле процессора обычно указывается в его спецификации на сайте производителя. Параметр называется T_JUNCTIONили T _J_max.

Однако в спецификациях ICH/PHC, а тем более чипсетов AMD и NVidia ничего подобного не найти. Точную информацию о температурных режимах этих узлов можно узнать лишь из их datasheet (описательных документов электронных устройств), которые не всегда есть в открытом доступе и довольно сложны для восприятия.

В частности, вот данные из datasheet чипсета Intel 8/C220 Series Chipset Platform Controller Hub:

Согласитесь, простому пользователю читать такие вещи неинтересно, поэтому для определения температурного максимума чипсета своего компьютера принято поступать проще – ориентироваться на T_JUNCTIONпроцессора того же поколения.

Например, если T_JUNCTION мобильного CPU Intel Core i5-6440HQ (микроархитектура Skylake) составляет 100°C, то и PCH Intel HM170 (тоже Skylake) выдержит температуру примерно 100°C.

Максимальная температура кристаллов процессоров в съемных корпусах в среднем на 10-15 градусов ниже, чем в несъемных, а десктопных – ниже, чем мобильных того же поколения. Чипсеты, которые выпускаются только в несъемных корпусах (BGA, FCBGA), могут выдерживать бОльшую температуру, нежели «родственные» им съемные процессоры.

А если обобщенно, то нормальный показатель температуры диода PCH ноутбуков составляет 45-70°C, стационарных ПК – 30-60°C. Кратковременные подъемы до более высоких цифр при активной нагрузке тоже являются нормой.

Нужно ли охлаждать чипсет

Исправные элементы системной логики при обычной работе и нормальном охлаждении компьютера практически никогда не нагреваются до максимума. Их тепловая мощность (TDP) в 10 и более раз ниже того же показателя у процессоров, поэтому производители материнских плат и ноутбуков даже не всегда устанавливают на них радиаторы.

Если чипсет вашего компьютера не имеет никаких элементов охлаждения, то, скорее всего, он в нем не нуждается. Но в отдельных случаях всё же стоит подумать о мерах по усилению теплоотвода от этого узла:

Если у вас нет возможности регулярно чистить внутренние части ПК или ноутбука от пыли либо если аппарат конструктивно имеет недостаточно эффективный теплоотвод.
Если хаб платформы расположен очень близко к жесткому диску. Диску, в отличие от чипсета, дополнительный нагрев может повредить.
Если термодатчик PCH постоянно показывает температуру выше нормы или близкую к ее верхнему порогу, и это сопровождается признаками перегрева системы – шумом кулера, тормозами и зависаниями при отсутствии значимой нагрузки на процессор и память.
Если чипсет находится прямо под клавиатурой ноутбука. Такое расположение опасно не столько перегревом, сколько механическим повреждением кристалла при нажатии на клавиши.

Для охлаждения чипсета десктопных материнских плат обычно достаточно радиатора и/или дополнительного корпусного вентилятора. Если теплоотводу от PCH мешает плата расширения, например, видеокарта, то последнюю придется установить в другой слот.

С ноутбуками сложнее. На них в качестве радиатора PCH можно использовать тонкую медную пластину (наборы пластин разной толщины продаются в интернет-магазинах), а если свободного места над чипом нет совсем, то теплопроводящую графитовую пленку.

На кристаллы чипов, расположенных со стороны клавиатуры, достаточно положить мягкую термопрокладку подходящей толщины – такой, чтобы она заполняла зазор между кристаллом и основанием клавиатуры, которое и будет служить чипсету радиатором.

Постоянно высокая температура PCH: что означает и чем опасна

Если показатели диода PCH постоянно или большую часть времени превышают норму либо приближаются к ее верхней границе, то имеет место одна из следующих ситуаций:

Компьютер недостаточно охлаждается. Это несложно распознать по типичным признакам перегрева (перечислены выше) и высоким значениям температур других узлов, в частности, процессора и накопителей.
Чипсет испытывает повышенную нагрузку из-за подключения и одновременного использования большого количества периферийных устройств. Для проверки этой версии достаточно отключить часть периферии и проследить, как изменятся показатели нагрева PCH.
Нагрузка на чипсет возросла после установки на компьютер операционной системы с более высокими требованиями. Так, владельцы относительно старых ПК и ноутбуков некоторое время назад писали на форумы, что после обновления Windows 7 до Windows 10 средняя температура диода PCH и процессора выросла на несколько градусов.
Термодиод PCH передает ложные значения из-за неисправности или неверной интерпретации этих данных программой мониторинга. Если есть сомнения в точности показателей, перепроверьте их в другой программе. В качестве термометра можно использовать и собственный палец, но не без риска получить ожог.
Периферийное устройство или порт, к которому оно подключено, неисправны. Либо неисправен сам чипсет. Это наиболее неблагоприятный вариант из всех возможных. В подобных случаях наряду с повышением температуры PCH имеют место симптомы неполадки узла, в котором возникла проблема. Например, не работает одно из гнезд USB или при подключении наушников к разъему аудио компьютер начинает резко тормозить. При значительных дефектах хаба аппарат может и вовсе не включаться, не проходить инициализацию, не выводить изображение на экран и т. д. Неисправный хаб платформы может нагреваться до значительных температур даже раньше, чем будет нажата кнопка включения компьютера – от дежурного питания, которое подается на плату при подключении к источнику энергии.

Посадочное место PCH на Boardview мобильной материнской платы

А теперь самое главное: может ли чипсет выйти из строя от одноразового перегрева или постоянной работы при повышенной температуре? Теоретически это возможно, однако на практике почти не встречается, поскольку крупные микросхемы – процессоры, графические чипы и системная логика, имеют встроенную систему термозащиты. При достижении критического порога нагрева они начинают сбрасывать тактовую частоту (thermal throttling), а если температура продолжает расти – отключаются. В случае перегрева системы первой обычно срабатывает термозащита процессора, поскольку он выделяет больше тепла.

От постоянной работы в условиях «парилки» скорее выйдут из строя элементы питания чипсета, чем он сам. Ведь в отличие от «питомца», они не имеют температурной защиты, а нагреваться могут весьма и весьма. Практически все случаи повреждения хабов и южных мостов связаны не с температурой, а с электрическими пробоями по линиям USB или других периферийных устройств и компонентов материнской платы.

Тестирование чипсета на стабильность под нагрузкой

Проверка работоспособности чипсета под нагрузкой помогает выявить скрытые неполадки системы, в том числе связанные с недостаточным охлаждением этого узла. Для ее проведения удобно использовать бесплатную утилиту OCCT. Она несложна в применении и выдает довольно точные и наглядные результаты.

OCCT содержит несколько наборов тестов для оценки состояния всех основных узлов компьютера. Средства тестирования системной логики входят в состав «Большого набора», который также включает инструменты проверки процессора и памяти.

Ошибки в ходе выполнения большого набора указывают на нестабильное состояние какого-либо из этих устройств. Подтвердить или опровергнуть версию виновности чипсета поможет последующий запуск среднего набора тестов, который нагружает только процессор и память.

Запускать утилиту ОССТ на ноутбуках следует с осторожностью и при полной уверенности в хорошем охлаждении аппарата.

Порядок тестирования:

Завершите работающие программы и сохраните открытые документы.
Выберите в настройках утилиты вид теста «OCCT» и режим «Большой набор», остальные параметры оставьте по умолчанию.
В разделе «Расписание теста» укажите длительность проверки. Оптимальное время составляет 1 час.
Нажмите копку запуска и наблюдайте за состоянием системы. Графики нагрузки, температур и других показателей отображаются в главном окне утилиты.

Во время тестирования важен непрерывный визуальный контроль. При первых признаках нестабильности, например, мерцании экрана, зацикливании звука и других неестественных симптомах проверку следует остановить, а тест считать не пройденным. И напротив, тест, пройденный без ошибок, указывает на то, что главные узлы вашего компьютера, включая чипсет, в порядке и высокая нагрузка им не страшна.

Что такое ЦП, ГП и PCH диод в AIDA64 и какая должна быть температура

Существует немало физических явлений, приводящих к выделению тепла. Трение в двигателях внутреннего сгорания – достаточно показательный пример, но не менее часто с этим сталкиваются и владельцы настольных ПК и ноутбуков. Практически вся современная электроника основана на использовании таких компонентов, как диоды или транзисторы, которые могут сильно греться, невзирая на отсутствие механической работы. Их перегрев приводит к таким нежелательным последствиям, как зависания или самопроизвольная перезагрузка ПК, что сильно затрудняет, а в некоторых случаях делает невозможной работу за компьютером.

Поэтому так важно иметь удобный инструмент контроля над температурой главных источников перегрева – центрального и графического процессора, а также чипсета материнской платы. Популярнейшая утилита AIDA64 – один из таких инструментов, позволяющий в режиме реального времени производить замеры многих аппаратных компонентов компьютера, тестировать быстродействие ЦП, памяти, дисковой подсистемы, видеокарты и выполнять ряд других действий. Для этого используются встроенные в железо датчики, представляющие собой термотранзисторы, значение проходящего тока через которые зависит от температуры.

Как интерпретировать параметр ЦП диод в AIDA64

Как несложно догадаться, ЦП диод AIDA64 – это температурная характеристика нагрева центрального процессора. Увидеть показания этого датчика несложно – во вкладке «Компьютер» утилиты имеется пункт «Датчики», нажав на который, вы сможете в правом блоке просмотреть температуры всех сильно греющихся компонентов компьютера. Но, кроме степени нагрева самого ЦП или даже его отдельных ядер, в этом списке может присутствовать параметр «диод ЦП». И при этом его показания могут отличаться от температуры CPU. Расхождение в несколько градусов считается нормальным явлением, поскольку датчик «диод ЦП» встроен в сам процессор, а те датчики, которые измеряют температуру центрального процессора, физически расположены под ним, непосредственно в сокете.

На какую температуру следует ориентироваться? На ту, которая указана в AIDA64 без приставки «диод». Считается, что ЦП диод менее стабилен. Это значит, что если разница между показателями велика, следует доверять температуре процессора, а не диода. Последний может «глючить» в силу следующих причин:

физической неисправности;
утилита AIDA64 интерпретирует данные, поступающие с датчика, неверно;
наконец, датчик может просто отсутствовать (встроенный в процессор температурный диод устанавливается только в изделиях AMD, в ЦП от Intel имеются только подсокетные датчики), и тогда «Аида64» будет показывать вообще непонятно что.

За что отвечает параметр «диод ГП» в AIDA64

Имеется температурный датчик и на видеокарте, вернее, на её процессоре. И поскольку он часто работает с не меньшей нагрузкой, чем центральный процессор, то тоже склонен сильно нагреваться. В некоторых случаях нагрев становится критически большим, что приводит к сильному торможению работы компьютера, к его зависанию или уходу в перезагрузку. Особенно часто такое бывает летом, когда в помещении отсутствует вентиляция и воздух прогревается до 28-30°С. Часто такие же проблемы испытывают любители «серьёзных» компьютерных игр.

Значит ли это, что если диод ГП в AIDA64 показывает температуры под 100 градусов, то это может привести к выходу из строя GPU или видеокарты? По большому счёту переживать по этому поводу не стоит, поскольку здесь имеется встроенная защита от перегрева, которая не даст сгореть графическому процессору. Но сами по себе зависания и перезагрузки – вещь довольно неприятная, к тому же постоянный перегрев отрицательным образом сказывается на ресурсе электронных компонентов.

Что такое диод PCH в AIDA64

Наряду с датчиками, измеряющими температуру центрального и графического процессора, имеется их аналог, предназначенный для мониторинга температуры чипсета.

Сам термин PCH расшифровывается как Platform Controller Hub, и под ним следует понимать элемент системной логики, отвечающий за согласованность функционирования разных элементов материнской платы – шин USB, SATA, периферийных устройств, контроллера RAID, системных часов и т. д. Словом, PCH ответственен за работу всего железа, за исключением GPU и памяти, которыми «заведует» центральный процессор. Это означает, что чипсет также подвержен нагреву, и термодиод PCH как раз и предназначен для мониторинга его температурных показателей. Правда, PCH – термин, используемый только в материнских платах от Intel, в motherboard от AMD присутствует аббревиатура FCH (вместо Platform применяется термин Fusion), а в «материнках» от nVidia этот элемент системной логики называется MCP (расшифровывается как Media & Communications Processor). Но в утилите AIDA64 все они имеют одинаковое наименование – диод PCH.

Но и это не всё: на устаревших материнских платах системная логика включала два моста, северный и южный, и именно второй отвечал за периферию, так что на таких «материнках» диод PCH мониторит температуру южного моста.

ВНИМАНИЕ. На MB современных ноутбуков с процессорами Intel Core четвёртого поколения чипсет РСН и вовсе отсутствует, поскольку его удалось «втиснуть» на процессорную подложку.

Какие температуры следует считать нормальными

Никаких конкретных значений мы, увы, предоставить не в состоянии. Мало того, что у разных производителей нормы тепловыделения электронными компонентами могут различаться, так и ещё в пределах разных линеек процессоров или чипсетов предельно допустимая температура может иметь разные верхние пределы. Для каждого конкретного наименования максимально допустимый диапазон температур указывается в спецификации продукта на официальном сайте. Обычно этот параметр называется TJUNCTION и касается либо центрального, либо графического процессора. Так, для ЦП Core i5-6440HQ (мобильный вариант, базирующийся на микроархитектуре Skylake) TJ равен 100°C. И если в AIDA64 «диод ЦП» имеет величину, близкую к этому уровню, центральный процессор определённо перегревается.

Но что касается РСН, то в спецификациях этого показателя вам найти не удастся. Если вы хорошо разбираетесь в техническом английском и знаете, где искать, то, вероятно, сможете найти искомое значение в описательных документах для конкретных чипов, но даже они не всегда имеются в свободном доступе. Поэтому принято считать допустимой температурой для РСН максимальную температуру центрального процессора в пределах одной архитектуры.

ВНИМАНИЕ. Кристалл CPU или GPU, заключённый в съёмный корпус, обычно имеет температурный максимум примерно на 10-15 градусов ниже, чем у аналогов в несъёмном корпусе. Это же утверждение справедливо для десктопных вариантов по сравнению с ноутбучными.

Обобщая вышесказанное, можно говорить, что для ноутбуков нормальной температурой ЦП, ГП или РСН считается показатель 45-70 градусов, для обычного настольного ПК – 30-60 градусов. Кратковременные превышения номинальных температур также не считается отклонением от нормы.

Способы предотвращения перегрева

Если с помощью AIDA64 вы выяснили, что ваш компьютер перегревается, какие шаги можно предпринять, чтобы исправить ситуацию?

Чаще всего причиной повышения температуры является загрязнение системного блока пылью, особенно для бюджетных вариантов корпусов, где вопросам защиты от загрязнений уделяется минимум внимания. Так что профилактическая чистка системника – непременное условия содержания ПК в нормальном состоянии. Десктопный компьютер можно почистить и самостоятельно, и делать это нужно 1-2 раза в год. С ноутбуком сложнее, но в принципе любой сервисный центр выполняет такую процедуру за умеренную плату.

Точно так же следует поступать в случае высыхания термопасты, которое случается в силу естественных причин. Если вы знаете, как снять и затем установить чип на своё штатное место, можете обновить термопасту и самостоятельно.

Наконец, система охлаждения вашего компьютера может перестать справляться со своими задачами, особенно если вы производили апгрейд железа (ставили более мощный ЦП или ещё один жёсткий диск). В этом случае можно посоветовать установить дополнительный кулер.

Летом при условии соблюдения правил ТБ можно работать с открытой крышкой системного блока, который в любом случае не должен устанавливаться возле открытых источников тепла.

Диод pch что это? | HelpAdmins.ru

Многие пользователи при мониторинге температур своего компьютера или ноутбука, например всеми любимой программой Aida64, обращают внимание на присутствие некого элемента под названием диод pch для которого также выводится температура.

Температуры компонентов ПК в программе Aida 64

И здесь возникает вполне уместный вопрос – что это за диод pch и какая у него должна быть температура. Ведь в большинстве ноутбуков и компьютеров значение температуры для него отображается в районе 70 градусов, что, на первый взгляд, может показаться много повышенным значением.

Что из себя представляет диод pch?

Под таким обозначением в программах мониторинга температур обычно значится северный мост. Представляет он из себя отдельный чип на материнской плате, который отвечает за работу процессора с оперативной памятью и видеокартой.

Радиатор на материнской плате ПК, под которым находится северный/южный мост

В некоторых модификациях северный мост объединен с южным мостом и/или видеокартой в одном чипе.

Мосты и видеокарта материнской платы ноутбука

Таким образом диод pch является очень важным элементом материнской платы, который при выходе из строя сделает невозможной работу и запуск компьютера.

Какая должна быть температура у диода PCH?

Конечно же самый правильный ответ на данный вопрос – чем ниже, тем лучше. Но в большинстве компьютеров и ноутбуков он греется до 70-75 градусов. И это в принципе можно считать нормальной его температурой.

При превышении значения в 75 градусов стоит задуматься о чистке вашего компьютера или ноутбука от пыли. В ноутбуках очень часто между радиатором охлаждения и северным/южным мостом находится термопрокладка, которую при чистке ноутбука нужно менять.

В системном блоке проблема с перегревом диода PCH решается установкой дополнительного кулера охлаждения.

Установка дополнительного кулера на радиатор северного моста

Последствия перегрева диода PCH?

Длительный перегрев северного моста (Диода PCH) приводит к деградации данного чипа. Симптомами этого процесса является черный экран при включении ноутбука/компьютера.

Замена северного моста в ноутбуке стоит примерно 60-70$ в зависимости от модели. На материнских платах ПК его замена нецелесообразна в виду сопоставимой стоимости данной процедуры со стоимостью новой материнской платы.

Что такое диод PCH в AIDA64

Здесь обсуждается узкий круг вопросов, обозначенных в названии темы.

Вопросы, ответы и отзывы должны быть сформулированы точно и лаконично. Перед тем, как задать вопрос, настоятельно рекомендуем измерить температуры комплектующих.

Развернутые суждения, выходящие за пределы решения конкретных практических задач, не приветствуются и могут быть отредактированы или удалены.

Вопросы, не имеющие отношения к этой теме обсуждают в специальных темах. На конференции есть поиск, с помощью которого Вы можете найти подходящую тему.

Оффтопик (offtopic), не оформленный специальными тегами, может быть удалён без предварительного предупреждения.

Частные вопросы, не представляющих интерес для большинства посетителей форума, а также вопросы к администрации, следует обсуждать в приватных темах.

Hot Trip Point should be set to throttle at 108 °C (Tj,max) due to DTS trim accuracy
adjustments. Hot trip points should alsobe programmed for a software response.

Catastrophic Trip Point should be set to halt operation to avoid maximum Tj
of about 120°C.

Греется диод PCH

HP Envy m6-1272er, греется диод PCH
здравствуйте. имеется данный ноутбук. почти сразу после покупки заметил, что греется корпус слева.

Диод PCH обжигает, ноутбук тормозит
Ноутбук Dell Inspiron 3521. Начал греться диод PCH, даже в режиме простоя ноутбук теплый, диод.

Aser 5551g фиолетовый диод батареи
Здравствуйте, принесли aser 5551g. горит индикатор батареи фиолетовым цветом (возможно красный +.

AsRock B85M-HDS температура диод PCH
Добрый день ув. форумчане. Собрал себе новый компьютер и не могу понять температура в норме или.

Греется Диод ГП на видюхе NVIDIA GeForce GT 545 (3ГБ)
Всем привет.Купил комп QuadCore Intel Core i5-2310, 3000 MHz (30 x 100) и столкнулся с проблемой.

Какая температура компонентов железа может считаться нормальной

К ак правило, все машины и механизмы имеют свойство нагреваться в процессе работы и компьютеры не являются исключением. А ещё они могут перегреваться, что нередко приводит к сбоям, неполадкам и даже физическим повреждениям компонентов. Чаще всего перегрев компьютеров происходит по причине плохо работающей системы охлаждения и накопления пыли в корпусе, но также эта беда может приключиться при повышенных нагрузках, особенно в жаркую летнюю погоду.

Чтобы избежать неприятных последствий, важно уметь определять признаки перегрева. Только вот как это сделать правильно?

Для мониторинга температуры компонентов железа правильнее всего использовать специальные утилиты, получающие данные с температурных датчиков, но также следует обращать внимание на внешние признаки, основными из которых являются:

• Заметное снижение общей производительности, зависания
• Самопроизвольное завершение работы приложений с выходом на рабочий стол
• Самопроизвольное выключение или перезагрузка компьютера
• Появление помех на экране
• Выход в BIOS с просьбой проверить охлаждение
• Необычно сильный шум вентиляторов

Но лучше, конечно, не ждать их появления. Как уже было сказано, для замера температуры нужно использовать специализированные утилиты. Правда, подобных инструментов в интернете пруд пруди и далеко не все они показывают одну и ту же информацию, поэтому у пользователя может возникнуть вполне обоснованный вопрос: а какая из этих утилит наиболее адекватна?

На наш взгляд таковой является AIDA64 — мощный диагностический инструмент компьютерного железа. К слову, помимо замера температуры, эта программа умеет делать массу других вещей, начиная от предоставления подробнейшей информации о системе и заканчивая проведением тестов процессора и оперативной памяти. Но в данном конкретном примере нас интересует измерение температуры. Найти температурные показатели процессора, отдельных ядер, видеокарты и её памяти, диода PCH (южного моста), жёсткого диска и чипсета материнской платы.

Нормальные и критические показатели

• Для процессора либо отдельных его ядер нагрев до 40-50°C при средней нагрузке считается нормальным, а до 55°C — допустимым. Температура 60-65°C является потенциально опасной, 70-80°C — критической, при которой возможны серьёзные нарушения в работе компьютера, в частности, падение в BSOD, автозавершение работы приложений и самопроизвольная перезагрузка компьютера.

• С видеокартами немного сложнее, так как здесь всё зависит от моделей и их предназначения. При средней и высокой нагрузке видеокарты последних моделей могут разогреваться до 60-65°C и это вполне нормально, тогда как для старых моделей такая температура уже будет считаться близкой к критической. Признаками перегрева видеокарты обычно являются артефакты — искажение изображения, появление на экране полос, квадратов, изменение цветовой гаммы и т.п.

• Для большинства жёстких дисков HDD нормальной температура считается в 30-35°C, 40-43 по Цельсию это уже повышенная, выше 45-50°C — критическая, при которой возможны появления сбоев при чтении/записи и бад-секторов на магнитной поверхности диска.

• Оптимальной температурой чипсета материнской платы считается 30-40°C, на некоторых моделях он может разогреваться до 50 градусов. В целом же с перегревом этого компонента приходится сталкиваться редко, поэтому особого внимания уделять ему мы не будем.

Да, ещё в AIDA64 есть такой замечательный инструмент как «Тест стабильности системы», позволяющий получить данные о температуре всех основных компонентов компьютера под стопроцентной нагрузкой. Находится он в меню Сервис и представляет собой отдельное окошко, в котором нужно выставить все галочки и нажать «Start». Далее вам останется только наблюдать за данными мониторинга.

По большому счёту это всё, что нужно знать о температуре железа вашего компьютера. Что касается методов борьбы с перегревом, то на этот счёт сказано предостаточно. Установка более качественных систем охлаждения и регулярная чистка от пыли — обычно этого бывает достаточно, чтобы обеспечить приемлемый температурный режим.

Что такое диод PCH в AIDA64

Во первых спасибо, притом огромное несколько волнуюсь, а ответа нет!

Системная плата Gigabyte H55 / H55M / H57M / P55 / P55A / P55M Series

Во вторых в биосе включена опция CPU Warning Temperature,
70° C /158° F./ CPU Warning Temperature/Enabled/

я так понимаю при т выше 70 процессор должен выключить блок питания или к южному мосту это не относится.

У него что, в биосе, нельзя включить защиту от перегрева ( для южного моста)?

Тип датчика ITE IT8720F (ISA 290h)
Тип датчика ГП Diode (NV-Diode)

Системная плата Gigabyte H55 / H55M / H57M / P55 / P55A / P55M / Q57M Series

Температуры
Системная плата 45 °C (113 °F)

Греется диод PCH

(Страница 1 из 2)

Страницы 1 2 Далее

Чтобы отправить ответ, вы должны войти или зарегистрироваться

Сообщений [ с 1 по 25 из 43 ] Просмотров: 6 894

1 Тема от v222os22 14.01.2017 17:19:03 (3 года назад)

v222os22
Участник
Автор темы
Неактивен

Стаж: 6 лет 9 месяцев
Сообщений: 6 223
Репутация : [ 106 | 0 ]

Тема: Греется диод PCH

это в простое,в играх естественно печь

юсб все целые,ТО проведено.в чем может быть беда?как лечить?

2 Ответ от Approximator 14.01.2017 17:26:00 (3 года назад)

Approximator
Участник
Неактивен

Откуда: Питер
Стаж: 11 лет 8 месяцев
Сообщений: 4 040
Репутация : [ 155 | 0 ]

Re: Греется диод PCH

https://ru.wikipedia.org/wiki/Platform_Controller_Hub
Грубо говоря, это южник.
Что делать? Варианты: менять охлаждение на нем вообще (если реально горячий), заменить термопрокладку, обеспечить охладу за счет корпусных вентилей.

3 Ответ от v222os22 14.01.2017 17:38:31 (3 года назад)

v222os22
Участник
Автор темы
Неактивен

Стаж: 6 лет 9 месяцев
Сообщений: 6 223
Репутация : [ 106 | 0 ]

Re: Греется диод PCH

Approximator, да то что южник я догадывался..
прокладок вообще не было,только паста.пасту заменил.
при ТО заметил что система охлаждения распределена на 3 чипа,проц,видео и еще что-то.так вот это что-то охдлада накрывает,но пасты там не было и прокладки тоже.почему так хз

может до меня вытащили,но на всякий я пастой помазал
а отчего нагрев идет понять не могу

4 Ответ от Approximator 14.01.2017 17:52:02 (3 года назад)

Approximator
Участник
Неактивен

Откуда: Питер
Стаж: 11 лет 8 месяцев
Сообщений: 4 040
Репутация : [ 155 | 0 ]

Re: Греется диод PCH

v222os22, так это ноут?

Ясно, тогда о замене охлады речи нет, к сожалению.
Они сами по себе могут быть охрененно горячими(((
Помимо всего прочего

Отредактировано Approximator (14.01.2017 17:52:30, 3 года назад)

Диод pch в AIDA64 (АИДА64)

Любой компьютер, вне зависимости от его производителя состоит из различных компонентов. Все эти компоненты в процессе работы нагреваются. Особенно учитывая возрастающую мощность последних процессоров от Intel и AMD. Если установленные внутри системы охлаждения чипов работают исправно, тогда вычислительное устройство работает в штатном режиме и без перебоев. В этой статье мы разберём что такое диод pch в Aida64.

Однако даже самой надежной и дорогой технике с течением времени свойственно ломаться. Зачастую стационарный компьютер начинает сбоить или даже может выйти из строя из-за перегрева процессора, видеокарты и других элементов. Поломка компьютера вследствие перегрева внутренних компонентов может привести к потере данных. А значит и к потере финансовых средств. А потому любому владельцу ПК необходимо своевременно следить за тем, чтобы рабочая температура чипов этого изделия была в пределах нормы.

Тем не менее, далеко не все пользователи компьютеров знают, каким образом можно следить за температурным режимом своего устройства. Ниже вы узнаете об известной и многофункциональной программной утилите aida64. Посредством которой вы сможете нивелировать возможность поломки компьютера.

Инсталляция программы Aida64

Скачать системную утилиту Аида 64 вы можете бесплатно с нашего сайта, по ссылке выше. Существует несколько модификаций программы aida64, а именно:

Экстрим-модификация. Эта версия программы относится к одной из самых эффективных для диагностики вашего компьютера. Благодаря использованию данного программного продукта у вас появляется возможность выявить проблемные места и неисправности;
Бизнес-модификация. В этой версии программы внедрена возможность работы в сетях. Оптимально подойдет для небольших предприятий, нуждающихся в постоянном мониторинге сети;
AIDA64 Engineer.Бизнес версия, предназначенная для инженеров, которые тестируют и или разрабатывает системные узлы компьютера;
AIDA64 Network Audit. Сетевая модификация программы и используется разработчиками сетей.

Помимо вышеперечисленных сборок существуют версии Аида 64, рассчитанные на работу в мобильных устройствах, функционирующих под управлением операционных систем Windows, iOS и Android.

Важно! Программным продуктом Aida64 можно пользоваться бесплатно в течение 30 дней. В дальнейшем вы должны будете заплатить за утилиту.

Загрузить программу на свой компьютер вы можете в двух форматах инсталлируемых файлов:

Самоустанавливающийся пакет EXE.
Переносимый пакет ZIP.

В первом случае для установки программы вам необходимо будет загрузить самораспаковывающийся пакет установки. Затем запустите его. При полной загрузке переносимого ZIP пакета его нужно будет распаковать и запустить файл aida64.exe. После чего, программа установиться на ваш компьютер.

Особенности слежения за температурой компонентов компьютера в Aida64

После того, как вы запустите программу Аида 64 на своём компьютере, у вас появиться возможность следить за температурой разных чипов посредством диода pch. В большинстве случаев неискушенный пользователь не сможет понять, что такое диод рсн в aida64 и для чего он используется. Давайте подробно разберёмся в этом вопросе.

Что такое цп диод в Aida64

Диод представляет собой полупроводниковый прибор, обладающий электрической проводимостью в одну сторону. Такие радиоэлементы используются в различных по своему функциональному назначению бытовых приборах.

Между собой диоды делятся на разные виды. Однако, в любых каталогах или справочниках, в которых перечисляются виды диодов, вы не сможете обнаружить pch диод. Тем не менее, диод pch в aida64 существует. Он обозначает датчик системной логики, который передает показания температуры различных узлов компьютера программе.

Теперь мы можем перейти к рассмотрению того, как в программе аида64 отслеживать температуру важных узлов компьютера. Для этого вам нужно в главном меню программы перейти на вкладку “Компьютер- Датчик”. После этого перед вами появится окно, в котором можно наблюдать температуру разных компонентов вашего компьютера.

В каждом компьютере центральный процессор выполняет очень важную роль и в процессе своей работы он постоянно обрабатывает информацию. Поэтому у вас может возникнуть вопрос: “Цп диод aida 64 что это такое?” – это системный датчик, посредством которого вы можете в режиме реального времени следить за температурой центрального процессора. Немаловажную роль в современных компьютерах, особенно для геймеров играет графический ускоритель. Последние модели таких чипов оснащаются водяным охлаждением.

Данное техническое решение продиктовано тем, что при больших нагрузках видеокарта сильно нагревается и охлаждение с помощью кулера становится не эффективным. Поэтому геймерам и другим пользователям важно знать: что такое диод гп в aida64. Именно ГП диод снимает текущую температуру графического процессора и передает это значение программе aida 64.

Частота использования программы Аида 64

Безусловно, использование программы Аида 64 для прослеживания температуры компонентов компьютера, является действенным способом предотвратить возможность неисправности в устройстве. Однако не нужно с паранойей, относится к такой проверке и каждые десять минут запускать программу. Ведь явными симптомами перегрева чипов могут быть:

Частое зависание компьютера без видимых причин;
Периодическая самопроизвольная перезагрузка компьютера;
Появление на экране монитора полос или разных артефактов.

Поэтому, если рабочая температура диода pch датчиков при отслеживании не превышает допустимых норм, не стоит переживать и постоянно в течение суток по несколько раз запускать программу Аида 64. Для проверки будет достаточно пользоваться программой раз в неделю. Точные данные допустимых значений температуры для каждого отдельного узла компьютера вы можете узнать из описательных документов к этому устройству.

Заключение

В заключение стоит подвести итог и отметить, что периодическое тестирование вашего компьютера с помощью программы aida64 позволит своевременно выявить наступление такого момента времени, когда вам необходимо будет сделать профилактику и тем самым предотвратить поломку компьютера.

Какая температура компонентов железа может считаться нормальной

Как правило, все машины и механизмы имеют свойство нагреваться в процессе работы и компьютеры не являются исключением. А ещё они могут перегреваться, что нередко приводит к сбоям, неполадкам и даже физическим повреждениям компонентов. Чаще всего перегрев компьютеров происходит по причине плохо работающей системы охлаждения и накопления пыли в корпусе, но также эта беда может приключиться при повышенных нагрузках, особенно в жаркую летнюю погоду.

• Заметное снижение общей производительности, зависания
• Самопроизвольное завершение работы приложений с выходом на рабочий стол

• Самопроизвольное выключение или перезагрузка компьютера
• Появление помех на экране
• Выход в BIOS с просьбой проверить охлаждение
• Необычно сильный шум вентиляторов

PCH (южного моста), жёсткого диска и чипсета материнской платы.

Примечание: температуру оперативной памяти программным способом замерить нельзя, так как в самом модуле ОЗУ нет температурных датчиков.

Нормальные и критические показатели

• Для процессора либо отдельных его ядер нагрев до

40-50°C при средней нагрузке считается нормальным, а до 55°C — допустимым. Температура 60-65°C является потенциально опасной, 70-80°C — критической, при которой возможны серьёзные нарушения в работе компьютера, в частности, падение в BSOD, автозавершение работы приложений и самопроизвольная перезагрузка компьютера.

артефакты — искажение изображения, появление на экране полос, квадратов, изменение цветовой гаммы и т.п.

• Оптимальной температурой чипсета материнской платы считается 30-40°C, на некоторых моделях он может разогреваться до

50 градусов. В целом же с перегревом этого компонента приходится сталкиваться редко, поэтому особого внимания уделять ему мы не будем.

По большому счёту это всё, что нужно знать о температуре железа вашего компьютера. Что касается методов борьбы с перегревом, то на этот счёт сказано предостаточно. Установка

более качественных систем охлаждения и регулярная чистка от пыли — обычно этого бывает достаточно, чтобы обеспечить приемлемый температурный режим.

Диод рсн что это 75 градусов

Высокая температура – злейший враг компьютерной техники. Температура, которая может негативно отразиться на чипах компьютера, повышается по разным причинам: нагрузки, пыль, устаревание оборудования. Очень важно иметь это ввиду при эксплуатировании ПК, ведь халатное отношение к температурному режиму компьютеру в совокупности с чрезмерными и долгими нагрузками может привести к необратимым последствиям: физической поломке и потере данных. К счастью, за этими показателями можно следить с помощью различных диодов приложения Аида 64.

Что такое диод, и какие виды диодов существуют

Различные физические характеристики комплектующих измеряются специальными датчиками и поступают в приложение Аида64. Эти датчики, вмонтированные в структуру микросхем, называются диодами. Различают диоды северного и южного мостов. Контроллер северного моста (PCH) управляет и передает информацию по таким компонентам как: центральный процессор, оперативная память и видеокарты. Чип южного моста контролирует и транслирует данные по периферийным и устройствам ввода-вывода.

Как узнать температуру графического процессора

Графический процессор – один из важных компонентов персонального или мобильного компьютера. Именно он производит вычисления, связанные с графическим представлением информации: начиная от простого вывода статического изображения на экран до сложных технологий вычисления передвижения объектов трехмерной графики. При таком большом объеме обрабатываемой информации перегрев чипов возможен, если не следить за корректной работой охлаждающих систем и чистотой внутренних частей системного блока. Для того чтобы узнать температуру графического процессора компьютера необходимо сделать следующее:

Запустить A />

Универсального понятия “нормальная температура” графического процессора не существует, потому как у каждого производителя свои нормы тепловыделения. Однако, считается негласной нормой температуры в режиме простоя, равная 45°С. Зная, что критическая температура для материала, из которого изготовлены комплектующие достигает 105°С, можно утверждать, что 75°С – это довольно серьезное отклонение от нормальных показателей.

Как измерить температуру других компонентов

Определить риск опасности выхода из строя других частей компьютера из-за перегрева можно аналогичным способом. Единственное отличие: в 4 пункте нужно найти раздел нужного датчика. Стоит отметить, что не всегда информация о параметрах конкретного диода доступна в приложении Aida 64. Это связано с тем, что производители компьютерных комплектующих не выработали единый стандарт присутствия тех или иных датчиков в своей продукции. Проще говоря, если не удалось найти нужный параметр – скорее всего он не предусмотрен в Вашем оборудовании.

Какие предпосылки перегрева графического процессора

Безусловно, измерение температуры – это действенный способ предотвращения печальных последствий воздействия высокой температуры. Однако не стоит развивать параноидальное желание каждую минуту открывать A >

Температуры компонентов ПК в программе Aida 64

И здесь возникает вполне уместный вопрос — что это за диод pch и какая у него должна быть температура. Ведь в большинстве ноутбуков и компьютеров значение температуры для него отображается в районе 70 градусов, что, на первый взгляд, может показаться много повышенным значением.

Что из себя представляет диод pch?

Радиатор на материнской плате ПК, под которым находится северный/южный мост

В некоторых модификациях северный мост объединен с южным мостом и/или видеокартой в одном чипе.

Мосты и видеокарта материнской платы ноутбука

Какая должна быть температура у диода PCH?

Конечно же самый правильный ответ на данный вопрос — чем ниже, тем лучше. Но в большинстве компьютеров и ноутбуков он греется до 70-75 градусов. И это в принципе можно считать нормальной его температурой.

В системном блоке проблема с перегревом диода PCH решается установкой дополнительного кулера охлаждения.

Установка дополнительного кулера на радиатор северного моста

Последствия перегрева диода PCH?

Неусыпный «часовой» и его подопечный

Аналог PCH марки AMD называется FCH (Fusion Controller Hub), а марки nVidia – MCP (Media and Communications Processor).

Температура PCH: какой она должна быть

Согласитесь, простому пользователю читать такие вещи неинтересно, поэтому для определения температурного максимума чипсета своего компьютера принято поступать проще – ориентироваться на T_JUNCTION процессора того же поколения.

Нужно ли охлаждать чипсет

Если у вас нет возможности регулярно чистить внутренние части ПК или ноутбука от пыли либо если аппарат конструктивно имеет недостаточно эффективный теплоотвод.
Если хаб платформы расположен очень близко к жесткому диску. Диску, в отличие от чипсета, дополнительный нагрев может повредить.
Если термодатчик PCH постоянно показывает температуру выше нормы или близкую к ее верхнему порогу, и это сопровождается признаками перегрева системы – шумом кулера, тормозами и зависаниями при отсутствии значимой нагрузки на процессор и память.
Если чипсет находится прямо под клавиатурой ноутбука. Такое расположение опасно не столько перегревом, сколько механическим повреждением кристалла при нажатии на клавиши.

Смотрите также:

Постоянно высокая температура PCH: что означает и чем опасна

Компьютер недостаточно охлаждается. Это несложно распознать по типичным признакам перегрева (перечислены выше) и высоким значениям температур других узлов, в частности, процессора и накопителей.
Чипсет испытывает повышенную нагрузку из-за подключения и одновременного использования большого количества периферийных устройств. Для проверки этой версии достаточно отключить часть периферии и проследить, как изменятся показатели нагрева PCH.
Нагрузка на чипсет возросла после установки на компьютер операционной системы с более высокими требованиями. Так, владельцы относительно старых ПК и ноутбуков некоторое время назад писали на форумы, что после обновления Windows 7 до Windows 10 средняя температура диода PCH и процессора выросла на несколько градусов.
Термодиод PCH передает ложные значения из-за неисправности или неверной интерпретации этих данных программой мониторинга. Если есть сомнения в точности показателей, перепроверьте их в другой программе. В качестве термометра можно использовать и собственный палец, но не без риска получить ожог.
Периферийное устройство или порт, к которому оно подключено, неисправны. Либо неисправен сам чипсет. Это наиболее неблагоприятный вариант из всех возможных. В подобных случаях наряду с повышением температуры PCH имеют место симптомы неполадки узла, в котором возникла проблема. Например, не работает одно из гнезд USB или при подключении наушников к разъему аудио компьютер начинает резко тормозить. При значительных дефектах хаба аппарат может и вовсе не включаться, не проходить инициализацию, не выводить изображение на экран и т. д. Неисправный хаб платформы может нагреваться до значительных температур даже раньше, чем будет нажата кнопка включения компьютера – от дежурного питания, которое подается на плату при подключении к источнику энергии.

Посадочное место PCH на Boardview мобильной материнской платы

Тестирование чипсета на стабильность под нагрузкой

Завершите работающие программы и сохраните открытые документы.
Выберите в настройках утилиты вид теста «OCCT» и режим «Большой набор», остальные параметры оставьте по умолчанию.
В разделе «Расписание теста» укажите длительность проверки. Оптимальное время составляет 1 час.
Нажмите копку запуска и наблюдайте за состоянием системы. Графики нагрузки, температур и других показателей отображаются в главном окне утилиты.

Тайная жизнь диодов данных и почему они должны быть частью вашей системы кибербезопасности

С восьмидесятых годов светодиоды данных старательно и незаметно работают за кулисами по всему миру, помогая обеспечить безопасность критически важной инфраструктуры и операций. Диоды данных, также известные как однонаправленные сетевые шлюзы, представляют собой сетевые устройства, которые позволяют необработанным данным перемещаться только в одном направлении, чтобы гарантировать информационную безопасность и обеспечить защиту критически важных цифровых систем от входящих кибератак.

Несмотря на их важную роль в цепочке кибербезопасности, эти устройства не получили широкой известности. Однако ситуация начинает меняться из-за факторов, включая растущую взаимосвязанность операционных и ИТ-сетей, развитие атак, нацеленных на критически важную инфраструктуру, а в последнее время — за счет согласования с требованиями правительств по обеспечению кибербезопасности для защиты секторов промышленности.

Диоды передачи данных традиционно использовались в военных, космических агентствах и правительственных областях с высоким уровнем безопасности, но в настоящее время они получают широкое распространение в таких секторах, как нефть и газ, производство электроэнергии, распределение и возобновляемые источники энергии, водоснабжение и очистка, авиация (между блоками управления полетом и в -системы развлечений для полетов), аэропорты, производство, инженерные системы и облачная связь для промышленных приложений Интернета вещей.

Рис. 1. Диод данных Advenica DD1000A с дисплеем на передней панели с оптическим потоком

Использование диодов данных как часть вашей кибербезопасности имеет смысл, поскольку устройства практически не требуют настройки, обслуживания или поддержки при немедленном разделении сети.

Почему межсетевых экранов недостаточно

В отличие от межсетевых экранов, диоды данных — это физические аппаратные устройства, которые обеспечивают односторонний поток данных на физическом уровне.Большинство диодных устройств не содержат никакого программного обеспечения, логики или программируемых вентильных матриц (ПЛИС) и содержат только физический путь, по которому сигналы проходят в одном направлении. В некоторых случаях, например, в Advenica DD1000A, сетевой трафик преобразуется в свет, и этот поток света виден через окно дисплея на передней панели.

Из-за конструкции диодов данных и естественных физических особенностей электроны могут течь только в одном направлении. Следовательно, онлайн-атаки на информационный диод в обратном направлении физически невозможны.С другой стороны, брандмауэр — это программное решение. Люди запрограммировали программное обеспечение вместе с присущим ему риском включения ошибок, некоторые из которых могут проявляться как уязвимости в системе безопасности.

Существуют различные примеры брандмауэров, которые были взломаны с использованием таких уязвимостей. Более того, брандмауэр может быть сложным в управлении и настройке. Это может привести к ошибкам, например, к открытию неправильных портов, к которым могут иметь доступ хакеры.

В 2013 году кибербезопасность системы промышленного контроля, управляемая Французским агентством сетевой и информационной безопасности (ANSSI), заявила, что запрещено использовать межсетевые экраны для подключения любой сети класса 3, такой как системы железнодорожной коммутации, к сети более низкого класса или корпоративной сети, и что разрешена только однонаправленная технология.

Сегментация сети — результат, решенный с помощью диодов данных

Самым важным в диоде данных является то, что информация может проходить через него только в одном направлении. Раньше критически важная инфраструктура и сети были менее уязвимы для несанкционированного доступа из-за наличия воздушных зазоров или физической изоляции. С появлением Интернета и растущей взаимосвязанности сетей для удовлетворения потребностей в деловой и управленческой информации это преимущество было потеряно.

Использование сертифицированных светодиодов данных, соответствующих военным стандартам, гарантирует быстрое восстановление сегментации сети. Один очевидный вариант использования — на пересечении производственной / операционной сети и корпоративной ИТ-сети. Руководству по-прежнему необходимо получать информацию из производственной сети, но с применением светодиодов данных обратный канал для киберэксплуатации невозможен.

Рис. 2. Компактный диод данных Advenica DD1G — идеально подходит для солнечных, ветряных ферм и ограниченных пространств

Диоды данных повышают кибербезопасность в банковском мире

Как уже говорилось, информационные диоды широко используются в различных отраслях промышленности.Мы видим, что сейчас эти устройства становятся все более распространенными, однако с появлением во всем мире законодательства, гарантирующего их использование.

30 июня вступили в силу новые директивы ЕС относительно кибербезопасности банков. В результате стало яснее, как различные организации, предоставляющие финансовые услуги, должны управлять внутренними и внешними рисками, связанными с ИТ и безопасностью. Сегментация с использованием светодиодов данных — важная мера для снижения рисков безопасности.

Цель — снизить риски

Новые рекомендации Европейского банковского управления, EBA, являются европейским стандартом управления рисками безопасности и ИТ.В нем описывается, как банки, управляющие фондами и поставщики платежных услуг, работающие в ЕС, должны управлять внутренними и внешними рисками, связанными с ИТ и безопасностью. Цель состоит в том, чтобы снизить вероятность атак, утечек данных, сбоев и вторжений в критически важные системы.

Среди прочего, в руководстве указывается, какие меры безопасности необходимо разработать и внедрить для снижения рисков ИТ и безопасности, которые подвергают финансовые учреждения риску. Важно понимать, что руководство содержит требования закона, и поэтому операторы, на которые распространяется действие, обязаны обосновать любые отклонения от его применения.

Кого коснутся новые принципы?

Рекомендации касаются управления внутренними и внешними рисками в области ИТ и информационной безопасности, а также управления операционными рисками в финансовых учреждениях, называемых поставщиками платежных услуг, кредитными учреждениями и компаниями по ценным бумагам.

Какие требования к информационной безопасности вводят новые рекомендации?

Руководство подробное, но главное требование касается классификации; заявляя, что финансовые учреждения должны проводить оценку рисков и классификацию бизнес-функций, процессов поддержки и информационных активов, исходя из их важности.

Еще одним жизненно важным требованием являются меры информационной безопасности: в руководящих принципах указывается, что меры безопасности должны быть разработаны и реализованы для снижения рисков ИТ и безопасности, с которыми сталкиваются финансовые учреждения.

Как диоды данных повышают кибербезопасность банков?

Отличным методом снижения рисков безопасности и защиты критически важной информации и критически важных систем является сегментация сети путем сочетания физического и логического разделения.Физическое разделение означает, что зоны безопасности определены и распределены на разном физическом оборудовании.

Логическое разделение означает, что разные зоны или сетевой трафик могут сосуществовать на одном и том же оборудовании или в одном сетевом кабеле, что делает его менее очевидным — и, таким образом, приводит к меньшей уверенности в силе механизма разделения, чем при физическом разделении.

Все ли диоды данных одинаковы?

В большинстве решений с диодами данных используется одностороннее свойство устройства.Хотя мы рекомендуем простые диоды «однонаправленного прохождения данных» для большинства клиентских приложений, мы иногда указываем более сложные модели, которые обеспечивают такие функции, как фильтрация протоколов, определенная двунаправленность обработки сообщений и включают определенные клиентские службы для достижения требуемых бизнес-результатов.

Ресурсы

https://eba.europa.eu/eba-publishes-guidelines-ict-and-security-risk-management

www.ssi.gouv.fr/en/cybersecurity-in-france/ciip-in-france

DDE Technology имеет значительный опыт консультирования клиентов по программным и аппаратным решениям в области кибербезопасности для промышленных систем, систем Интернета вещей и ИКТ в различных отраслях промышленности, включая производство и передачу электроэнергии, водоснабжение и очистку, авиацию, казино-курорты, оборону, нефть и газ, банковское дело и финансы.Свяжитесь с нами, чтобы узнать больше о наших решениях по кибербезопасности и отраслевом опыте.

www.ddetechnology.com

RSN% 2031% 20or% 2037% 20a техническое описание и примечания к применению

2014 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Металлооксидные резисторы Аннотация: 10р.Углеродный резистор мощностью 5 Вт, легковоспламеняющийся жетон, углеродный пленочный резистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
AN392 Аннотация: DS31256 DS3131 TS24 E1 frame Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DS31256. DS31256, 256-канальный DS3131, 40 каналов DS3131 544 МГц DS31256 AN392 TS24 Рама E1
РСН-749АФ Абстракция: 749A Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	РСН-749АФ + 749 МГц РСН-749АФ 749A
1997 — Конденсатор 2Г2 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	Сентябрь 1997 г. 2×900 1522-PBL С-164 Конденсатор 2Г2
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	S-E07 Flamep52
1997 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2×900 2х30к.1522-PBL С-164
2013 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DC24V
2004 — AD8605 Аннотация: ADN8810 ADR292 ADR292ER ADR392 FDC633N REF198 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	12-битный ADN8810 24-выводный GEN12 МО-220-ВГГД-2 CP-24) ADN8810ACP AD8605 ADN8810 ADR292 ADR292ER ADR392 FDC633N REF198
1997 — Резистор RLR Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2×900 1522-PBL С-164 Резистор RLR
1999 — TIP43 Аннотация: da 220 вольт 12 вольт DA79 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	Am7924 TIP43 от 220 вольт до 12 вольт DA79
1998 — Ил42 3-х контактный Реферат: диодный стабилитрон ZL 27 РЕЛЕ ПЕРЕГРУЗКИ 250 вольт на 600 вольт предохранитель диодный стабилитрон ZD 36 СКАЧАТЬ ДАННЫЕ О РЕЛЕ ИЛ42 RSN 31 ИЛИ 37 А Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	Am7920 Am7920 IL42 3-контактный стабилитрон диодный ZL 27 РЕЛЕ ПЕРЕГРУЗКИ Предохранитель от 250 до 600 вольт стабилитрон диодный ЗД 36 СКАЧАТЬ ДАННЫЕ О РЕЛЕ IL42 RSN 31 ИЛИ 37 А
2001 — наконечник 416 транзистор Аннотация: PQT044 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	Le79555 Le79555 наконечник 416 транзистор PQT044
rss tyohm Аннотация: TYOHM RS-196A Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	32макс rss tyohm ТЁМ RS-196A

2004 — AD8605 Аннотация: ADN8810 ADR292 ADR292ER ADR392 FDC633N REF198 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	12-битный ADN8810 24-выводный GEN12 МО-220-ВГГД-2 CP-24) ADN8810ACP AD8605 ADN8810 ADR292 ADR292ER ADR392 FDC633N REF198
2000 — 1N4448 Аннотация: Радиореле TR909 psg5 Ericsson Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2×900 1522-PBL SE-164 1N4448 TR909 psg5 Радиореле Ericsson
1997 — транзистор 31вп Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2×900 1522-PBL С-164 транзистор 31вп
2000 — RF9901 Аннотация: RF2703 RF2713 rf2126 RF2908 RF2516 FM-ПЕРЕДАТЧИК СИСТЕМЫ RF2132 RF2456 RF2442 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	RF2607 RF2703 RF2442 РФ2456 RF2406 RF9906 RF9957 RF2667 РФ9958, RF2658 RF9901 RF2703 RF2713 rf2126 RF2908 RF2516 СИСТЕМА ПЕРЕДАТЧИКА FM RF2132 РФ2456 RF2442
1997 — PBL38640 / 1QN: T Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2×900 1522-PBL С-164 PBL38640 / 1QN: Т
2004 — adn8810acpz Аннотация: AN619 AD8605 REF198 FDC633N ADR392 ADR292ER ADR292 ADN8810 ADN8810ACPZ-REEL7 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	12-битный ADN8810 24-выводный CP-24-1) ADN8810ACP ADN8810ACP-REEL7 ADN8810ACPZ1 adn8810acpz AN619 AD8605 REF198 FDC633N ADR392 ADR292ER ADR292 ADN8810 ADN8810ACPZ-REEL7
2002 — конденсатор 104к Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	Le7922 Le7922 Конденсатор 104к
1998 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	Am7924 Am7924
2010 — JG1228 Аннотация: ADF4193 PLL 4049 GSM900RX Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	РСН-795АФ-119 + JG1228 RSN-795AF119 + JG1228 ADF4193 PLL 4049 GSM900RX
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	РСН-749АФ + JG1228
2000 — TR909 Аннотация: PBL38615 / 1SHA Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	28pin TR909 PBL38615 / 1SHA

Эффекты изменения заместителей и халькогенидов

Angew Chem Int Ed Engl.2019 ноя 18; 58 (47): 17041–17046.

, ¹, ², ² и ¹
Эйке Дорнзипен
¹ FB Chemie and Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften (WZMW), Philipps-Universität Marburg, Hans-Meerwein-Straße 4, 35043 Марбург Германия,
Флориан Добенер
² Институт экспериментальной физики I, Университет Юстуса Либиха в Гиссене и Центр исследования материалов (ZfM), Генрих-Буфф-Ринг 16, 35392 Gießen Германия,
Проф.Д-р Сангам Чаттерджи
² Институт экспериментальной физики I, Университет Юстуса Либиха в Гиссене и Центр исследования материалов (ZfM), Генрих-Буфф-Ринг 16, 35392 Gießen Германия,
Проф. Д-р Стефани Денен
¹ FB Chemie and Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften (WZMW), Philipps-Universität Marburg, Hans-Meerwein-Straße 4, 35043 Марбург Германия,
¹ FB Chemie and Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften (WZMW), Philipps-Universität Marburg, Hans-Meerwein-Straße 4, 35043 Марбург Германия,
² Институт экспериментальной физики I, Университет Юстуса Либиха в Гиссене и Центр исследования материалов (ZfM), Генрих-Буфф-Ринг 16, 35392 Gießen Германия,
Автор, ответственный за переписку.Авторские права © 2019 Авторы. Опубликовано Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA.Это статья в открытом доступе в соответствии с условиями http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ Лицензии, которая разрешает использование, распространение и воспроизведение на любом носителе. при условии правильного цитирования оригинальной работы. Эта статья цитировалась в других статьях в PMC.
Дополнительные материалы
В качестве услуги для наших авторов и читателей этот журнал предоставляет дополнительную информацию, предоставленную авторами.Такие материалы проходят рецензирование и могут быть реорганизованы для онлайн-доставки, но не подлежат редактированию или верстке. Вопросы технической поддержки, возникающие из вспомогательной информации (кроме отсутствующих файлов), следует адресовать авторам.
Дополнительный
GUID: 2FD1F313-E093-40CA-82AB-01667A4A549A
Реферат
Оловоорганические халькогенидные кластеры адамантанового типа общего состава [(RT) ₄ ароматический заместитель ₄ S665 , T = Si, Ge, Sn) обладают чрезвычайно нелинейными оптическими свойствами, которые приводят к высоконаправленной генерации белого света (WLG) при облучении инфракрасным лазерным диодом.Однако механизм еще не изучен. Теперь серия соединений [(RSn) ₄ E ₆] (R = фенил, циклопентадиенил, циклогексил, бензил, CH ₂ CH ₂ (C ₆ H ₄) CO ₂ Et; E = S, Se), были получены, охарактеризованы и исследованы на предмет их нелинейно-оптических свойств. За исключением кристаллического [(BnSn) ₄ S ₆], все эти соединения демонстрируют WLG с аналогичными спектрами излучения; небольшие сдвиги в синий цвет наблюдаются при введении циклопентадиенильных заместителей, в то время как введение Se в неорганическое ядро может вызвать красный сдвиг.Эти исследования опровергают первоначальное предположение о том, что ароматический заместитель является необходимым предварительным условием; предварительным условием, по-видимому, является наличие (циклических) заместителей, обеспечивающих достаточную электронную плотность.
Ключевые слова: кластеров основной группы, квантово-химические расчеты, генерация второй гармоники, эффекты заместителей, генерация белого света
Аннотация
В поисках предпосылок для генерации высоконаправленного белого света с помощью аморфных молекулярных материалов общей формулы [(RT) ₄ E ₆] (R = органическая группа, T / E = Группа 14 / 16 элементов) было изучено девять новых соединений.Удивительно, но R не обязательно должен быть ароматическим лигандом, что резко контрастирует с предыдущими предположениями.
Введение
Органо-халькогенидные кластеры группы 14 представляют собой органические / неорганические гибридные соединения, состоящие из неорганической клетки, которые являются производными от анионов халькогенидо группы 141, 2, которые имеют органическую оболочку заместителя, прикрепленную к ядру ковалентными связями элемент 14 группы-углерод . Соли анионов халькогенидо группы 14 активно исследуются из-за их настраиваемых оптоэлектронных и полупроводниковых свойств, что привело к разнообразным применениям.3, 4, 5, 6 Украшение таких кластерных анионов органическими заместителями не только позволяет изолировать соединения с дискретными нейтральными кластерными молекулами, но также позволяет дополнительно настраивать свойства материала, такие как растворимость в органических растворителях или реакционная способность по отношению к органическим молекулам, соли металлов или поверхности.7
В контексте нашего исследования функционализированных органо-халькогенидных кластеров 14-й группы, 8, 9, 10, 11, 12, мы недавно обнаружили беспрецедентное, крайне нелинейное оптическое поведение декорированного стирилом кластера [(StySn) ₄ S ₆] (Sty = 4-винилфенил) 13, который принадлежит к семейству сесквихалькогенидных кластеров органо-группы 14 общей формулы [(RT) ₄ E ₆] (R = органический заместитель; T = Si, Ge, Sn; E = O, S, Se, Te).14, 15, 16, 17, 18 [(StySn) ₄ S ₆] был получен в виде аморфного порошка, но расчеты DFT показывают, что структура типа адамантана предпочтительнее, чем изомер двухуровневого типа за счет ок. 30 кДж моль ^-1. Хотя соединения, в которых отсутствует инверсионная симметрия, широко известны для генерации второй гармоники (ГВГ), мы наблюдали генерацию белого света (ГВС) при облучении коммерчески доступным непрерывным (CW) лазерным диодом ближнего инфракрасного диапазона.13 Это неожиданное явление было интуитивно понятным. объясняется аморфной природой соединения.В соответствующих порошках ГВГ явно запрещена случайной ориентацией молекул, что в то же время приводит к крайнему уширению излучения ГВГ. Тем не менее, точный механизм этой нелинейной реакции до сих пор неизвестен. Поэтому в настоящее время мы собираемся расширить библиотеку родственных соединений, чтобы лучше понять новое поведение WLG.
Кроме того, мы приготовили ряд кластеров адамантанового типа с различными органическими заместителями и элементами 14 группы: [(PhSn) ₄ S ₆] и [(PhGe) ₄ S ₆] демонстрируют WLG, в то время как [(PhSi) ₄ S ₆], [(MeSn) ₄ S ₆] и [(NpSn) ₄ S ₆] не излучают белый свет; тем не менее, эти соединения по-прежнему демонстрируют нелинейные оптические свойства за счет сильной ГВГ.19 Для [(PhSi) ₄ S ₆] это легко объяснить кристалличностью соединения, которое подавляет WLG. В случае [(MeSn) ₄ S ₆] оболочка органического заместителя не содержит ароматической π-электронной системы; поскольку [(MeSn) ₄ S ₆] не имеет каких-либо доказательств дальнего порядка, но показывает ГВГ, присутствие молекул π-ароматических заместителей интуитивно предполагалось как необходимое условие для WLG. Отсутствие WLG, наблюдаемое для нафтилзамещенного [(NpSn) ₄ S ₆], было приписано началу дальнего порядка в аморфном порошке из-за π-укладки.19
Хотя предположение об ароматической π-электронной системе в качестве критического параметра казалось правдоподобным, ее определенная роль до сих пор остается неясной. Итак, мы намерены еще больше сузить химические и электронные предварительные условия для WLG и разработали новую серию соединений, которые имеют циклические заместители R, следовательно, включая неароматические. Здесь мы сообщаем об их синтезе и характеристиках, а также о нелинейном оптическом отклике, который, как было показано, таким образом возможен и с циклическими заместителями, лишенными ароматичности.
Кластеры типа [(RSn) ₄ E ₆] (R = Ph, Bn, CH ₂ CH ₂ (C ₆ H ₄) CO ₂ Et, η ¹ -Cp, Cy; E = S, Se) были приготовлены в соответствии с уравнением (1) и полностью охарактеризованы.
RSnCl3 → толуол (Me3Si) 2E [(RSn) 4E6]
(1)
Тонкое влияние заместителя было исследовано путем введения либо неароматических циклических заместителей, либо алифатического линкера для дальнейшего отделения ароматического кольца от кластерное ядро или, наконец, дополнительная функционализация ароматического заместителя.Чтобы получить более полное представление о роли состава ядра кластера, ряд соединений реализован как для E = сера, так и для селена, причем последний является первыми кластерами селенидов такого типа, которые будут исследованы на предмет нелинейных оптических свойств. Схема суммирует все соединения, которые были синтезированы и изучены здесь.
Синтез соединений 1 — 9 (Ph = фенил, Bn = бензил, R ¹ = CH ₂ CH ₂ (C ₆ H ₄) CO ₂ Et, η ¹ -Cp = η ¹ -циклопентадиенил, Cy = циклогексил) вместе с молекулярными структурами, оптимизированными для DFT, показанными для селенидных кластеров в качестве примеров, и фотографиями образцов выделенных соединений.
Результаты и обсуждение
С выбранной серией соединений мы намерены получить более полное представление о предпосылках для WLG20, ответив на следующие вопросы:
1) Влияет ли на спектр излучения замена серы селеном; 2) нужно ли связывать ароматический заместитель непосредственно с неорганическим ядром, или же наблюдается WLG, если алифатический спейсер вставлен между ядром кластера и π-системой; 3) является π-ароматическим заместителем вообще необходимым, или π-электроны, расположенные в изолированных двойных связях, также приводят к наблюдению WLG; и 4) являются заместителями с любым типом π-электронов, которые обычно необходимы для WLG, или молекулы, которые несут полностью насыщенные органические заместители, также могут иметь WLG.
При взаимодействии соответствующих трихлоридов олова и (Me ₃ Si) ₂ E в толуоле соединения осаждаются из раствора и выделяются фильтрацией. Затем измеряется зависимость аморфности от кристалличности с помощью порошковой дифракции рентгеновских лучей (вспомогательная информация, рисунки S42 – S50), и собираются спектры излучения всех новых соединений. Спектры излучения аморфных соединений 1 и 4 — 9 показаны вместе со спектром известного соединения [(PhSn) ₄ S ₆] ( A ) на фиг.
Спектры излучения кластеров оловоорганического сульфида и селенида (сверху слева направо): A и 1 (R = фенил), 4 и 5 (R = R ¹ = CH ₂ CH ₂ (C ₆ H ₄) CO ₂ Et), 6 и 7 (R = η ¹ -циклопентадиенил), 8 и 9 (R = циклогексил). Каждый спектр корректируется с помощью калиброванной вольфрамовой галогенной лампы.В заштрихованной области (> 1000 нм) приборный отклик используемого кремниевого матричного детектора с зарядовой связью (охлажденного до -60 ° C) очень слабый, что препятствует надежной коррекции спектральной интенсивности в этом диапазоне.
Чтобы ответить на вопрос 1, мы сравниваем спектры излучения сульфидных кластеров со спектрами селенидных аналогов. Наблюдения будут обсуждаться в каждой из гомологичных пар в этом отчете и резюмированы в конце. В случае соединений [(PhSn) ₄ S ₆] ( A ) и [(PhSn) ₄ Se ₆] ( 1 ) существенного изменения формы не наблюдается. излучения, таким образом делая вывод, что WLG в значительной степени не зависит от состава неорганического ядра здесь.Это похоже на то, что сообщалось ранее для варианта элемента Группы 1419.
Что касается вопроса 2, мы исследовали бензилзамещенные кластеры 2 и 3 , а также исследовали соединения 4 и 5 . Последние содержат заместитель CH ₂ CH ₂ (C ₆ H ₄) CO ₂ Et, в котором фенильный фрагмент отделен от атома олова звеном CH ₂. Соединения 2 и 3 демонстрируют разительное отличие от ранее приготовленных кластеров.В то время как все другие соединения получают в виде аморфных порошков, 2 и 3 выделены в кристаллической форме, подходящей для структурного анализа монокристаллов.
Очевидно, метиленовые группы в бензильных заместителях придают молекулам необходимую гибкость для ориентации таким образом, чтобы обеспечить эффективную упаковку в кристаллической решетке. Следовательно, хотя повышенная гибкость заместителей часто нарушает дальний порядок, а также приводит к удивительно аморфным порошкам большинства обсуждаемых здесь кластеров, бензильные заместители, по-видимому, приводят к противоположному эффекту для увеличения энергии решетки или альтернативного второго Энергия взаимодействия порядка.До сих пор мы определили три возможных способа сделать это в этом классе соединений: 1) начало дальнего порядка, если ароматическая система достаточно велика для эффективного π-стэкинга (как обнаружено для нафтильных заместителей в [(NpSn) ₄ S ₆]), 19 2) относительно небольшой размер ядра кластера по сравнению с (небольшими) ароматическими заместителями, что в сумме обеспечивает достаточно близкое сближение кластеров для эффективного π-стэкинга (как было обнаружено для [ (PhSi) ₄ S ₆]), 19 3) отделение (небольшой) ароматической группы от ядра кластера путем введения органической спейсерной группы (как найдено для 2 и 3 ).Хотя мы не ожидали, что кристаллические соединения 2 и 3 будут генерировать белый свет, мы исследуем их структуру, а также их нелинейный оптический отклик.
Соединение 2 кристаллизуется в тетрагональной кристаллической системе в пространственной группе I 4‾ с двумя формульными единицами на элементарную ячейку. Связи Sn-S мало изменяются, в пределах от 2,3948 (18) до 2,4086 (19) Å, что находится в обычном диапазоне для оловоорганических сульфидов.9 То же самое справедливо и для валентных углов внутри неорганического ядра (103.60 (11) –115,71 (6) °), которые находятся в непосредственной близости от идеального тетраэдрического угла. Селенидный кластер 3 изоструктурен своему более легкому гомологу. Длина связи Sn-Se составляет 2,5227 (9) –2,5292 (10) Å, то есть длиннее, чем в 2 , и находится в ожидаемом диапазоне для оловоорганических соединений21. от 100,82 (5) до 117,13 (3) °. Для обоих соединений диаграммы упаковки указывают на отсутствие π-укладки, несмотря на присутствие концевых фенильных колец (см. Вспомогательную информацию, рисунок S33 для 2 и рисунок для 3 ).Вместо этого бензильные заместители хорошо отделены друг от друга. Однако упаковка молекул допускает другой тип вторичных взаимодействий, которые обнаруживаются между атомами халькогенидов в ядре кластера и фенильными кольцами соседних молекул (кратчайшее расстояние 3,5221 (79) Å для 2 и 3,5303 (81 ) Å для 3 ).
Упаковка кластерных молекул в кристаллическую структуру 3 (слева) и иллюстрация межмолекулярного взаимодействия соседних кластеров (справа).Эллипсоиды устанавливаются с вероятностью 50%; Атомы водорода опущены для ясности. Аналоговая структура 2 приведена во вспомогательной информации, рисунок S51.
Спектры излучения 2 и 3 показаны на рисунке. В то время как сульфидный кластер 2 показывает SHG, как и ожидалось для кристаллического соединения, соединение селенида 3 неожиданно обнаруживает WLG. Тем не менее, поскольку образование WLG в кристаллическом состоянии маловероятно по причинам, указанным выше, мы также проверяем термическое поведение обоих соединений.Если 2 начинает разлагаться в интервале температур 160–180 ° C без плавления, то 3 уже плавится при 141 ° C без разложения. Таким образом, их различное оптическое поведение может быть объяснено плавлением соединения 3 под облучением, в результате чего порядок исчезает, что допускает WLG. Насколько нам известно, это наблюдение будет первым экспериментальным свидетельством того, что WLG может возникать в жидкостях / расплавах при непрерывном лазерном облучении. Это похоже на WLG при аморфизации in situ в твердом состоянии, которая недавно наблюдалась для серии несимметрично замещенных кластеров.22
Спектры излучения соединений 2 (без WLG) и 3 (WLG). Были использованы две различные схемы возбуждения: импульсное возбуждение Ti: сапфировым лазером и лазерный диод с непрерывной волной (CW) с длиной волны 1450 нм. Поскольку напряженность поля непрерывного лазерного диода недостаточна для генерации детектируемого излучения второй гармоники от соединения 2 , мы используем импульсы 100 фс от Ti: сапфирового лазера для генерации детектируемого сигнала. Чтобы данные были сопоставимы с измерениями на рисунке, мы решили показать сигнал, возбуждаемый непрерывным лазерным диодом соединения 3 .Возбуждение на длине волны 800 нм показывает очень похожий сигнал из-за процесса излучения, не зависящего от длины волны возбуждения (см. Также экспериментальный раздел во вспомогательной информации).
Чтобы обеспечить образование аморфных твердых веществ с такими заместителями, мы исследуем соединения с большей длиной спейсера, а именно соединения 4 и 5 , содержащие этиленовую группу между ядром кластера и фенильной группой (см. Схему Нижний). Мы надеялись, что на этот раз даже повышенная гибкость заместителей будет препятствовать кристаллизации, что действительно имело место.Спектры излучения этих соединений показаны в правой верхней части рисунка. Оба соединения проявляют WLG. Спектр излучения не претерпевает значительных изменений по сравнению со спектром соединений A, и 1 при включении более длинного спейсера. Что касается указанных соединений, излучение начинается при энергиях, немного превышающих энергию возбуждающего лазера, и спадает при энергии, при которой можно было бы ожидать ГВГ. Однако, заменяя серу селеном, мы вызываем красное смещение спектра излучения, которое не наблюдалось для фенилзамещенных кластеров, что мы не можем объяснить на сегодняшний день.Тем не менее, чтобы обобщить наш результат относительно вопроса 2, окончательный ответ на вопрос 2 состоит в том, что в случае аморфных твердых веществ ароматические заместители могут быть отделены от ядра неорганического кластера. Узнав, что алифатические спейсеры в принципе не ингибируют WLG, мы исследуем, является ли ароматическая π-электронная система вообще необходимой предпосылкой для WLG. С этой целью мы приготовили соединения с локализованными π-электронами в неароматической системе, а именно η ¹ -циклопентадиенил-замещенные кластеры 6 и 7 .Как показано на рисунке (внизу справа), эти соединения также имеют WLG, что исключает необходимость использования ароматических заместителей. Однако в обоих случаях мы наблюдали более крутой спад на высокоэнергетическом краю спектра, что привело к увеличению синей части излучаемого света. Что касается других гомологичных пар, обсуждаемых выше, при включении селена в неорганическое ядро 7 наблюдается красное смещение по сравнению со спектром, измеренным для 6 .
Последний логический шаг в этом исследовании — полностью отказаться от π-электронов в заместителях.Поскольку мы знали из наших предыдущих исследований, что простые алифатические заместители, такие как метил или бутил, не приводят к WLG, а вместо этого вызывают SHG, мы исследуем эффект насыщенного, но циклического заместителя. Выбранным заместителем здесь является циклогексил из-за его связи с фенильной группой в отношении числа атомов C, что было реализовано в соединениях 8 и 9 (рисунок, внизу слева). Мы наблюдаем WLG для обоих этих соединений, поэтому мы пришли к выводу, что WLG не может быть основан на электронном возбуждении π-электронов.В этом случае мы не наблюдали красного смещения между спектром сульфидного кластера 8 и селенидного кластера 9 .
Все эти результаты вместе ясно показывают, что объяснение наблюдаемого явления должно быть уточнено следующим образом: процесс WLG основан на возбуждении электронов вблизи уровня Ферми с энергией фотонов ниже ВЗМО – НСМО. Следовательно, из всего, что мы узнали в этой работе, решающим требованием в отношении электронной структуры потенциальных излучателей белого света является достаточно большая щель HOMO – LUMO.В противном случае электронные возбуждения в состояния с гораздо большим временем жизни берут верх, и в этом случае будут наблюдаться другие пути релаксации, такие как фотолюминесценция. Кроме того, аморфная природа соединений является ключевой при принятии решения о том, наблюдается ли WLG или SHG, поскольку кристалличность позволяет отдавать предпочтение излучению SHG.
Чтобы подтвердить требование наличия достаточно больших промежутков HOMO – LUMO, мы проверяем свойства электронного поглощения соединений с помощью зависимых от времени расчетов DFT (TD-DFT).Наименьшие энергии синглетного возбуждения приведены на рисунке и вспомогательной информации в таблице S7. На рисунках S53 – S57 показаны соответствующие спектры поглощения.
Наименьшие энергии синглетного возбуждения для соединений A и 1 — 9 , рассчитанные с помощью исследований TD-DFT. Показана природа органического заместителя; Лиганды S по сравнению с Se обозначены желтыми или красными полосами соответственно.
Во всех случаях щели ВЗМО – НСМО больше максимальных энергий излучения, что согласуется с приведенным выше утверждением.Кроме того, рассчитано, что зазоры селенидных кластеров меньше, чем зазоры соответствующих сульфидов. Это хорошо коррелирует с разными цветами продуктов, которые являются бесцветными или желтыми в случае соединений серы и более темными (от желтого до темно-оранжевого, см. Схему) в случае соответствующих селенидов.
Тем не менее, это не объясняет красное смещение в спектрах излучения, наблюдаемое для соединений 5 и 7 , поскольку излучение в обоих случаях ограничено энергией около 2.0 эВ, что все еще значительно ниже минимальных энергий возбуждения. Более того, до настоящего времени мы не можем объяснить, почему замена селена на серу в некоторых случаях вызывает красное смещение излучения, а в некоторых случаях такого эффекта не происходит. Это будет предметом текущих исследований в рамках FOR 2824.
Заключение
Мы сообщаем об исследовании, которое обеспечивает большой шаг вперед в понимании этого класса излучателей белого света на основе оловоорганических халькогенидных кластеров адамантанового типа.Хотя ранее заявленное предварительное условие того, что материалы должны быть аморфными, было подтверждено, наши новые результаты побудили нас перефразировать некоторые из наших прежних предположений, которые были сделаны на основе гораздо меньшей группы соединений. Кластеры типа [(RSn ₄ E ₆)] способны генерировать белый свет (WLG), если они удовлетворяют следующим предварительным условиям: материалы должны содержать богатые электронами (циклические) заместители, которые могут (но не обязательно) обладать π-электронами, и которые не обязательно должны быть напрямую связаны с неорганическим ядром кластера, пока спейсерная группа не вызывает кристаллизацию.Вопрос, который до сих пор не мог быть прояснен, — это влияние гомологичной замены атомов серы на ее более тяжелые конгенеры на эмиссионные свойства, в то время как влияние на абсорбционные свойства явно представляет собой красное смещение. Здесь нам нужно обратиться к будущей комплексной работе в этом направлении.
Экспериментальная часть
Подробные синтезы, характеристики и детали спектроскопических методов можно найти во вспомогательной информации.
Все стадии синтеза проводились при исключении кислорода и влаги с использованием стандартных методик Шленка.Трихлорид фенилолова, 23 бис (триметилсилил) сульфид 24 и селенид, 25 циклопентадиенид натрия, 26 тетрациклогексилолово, 27 бензилтрибутилолово, 28 4-винилэтилбензоат 29 и трициклогексилстаннан 30 были получены в соответствии с ранее описанными процедурами; SnCl _4, и AIBN использовали в том виде, в каком они были получены от abcr.
Для синтеза и определения характеристик BnSnCl ₃ ( A ), R ¹ SnCy ₃ ( B ), R ¹ SnCl ₃ ( C ), CySnCl ₃ ( D ) и соединения [(PhSn) ₄ Se ₆] ( 1 ), [(BnSn) ₄ S ₆] ( 2 ), [(BnSn) ₄ Se ₆] ( 3 ), [(R ¹ Sn) ₄ S ₆] ( 4 ), [(R ¹ Sn) ₄ Se ₆] ( 5 ), [(CpSn) ₄ S ₆] ( 6 ), [(CpSn) ₄ Se ₆] ( 7 ), [(CySn) ₄ S ₆] ( 8 ) и [(CySn) ₄ Se ₆] ( 9 ), см. Вспомогательную информацию.
Порошковые дифрактограммы были измерены на дифрактометре StadiMP фирмы Stoe, оборудованном кремниевым стрип-детектором Mythen 1K и источником рентгеновского излучения Cu-Kα ( λ = 1,54056 Å). Образцы измеряли пропускание между двумя слоями скотча (3M).

Данные для рентгеноструктурного анализа монокристаллов были собраны на четырехкружном дифрактометре STOE STADIVARI с использованием излучения Cu _Kα ( λ = 1,54186 Å) при 100 К. Данные отражения обрабатывались с помощью X-Area 1 .77.31 Структурное решение было выполнено прямыми методами и уточнением полноматричным методом наименьших квадратов по F ² с использованием программного обеспечения SHELXT32 и SHELXL ‐ 201433. CCDC https://www.ccdc.cam.ac.uk/services/structures?id=doi:10.1002/anie.2011 ( 3 ) содержит дополнительные кристаллографические данные для этой статьи. Эти данные бесплатно предоставляются http://www.ccdc.cam.ac.uk/.

Излучение белого света и ГВГ были выполнены с использованием установки для конфокальной микроскопии.Для возбуждения используются либо импульсы длительностью 100 фс от титан-сапфирового лазерного генератора, работающего с частотой следования 78 МГц, настроенного на 1,56 эВ для экспериментов по ГВГ, либо многомодовый диодный лазер непрерывного действия с энергией фотонов 0,855 эВ для излучение белого света. Объектив Шварцшильда 0,5 NA фокусирует и собирает свет на образец и от него, который находится в вакууме при комнатной температуре (293 K). Линза фокусирует отраженный назад свет либо на камеру формирования изображений, либо на входную щель четвертьметрового спектрометра Чехи-Тернера, оснащенного термоэлектрически охлаждаемой кремниевой камерой с зарядовой связью глубокого истощения.

Очевидно, отличная общая форма эмиссионных спектров по сравнению с теми, о которых сообщалось в предыдущей работе14, 20, происходит из-за изменения, основанного на обнаружении, а не из-за другой длины волны возбуждения. В настоящей работе мы используем лазерный диод с длиной волны 1450 нм для подавления возбуждающей лазерной линии, которая в противном случае появилась бы в используемой системе обнаружения на основе кремния. Соответственно, мы не используем никаких фильтров перед нашей системой обнаружения и, таким образом, мы можем обнаруживать в полном окне отклика кремниевой ПЗС-матрицы.В цитируемых публикациях использовался диод 980 нм, который отфильтровывался по спектрам, давая измененную форму излучения WL. Однако на фактическое излучение не влияет изменение длины волны возбуждения, и различный внешний вид обусловлен используемым фильтром, установленным при обнаружении.

Расчеты теории функционала плотности (DFT) были выполнены с помощью TURBOMOLE34 с использованием базисных наборов def2-TZVP35 и с использованием преимуществ метода разрешения идентичности с мультипольным ускорением.36 Структуры были оптимизированы с помощью функционального BP86.37. Расчеты с временным DFT (TD-DFT) были выполнены с использованием функционала B3-LYP.

Конфликт интересов

Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

Дополнительная информация

В качестве услуги для наших авторов и читателей этот журнал предоставляет дополнительную информацию, предоставленную авторами. Такие материалы проходят рецензирование и могут быть реорганизованы для онлайн-доставки, но не подлежат редактированию или верстке.Вопросы технической поддержки, возникающие из вспомогательной информации (кроме отсутствующих файлов), следует адресовать авторам.

Благодарности

Работа выполнена при поддержке Deutsche Forschungsgemeinschaft в рамках FOR 2824 и GRK1782. Группа Giessen также признает финансовую поддержку со стороны европейских шрифтов регионального развития (EFRE 2DIBS). S.C. также благодарит программу Гейзенберга (CH660 / 2).

Банкноты

Э. Дорнзипен, Ф.Добенер, С. Чаттерджи, С. Денен, Ангью. Chem. Int. Эд. 2019 , 58 , 17041. [Бесплатная статья PMC] [PubMed]

Посвящается профессору Хуберту Шмидбауру по случаю его 85-летия

Список литературы

1. Канацидис М.Г., адв. Матер. 2007, 19, 1165–1181. [Google Scholar] 2. Schiwy W., Krebs B., Angew. Chem. Int. Эд. Англ. 1975, 14, 436–436; [Google ученый] Энгью. Chem. 1975, 87, 451–452. [Google Scholar] 3. Камая Н., Хомма К., Ямакава Ю., Хираяма М., Канно Р., Йонемура М., Камияма Т., Като Ю., Хама С., Кавамото К., Мицуи А., Nat. Матер. 2011, 10, 682–686. [PubMed] [Google Scholar] 5. Баг С., Трикалитис П. Н., Чупас П. Дж., Арматас Г. С., Канатзидис М. Г., Наука 2007, 317, 490–493. [PubMed] [Google Scholar] 7. Николь Л., Лаберти-Роберт К., Розес Л., Санчес К., Наноразмер 2014, 6, 6267–6292. [PubMed] [Google Scholar] 8. Hassanzadeh Fard Z., Müller C., Harmening T., Pöttgen R., Dehnen S., Angew. Chem. Int. Эд. 2009, 48, 4441–4444; [PubMed] [Google Scholar] Энгью.Chem. 2009, 121, 4507–4511. [Google Scholar] 9. Hassanzadeh Fard Z., Reza Halvagar M., Dehnen S., J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 2848–2849. [PubMed] [Google Scholar]

10.

10a. Eußner J.P., Barth B.E.K., Leusmann E., You Z., Rinn N., Dehnen S., Chem. Евро. Дж. 2013, 19, 13792–13802; [PubMed] [Google Scholar] 10c. Eußner J.P., Kusche R.O., Dehnen S., Chem. Евро. Дж. 2015, 21, 12376–12388. [PubMed] [Google Scholar] 11. Леусманн Э., Шнек Ф., Денен С., Металлоорганические соединения 2015, 34, 3264–3271.[Google Scholar]

12.

12a. Rinn N., Eußner J.P., Kaschuba W., Xie X., Dehnen S., Chem. Евро. Дж. 2016, 22, 3094–3104; [PubMed] [Google Scholar] 12b. Rinn N., Guggolz L., Lange J., Chatterjee S., Block T., Pöttgen R., Dehnen S., Chem. Евро. Дж. 2018, 24, 5840–5848. [PubMed] [Google Scholar] 13. Rosemann N. W., Eußner J. P., Beyer A., Koch S. W., Volz K., Dehnen S., Chatterjee S., Science 2016, 352, 1301–1304. [PubMed] [Google Scholar] 14. Pfeiffer P., Lehnardt R., Ber. Dtsch. Chem. Ges.1903, 36, 3027–3030. [Google Scholar] 15. Дорфельт К., Янек А., Кобельт Д., Паулюс Э. Ф., Шерер Х., J. Organomet. Chem. 1968, 14, P22 – P24. [Google Scholar] 16. Bart J. C. J., Daly J. J., J. Chem. Soc. Dalton Trans. 1975, 2063–2068. [Google Scholar] 17. Берве Х., Хаас А., Chem. Бер. 1987, 120, 1175–1182. [Google Scholar] 18. Wagner C., Raschke C., Merzweiler K., Appl. Органомет. Chem. 2004, 18, 147. [Google Scholar] 19. Rosemann N. W., Eußner J. P., Dornsiepen E., Chatterjee S., Dehnen S., J. Am.Chem. Soc. 2016, 138, 16224–16227. [PubMed] [Google Scholar]

20. Мы используем термин WLG в более широком смысле для обозначения аналогичного процесса в предыдущих исследованиях. Этот термин, в нашем понимании, относится к свету, состоящему из нескольких длин волн, то есть охватывающему широкий спектральный диапазон, что не обязательно означает, что излучение имеет чисто белый цвет. Обратите внимание, что термин «излучение» всегда относится к этому типу «излучения WL» в данном документе.

21. Wraage K., Pape T., Herbst-Irmer R., Noltemeyer M., Шмидт Х. Г., Роески Х. В., Eur. J. Inorg. Chem. 1999, 869–872. [Google Scholar] 22. Дорнзипен Э., Добенер Ф., Менгель Н., Ленчук О., Дуэ С., Санна С., Молленхауэр Д., Чаттерджи С., Денен С., Adv. Опт. Матер. 2019, 7, 10.1002 / адом.201801793. [CrossRef] [Google Scholar] 23. Циммер Х., Спарманн В., Chem. Бер. 1954, 87, 645–651. [Google Scholar] 24. Со Дж. Х., Буджук П., Синтез. 1989, 306–307. [Google Scholar] 25. ДеГрут М. В., Тейлор Н. Дж., Корриган Дж. Ф., J. Mater. Chem. 2004, 14, 654–660.[Google Scholar] 26. Панда Т. К., Геймер М. Т., Роески П. В. Металлоорганические соединения 2003, 22, 877–878. [Google Scholar] 27. Краузе Э., Похланд Р., Бер. Dtsch. Chem. Ges. 1924, 57, 532–544. [Google Scholar] 28. Айрапетян Д. В., Петросян В. С., Грюнер С. В., Зайцев К. В., Архипов Д. Э., Корлюков А. А., Ж. Органомет. Chem. 2013, 747, 241–248. [Google Scholar] 29. Чо С., Ма Б., Нгуен С. Т., Хапп Дж. Т., Альбрехт-Шмитт Т. Э., Chem. Commun. 2006, 2563–2565. [PubMed] [Google Scholar] 30. Жуссом Б., Лахчини М., Раскле М.-К., Металлоорганические соединения 1995, 14, 685–689. [Google Scholar]

31. Stoe and Cie GmbH, X-Area , Version 1.77 , 2016 .

34. TURBOMOLE Version 7.3, TURBOMOLE GmbH 2018 . TURBOMOLE — это разработка Университета Карлсруэ и Forschungszentrum Karlsruhe 1989–2007, TURBOMOLE GmbH с 2007 года.

35. Eichkorn K., Weigend F., Treutler O., Ahlrichs R., Theor. Chem. В соотв. 1997, 97, 119. [Google Scholar] 36. Серка М., Hogekamp A., Ahlrichs R., J. Chem. Phys. 2003, 118, 9136–9148. [Google Scholar]

37.

ETC AM79M574-JC

DtSheet

Загрузить

ETC AM79M574-JC

Открыть как PDF
Похожие страницы
ETC AM7922-1JC
ETC AM7920-1SC
ETC AM7947CPC
ETC LE79555-3VC
Le79489 Лист данных
ETC AM79R79-2JC
ETC AM79R70-1SC
AMD AM79R70JC
ETC LE57D111TC
Le7920
Le79R79 Лист данных
ERICSSON PBL386652
Le5711
ERICSSON PBL386112QNT
LE79R70-1FQC — цифровой ключ
ETC AM7945JC
ETC AM79M535-1JC
ETC AM7943-1JC
AMD AM79M535-1JC
ETC AM79574-1JC
AMD AM79M576A
AMD AM79574-1JC
dtsheet © 2021 г.
О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь Анализ конструкции демпферной цепи
| ЭлектроникаBeliever
Что такое демпфер?
Демпфер — это форма защиты цепи от скачков напряжения, звона и колебаний.Демпфер работает либо путем ограничения скачков напряжения, но без изменения частоты вызывного сигнала, либо выполняет ту же функцию. Проектирование демпферных схем — одна из сложных задач схемотехнического проектирования. Чтобы спроектировать хорошую демпферную цепь, необходимо глубокое знание основ схемы. Однако, прочитав это, вы можете разработать свою собственную схему демпфера.
Общие классификации демпферов
С потерей или диссипацией
Демпферная цепь с потерями — это цепь, которая потребляет или потребляет энергию.С точки зрения эффективности системы использование этого недостатка, особенно для источников питания, которые нацелены на очень высокие требования к эффективности. Однако это менее сложно и проще в разработке. В диссипативном демпфере в качестве рассеивающих элементов используется резистор, а иногда и диод.
Без потерь или без рассеивания
Демпферная схема без потерь — это схема, которая не потребляет энергию. В большинстве случаев это сложное решение, к тому же дорогое.Это предпочтительно для высокоэффективных приложений. В недиссипативном демпфере используются катушки индуктивности и конденсаторы.
Сравнение демпфирующей мощности с потерями и без потерь
Потери демпфера с потерями зависят от выбора демпфирующих устройств. Выбор устройства зависит от уровня подавляемого скачка напряжения и частоты вызывного сигнала. Для большинства приложений диссипативные демпфирующие потери минимизированы и допустимы, поэтому проектировщики всегда используют его для быстрого и легкого расчетного срока службы.
Демпфер без потерь в идеале работает без потерь или не потребляет энергию. Однако идеала не существует, поэтому на нем есть небольшие потери. В прошлом, когда я разрабатывал несколько схем демпфера (говоря о диссипативном демпфере), мне удавалось установить потерю мощности менее 1 Вт для мощности 500 Вт или даже выше. Это соответствует 0,2% выходной мощности, что незначительно для эффективности.
Демпферы, обычно используемые на практике
Несмотря на множество разновидностей демпфера, конструкция демпфирующей цепи часто сводится только к двум обычно используемым конфигурациям.
1. RC демпфер
Судя по названию, он использует резистор и конденсатор для формирования демпфирующей цепи. Это обычно используемые демпферы для переключения полевых МОП-транзисторов.
Некоторые схемы, в которых используется RC демпферный контур
Топология повышающего преобразователя
Понижающий преобразователь
Синхронный выпрямитель постоянного тока
2.Демпфер УЗО
Некоторые конструкторы чаще называли это зажимом УЗО, чем демпфером УЗО.
Это потому, что он буквально фиксирует скачки напряжения, не изменяя при этом пик или частоту звонка. Демпфер УЗО состоит из резистора, конденсатора и диода.

Некоторые схемы, в которых используется демпфер УЗО
Обратный преобразователь
Прямой преобразователь
Как работает демпфер RC Демпфер
RC обычно используется в переключающих преобразователях для ограничения скачков напряжения на переключающем устройстве до безопасного уровня.Не только просто фиксируя скачок напряжения, но и изменяя частоту скачков напряжения или поведение звонка, чтобы предотвратить дальнейшие проблемы.
Демпфер
RC работает, изменяя частоту вызывного сигнала, а также снижая уровень скачков напряжения. Конденсатор действует как накопитель заряда, а резистор обеспечивает путь разряда. Например, в схеме ниже RC-демпфер R1 и C1 защищает полевой МОП-транзистор Q1 от скачков напряжения на стоке. Когда полевой МОП-транзистор выключен, демпфирующий конденсатор заряжается через R1.Когда полевой МОП-транзистор включается, конденсатор разряжается через R1 на полевой МОП-транзистор и на землю цепи. Цикл повторится с пустым конденсатором. Резистор рассеивает мощность. В одном цикле переключения есть два момента, когда ток течет к резистору. На рисунке ниже эти токи называются токами заряда и разряда.
Тот факт, что демпфер RC может изменять частоту вызывного сигнала, играет важную роль в решении проблем, связанных с EMI.В прошлом я решил несколько проблем с EMI b, используя демпферы RC при переключении MOSFET и диодов.
Что вызывает звон и скачки напряжения при переключении полевого МОП-транзистора?
Звон и скачок напряжения вызваны взаимодействием индуктивности рассеяния и выходной емкости полевого МОП-транзистора. Скачок напряжения вызывает индуктивность рассеяния, а не желаемая индуктивность. Индуктивность рассеяния будет накапливать энергию, но эта энергия не передается нагрузке или желаемой системе, и поэтому ей некуда деваться.
На приведенной ниже диаграмме показан обычный синхронный выпрямитель для полного мостового выпрямления с центральным отводом. Эта структура схемы является общей в секции DCDC SMPS. Энергия требуемой индуктивности будет передана нагрузке (выходной стороне), но энергии утечки некуда деваться.
Q1 и Q2 на приведенной выше диаграмме не будут работать одновременно. Когда Q1 включен, Q2 выключен, и наоборот. Схему можно упростить, взяв только отдельный МОП-транзистор, как показано ниже.
Уровень VDD в идеале должен быть вдвое выше уровня выходного сигнала плюс пик.
RC демпферная схема проектирования и анализ
Не существует идеального метода выбора компонентов RC-демпфера. Однако есть методы, которые доказали свою эффективность в реальном дизайне. Один из документов, на который я также ссылаюсь, — это инструкция по применению NXP semiconductor, AN11160, которая озаглавлена «Проектирование демпферов RC». https: //www.mikrocontroller.net / attachment / 202527 / AN11160_Designing_RC_Snubbers__NXP.pdf Это хороший теоретический и практический подход к выбору начальных значений демпфера RC.
Критическими параметрами, которые следует учитывать для выбранных частей, являются напряжение и рассеиваемая мощность демпферного резистора. Номинальное напряжение конденсатора и резистора должно быть выше скачка напряжения.
Потери мощности в демпфере RC
Вкладом в потерю мощности в демпфере RC является резистор. Подходящий размер резистора должен быть выбран с точки зрения потерь мощности и эффективности демпфера.Слишком высокое сопротивление снижает потери мощности, но может обеспечить неэффективный демпфер. С другой стороны, более низкое сопротивление, скорее всего, может обеспечить эффективный демпфер, но эффективность системы пострадает из-за более высоких потерь мощности в демпфере RC.
Как рассчитать потери мощности в демпфирующем резисторе RC
В схеме ниже Rsn и Csn составляют демпферную RC-цепь. Когда Q1 включается, заряд на демпфирующем конденсаторе проходит через Rsn для разряда. К моменту выключения Q1 конденсатор Csn будет заряжаться через Rsn.Следовательно, за один цикл переключения ток пройдет через резистор дважды.
Ниже приведены важные для анализа формы сигналов. Общая рассеиваемая среднеквадратичная мощность на резисторе зависит от VRMS1 и VRMS2. Фактически, форма сигнала RMS1 находится на отрицательной оси Y, потому что это происходит, когда конденсатор разряжается. Однако, поскольку мы собираемся получить значение RMS, мы рисуем форму волны по положительной оси Y. Для получения RMS это не имеет значения.
Определения:
В _RMS1 — Действующее значение формы кривой напряжения резистора при разряде конденсатора
В _RMS2 — Действующее значение кривой напряжения резистора при зарядке конденсатора
V _DRAIN — Напряжение стока Q1
VC _SN — Напряжение демпфирующего конденсатора
VR _SN — Напряжение демпферного резистора
PWM — сигнал с широтно-импульсной модуляцией на затворе Q1 для его включения и выключения
T — Один период переключения
Тонна — время, в которое включен Q1 или высокий уровень ШИМ
5RC — просто 5 тау или 5 постоянных времени
t1 — время, в течение которого напряжение на резисторе становится нулевым после выключения Q1
Примечание: в приведенных ниже расчетах площадь под кривой считается треугольной для упрощения интегрирования.Таким образом, вычисленный результат может быть немного выше, чем фактический результат теста.
Отводы:
t1
Когда Q1 выключен, демпфирующий конденсатор будет заряжаться, и его напряжение будет экспоненциально расти, в то время как демпфирующий резистор будет сначала испытывать очень высокое напряжение, но экспоненциально затухает, Таким образом,
Где;
VDS — установившееся состояние стока Q1 (без всплеска)
VDS _MAX — пиковое напряжение стока (с выбросом)
В _RMS1
В _RMS1 присутствует от нуля до состояния полного разряда конденсатора, который происходит при 5 постоянных времени.
Где;
VR _{SN_DIS} — пиковый уровень напряжения резистора при разряде. Это равно уровню напряжения стока без всплесков.
В _RMS2
В _RMS2 присутствует с момента выключения Q1 до t1. Итак,
Где;
VR _{SN_CHA} — пиковый уровень напряжения резистора при зарядке (с скачком напряжения)
Суммарное действующее значение напряжения демпфирующего резистора
Рассеиваемая мощность демпфирующего резистора
Пример расчета потерь мощности при расчете RC демпфера
В этом примере конструкции показан трансформатор с центральным ответвлением с синхронным выпрямителем на каждой ветви трансформатора.Q1 и Q2 имеют взаимодополняющие операции (в идеале 50% нагрузки без учета мертвого времени).
Когда Q1 выключен, его напряжение стока сначала будет иметь высокий скачок напряжения, а затем снизится до удвоенного уровня Vout, поскольку L1 и L2 имеют одинаковое количество витков. За это время будет заряжаться C1.
Когда Q1 включается, он обеспечивает заземление для заряда в C1, чтобы разрядиться через R1. К этому времени пиковый уровень напряжения на R1 составляет всего два Vout плюс падение на Q2.
Дано:
Выход = 24 В
CSN = 1 нФ
RSN = 51 Ом
Fsw = 110 кГц (частота переключения)
VDS _MAX = 80 В (скачок измеренного напряжения)
В _{SR_DROP} = 0.2 В (расчетное падение напряжения Q1 или Q2 во включенном состоянии)
Решение:
Краткий метод расчета потерь мощности в демпфере RC
Указанное выше решение является сложным и требует очень высоких технических знаний. Есть простое решение, которое можно использовать. Этого достаточно, если у вас есть большой запас конструкции, поскольку это приведет к более высокому рассеянию мощности. Однако, если вы хотите получить более реалистичный результат, вы должны использовать предыдущий анализ.
В этом подходе энергия в резисторе приравнивается к конденсатору как в состоянии заряда, так и в состоянии разряда. Я могу согласиться с состоянием разряда, поскольку очевидно, что энергия в конденсаторе некуда бежать, кроме как в резисторе, не принимая во внимание небольшое демпфирующее влияние полевого МОП-транзистора на сопротивление состояния. Однако я не могу согласиться с этим, пока конденсатор заряжается. В любом случае, чтобы продемонстрировать этот подход, давайте примем идею о том, что энергия во время зарядки и разрядки конденсатора одинакова, и это также будет энергия на резисторе.
Поскольку энергия во время зарядки и разрядки имеет одинаковую величину, мы можем рассматривать только один из них, чтобы получить энергию. Рассмотрим состояние разряда в этом анализе.
Итак,
Учитывая частоту переключения 110 кГц и максимальное напряжение стока 80 В при 1 нФ для демпфирующего конденсатора, результирующее рассеивание мощности на резисторе составит
Результат этого подхода выше, чем у предыдущего метода и фактического или измеренного результата.Предыдущий метод (длинный) записал 0,545 Вт; в то время как результат этого метода быстрого доступа составляет 0,704 Вт.

Проектирование и анализ схемы демпфера УЗО Демпфер
УЗО иногда называют зажимом УЗО, поскольку он фактически фиксирует скачки напряжения. Зажимы УЗО действуют как источник напряжения с низким сопротивлением. Как следует из названия, он состоит из трех основных компонентов; резистор для R, емкость для C D для диода. Резистор будет рассеивать мощность из накопленной энергии утечки, в то время как конденсатор обеспечивает источник постоянного тока с низким уровнем пульсаций.Диод действует как однонаправленный переключатель. Ниже цепи, заключенной в синий прямоугольник, находится демпфер УЗО.
Зажим или демпфер
УЗО обычно используется в обратном преобразователе, поэтому мы будем проектировать значения УЗО на основе обратного хода.
Чтобы вывести уравнения, очень важно знать форму волны и то, как ее анализировать. Я показываю здесь выводы, но не возражаю их запомнить, просто используйте формулу, которую я уже вывел.
Получение Rsn
Выражение через Vclamp и напряжение стока;
В приведенном выше уравнении «OF» является сокращением от «другого фактора».В предыдущих выводах предполагается, что ток будет течь только к зажиму УЗО и что диод Dsn имеет в идеале нулевое время прямого восстановления. В реальной конструкции часть тока может течь к конденсатору стока, и время прямого восстановления диода не равно нулю. Это сделает вычисленное напряжение зажима меньше фактического. Чтобы компенсировать это, необходимо добавить дополнительную маржу. Хорошая оценка — установить OF на уровне 20-30%.
Получение CSN
Несколько авторов сказали, что конденсатор должен быть достаточно большим, чтобы напряжение фиксации не сильно изменялось за один цикл переключения.
Хорошей отправной точкой при выборе конденсатора является установка отношения Vremained к Vclamp равным 50%. Это означает, что пульсирующее напряжение сети зажимов составляет половину напряжения зажима.

Рассеиваемая на резисторе мощность может быть вычислена как:
PRsn = Vclamp ² / Rsn
Связанные
Конструкция и характеристики МГКТ 10 кВ с обратным током
Дизайн и Характеристики обратного поведения < strong> 10 — кВ — IGCTs Берлинский университет им. Свена Чирли of Applies Sciences L Luxembourgger Strasse 10 D -13353 Берлин Германия Аннотация — интеграция 10 — кВ -IGCT и быстрого диода в одно нажатие. pack — очень привлекательное решение для преобразователей среднего напряжения в диапазоне напряжений 6 кВ — 7.2 кВ , если номинальная мощность преобразователя не превышает 5-6 МВА. В этом документе описывается конструкция и характеристики первого в мире реверсивного проводника 68 мм 10 — кВ — IGCT . Экспериментально исследуются и переключение в открытом состоянии различных образцов IGCT и диодов.Результаты экспериментов ясно показывают, что 10 — кВ -RC- IGCT являются привлекательными силовыми полупроводниками для напряжений 6 — 7,2 кВ Преобразователи среднего напряжения. I. ВВЕДЕНИЕ Интегрированный тиристор с коммутацией затвора (IGCT) — привлекательный силовой полупроводник для преобразователей среднего напряжения. Его низкое напряжение в открытом состоянии и быстрые переходные процессы при переключении вызывают минимальные потери в полупроводниках при высоком использовании кремния в приложениях среднего напряжения [2].Увеличение напряжения и мощности преобразователя по-прежнему является явной тенденцией преобразователей среднего напряжения с широтно-импульсной модуляцией (ШИМ). Использование 5,5 кВ — IGCT и диодов на одно положение переключателя в трехуровневом источнике напряжения с фиксированной нейтралью. преобразователь (3L-NPC VSC) позволяет создавать преобразователи с номинальным напряжением Vll, n, RMS = 4.16 кВ . На рис. 1 (а) показаны диапазоны напряжения и мощности преобразователей среднего напряжения, доступных сегодня на рынке. Приводы среднего напряжения (MVD) St и ard доступны с классами напряжения Vll, n, RMS = 2.3. . .4,16 кВ . Модуль IGBT сместил поворот затвора f тиристора (GTO) в тяговых и промышленных приводах малой и средней мощности.Основное применение IGCT — промышленные преобразователи среднего и высокого напряжения и средней мощности, а также железнодорожные пути и динамические восстановители напряжения [5]. На рисунке 1 (b) представлен обзор силовых полупроводников с возможностью поворота на f. Доступны IGBT с блокирующим напряжением до 6,5 кВ . Большинство IGBT и обратных диодов упакованы в модули.IGCT коммерчески доступен для блокировки напряжений до 6,5 кВ . Корпус пресс-пакета делает его надежным и взрывозащищенным устройством. Кроме того, номинальная плотность тока обычно выше по сравнению с IGBT. Повышение выходного напряжения преобразователя может быть достигнуто путем последовательного соединения IGCT в каждом положении переключателя или использования устройства с более высоким напряжение блокировки VDRM.It Steffen Bernet Дрезденский университет of Technology Helmholtzstrasse 9 D-0 10 69 Dresden Германия Peter Streit ABB Switzerl и Ltd. Fabrikstrasse 3 CH-5300 Lenzburg Switzerl и показано в [2], [3], что использование одного одного 10 — кВ — IGCT на положение переключателя позволяет уменьшить количество компонентов в силовой части преобразователя на 41–71% и увеличить на < / strong> V ll / кВ 10 2 10 1 10 0 10 — 1 10 -1 В / В 10 4 10 3 10 2 ABB HVDC Light MurrayLink ABB HVDC Light IGBT Presspack Gotl и IGBT Presspack ABB HVDC Light EaglePass Siemens Robicon IGBT IGBT Presspack Siemens sinamics IGBT IGBT GTO 10 0 10 кВ / 10 00A (ABB, прототип) 6500V / 600A (Toshiba, Prototype) IGCT 10 00V / 33A (IXYS) MOSFET 200V / 180A (Semikron) 10 0V / 460A (Semikron) 10 2 ABB HVDC Light Valhal Offhore IGBT Presspack GE AF 300 IGBT ABB ACS800 IGBT IP Siemens Simatics S150 IGBT 6500V / 600A (Infineon) 5200V / 900A (Westcode ) 3300 В / 1200 А (Infineon) 2500 В / 1800 А (Fuji) (a) 10 1 S / МВА C 6500 В / 1500 А (Mitsubishi) 1700 В / 3600 А (Infineon) (b) ABB HVDC Light CrossSound IGBT Presspack Converteam IGBT Converter ABB ACS 10 00 IGCT ABB HVDC Light Troll Offshore IGBT Presspack ABB Railway Intertie Bremen IGCT ABB ACS5000 IGCT ABB ACS6000 IGCT GE Dura Bilt5i MV IGBT TMEIC TMdrive IGCT TMEIC TMdrive IEGT 10 3 10 2 IGBT IGCT ABB HVDC Light EstLink IGBT Presspack ABB HVDC Light DirectLink IGBT Presspack GTO 6 кВ / 6kA (Mitsubishi) 10 4 10 3 5500 В / 2300 А (ABB) 4500 В / 4000A (ABB) 4500V / 2 10 0A (Toshiba, IEGT) Рис.1. (a) Применение IGBT и IGCT в преобразователях источников напряжения. (B) Максимальные запирающие напряжения на витков. — f-совместимых силовых полупроводниковых устройств [5] I / A
Блок питания NSN 6130-01-491-6533 [наличие деталей]
Блок питания NSN 6130-01-491-6533 [наличие деталей ] Описание позиции
Компонент, преобразующий доступную электрическую мощность переменного или постоянного тока в форму, необходимую для работы другого компонента или комплекта.Изделие может состоять из комбинации инвертора, вибратора; вибратор, прерыватель; вибратор саморегулирующийся; инверторный, силовой, статический; с трансформатором и выпрямителем (ами), в которых используются электронные лампы, полупроводниковые диоды или компоненты типа металлических (сухой диск), или синхронизированные вторичные контакты вибратора, самопрямляющиеся; или может состоять из электронных ламп, полупроводниковых диодов или металлических (сухой диск) выпрямителей и конденсаторов в бестрансформаторных цепях (типа переменного и постоянного тока), которые могут быть типа умножителя напряжения.Изделие может включать в себя фильтр, источник питания постоянного тока и средства регулирования входного и / или выходного напряжения. Элемент может иметь специальные средства ввода, вывода, управления или другие средства для применения в специализированных средах, таких как медицинские, стоматологические или другие операции. Не включает зарядные устройства для аккумуляторов и вращающееся оборудование, например двигатели-генераторы и динамоторы.
NSN: 6130-01-491-6533
Прилагается к каждому заказу
Защита от подделок
100% проверка продукции
Сохранение записей 7 лет
Своевременная доставка
Сертификат HAZMAT
Доставка по всему миру
Получить предложение
Получите актуальную цену на nsn 61300143
Особенности и характеристики
Конечное приложение
An / usq-148 (v) 2, сборка, операция inter 17 «fpd; an / usq-148b (v) 2, сборка, IP-маршрутизатор; сборка / usq-148b (v) 2, интерфейс оператора; an / usq -148b (v) 2 fci rsn 5, интерфейсная сборка
Название детали присвоено контролирующим агентством
Inavy) блок питания fpd
FSC
6130 Электрические преобразователи невращающиеся
Номера деталей производителя
Номера деталей, зарегистрированные под этим национальным складским номером.
Номер детали
Клетка
Статус
Паспорт безопасности материала
Внешняя торговля и расписание B
Что такое номер в Приложении B? Дополнительную информацию можно найти на сайте help.cbp.gov .
График B Номер: 8504
0
НАИКС: 334419
SITC: 77129
Описание: Детали статического преобразователя и индуктора, прочие
Конечное использование (Код 20000):
Генераторы, аксессуары
Вопросы и ответы
Часто задаваемые вопросы для NSN 6130-01-491-6533
Какие производители nsn 61300143?
Есть ли у этого nsn 61300143 срок годности?
Нет.Этот NSN не имеет применимого срока годности.
Каково формальное определение nsn 61300143
Компонент, преобразующий доступную электрическую мощность переменного или постоянного тока в форму, необходимую для работы другого компонента или установки. изделие может состоять из комбинации инвертора, вибратора; вибратор, прерыватель; вибратор саморегулирующийся; инверторный, силовой, статический; с трансформатором и выпрямителем (ами), в которых используются электронные лампы, полупроводниковые диоды или компоненты типа металлических (сухой диск), или синхронизированные вторичные контакты вибратора, самопрямляющиеся; или может состоять из электронных ламп, полупроводниковых диодов или металлических (сухой диск) выпрямителей и конденсаторов в бестрансформаторных цепях (типа переменного и постоянного тока), которые могут быть типа умножителя напряжения.элемент может включать в себя фильтр, источник питания постоянного тока и средства регулирования входного и / или выходного напряжения. элемент может иметь специальные средства ввода, вывода, управления или другие средства для приложений в специализированных средах, таких как медицинские, стоматологические или другие операции. не включает зарядные устройства аккумуляторных батарей и вращающееся оборудование, такие как двигатели-генераторы и динамоторы.
Содержит ли nsn 61300143 драгоценные металлы?
Без содержания драгоценных металлов.
Содержит ли nsn 61300143 опасные материалы?
Нет паспорта безопасности материала. Нет опасных материалов.
Что такое ESD-классификация nsn 61300143?
Нет данных об электростатическом разряде.
Группа идентификации
Руководство по идентификации предметов (IIG) и код наименования предметов (INC)
INC
ФИИГ
Прил.Ключ
Cond. Код
Статус
Что вы получаете при заказе на сайте nationalstocknumber.org?
Своевременная доставка
Сертификат соответствия
Детали с проверкой качества
Качественное быстрое обслуживание

NationalStockNumber.
No related posts.

Разное