+7 495 120-13-73 | 8 800 500-97-74

(для регионов бесплатно)

B562C Даташит, B562C PDF Даташиты

производитель Номер в каталоге Компоненты Описание Посмотреть
TEL
Transys Electronics Limited
B562 TO-92L Plastic-Encapsulated PNP Transistors
Secos
Secos Corporation.
B562 0.9 W, -1 A, -25 V PNP Plastic Encapsulated Transistor
MCC
Micro Commercial Components
B562_2009 PNP Epitaxial Silicon Transistor
MCC

Micro Commercial Components
B562 PNP Epitaxial Silicon Transistor
UTC
Unisonic Technologies
B562 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Hitachi
Hitachi -> Renesas Electronics
B562 Silicon PNP Epitaxial
Renesas
Renesas Electronics
B562 Silicon PNP Epitaxial
Twtysemi
TY Semiconductor
B562 TO-92L Plastic-Encapsulate PNP Transistors
WINNERJOIN
SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD
B562 TRANSISTOR (PNP)
Jiangsu
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
B562 TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
CRYDOM
Crydom Inc.,
B562-2 Eight Circuits to Choose from

ru.datasheetbank.com

Transys Electronics Limited B562 Даташит, B562 PDF, даташитов

Номер в каталоге
Описание (Функция)
PDFпроизводитель
2SA935 TO-92L Plastic-Encapsulated PNP Transistors Transys Electronics Limited
2SC2500-TO-92L TO-92L Plastic-Encapsulate NPN Transistors TY Semiconductor
KTC2316
TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
C2331 TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
A1023 TO-92L Plastic-Encapsulate PNP Transistors TY Semiconductor
2SB562
TO-92L Plastic-Encapsulate PNP Transistors
TY Semiconductor
MMDT4413 NPN — PNP Plastic-Encapsulated Transistors Secos Corporation.
BC857BV Dual PNP Plastic-Encapsulated Transistors Secos Corporation.
2SA608S Plastic-Encapsulated Transistors(PNP) Transys Electronics Limited
2SA966 TO-92MOD Plastic-Encapsulated PNP Transistors Transys Electronics Limited

ru.datasheetbank.com

2SB562C транзистор (0562 PNP 001A00 0025V TO-92MOD 2SB562C HITACHI)

  1. Продукция
  2. Транзисторы
  3. 2SB…

Производитель: HITACHI

Код товара: Т0000014704

Маркировка: B562C

Количество приборов:

Параметры
Наименование Значение Единица измерения Режим изменения
Проводимость PNP
Функциональное назначение выводов 1=E 2=C 3=B
Напряжение коллектор-база -25 Vdc
Напряжение коллектор-эмиттер -20 Vdc
Напряжение эмиттер-база -5 Vdc
Ток коллектора max -1 A
Ток коллектор импульсный max -1,5 A
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ 120…240
Vce=−[email protected]=−500mA
Обратный ток коллектора -1 mkA @[email protected]=0V
Напряжение коллектор-эмиттер насыщения -0,2 Vdc (-0.5Vmax)@[email protected]=-80mA(Pulse test)
Граничная частота 350 MHz @[email protected]=-500mA
Емкость коллекторного перехода 38 pF @[email protected][email protected]=1MHz
Мощность рассеивания 0,9 W @25*C
Температура рабочая -55…+150 *C

elcom.zp.ua

Микросхемы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие t

зд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема
0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

www.microshemca.ru

2SC5682 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5682 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SC5682 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с ЭЛТ высокой четкости.

Особенности:

  • Высокая скорость переключения.
  • Высокое напряжение пробоя (Vcbo = 1500 В).
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 800 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 5 В
Ic Ток коллектора 20 А
Icp Ток коллектора импульсный 40 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 95 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 800 В, Ie = 0 10 мкА
Vce = 1500 В, Rbe = 0 1,0 мА
Iebo Обратный ток эммитера Veb = 4 В, Ic = 0 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 1,0 A 15
Vce = 5 В, Ic = 16,0 A 4 7
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 14,4 A, Ib = 3,6 А 3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 14,4 A, Ib = 3,6 А 1,5 В
Tf Время спада импульса Ic = 10 А, Ib = 2,0 А 0,2 мкс
Tstg Время установления Ic = 10 А, Ib = 2,0 А 3,0 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Транзисторы и их аналоги

Транзистор   — аналог

Транзистор   — аналог

Транзистор   — аналог

2N1221 —   КТ501Г

2N4260 — КТ363АМ- Купить 2N5875 — 2Т818Б- Купить
2N1613 —   КТ630Г — Купить 2N4261 — КТ363ЕМ- Купить 2N6034 — КТ8130А- Купить
2N1715 — КТ630B — Купить 2N4271 — 2Т653А — Купить 2N6035 — КТ8130Б — Купить
2N2218 — КТ928А — Купить 2N4400 — КТ660А — Купить 2N6036 — КТ8130В — Купить
2N2219 — КТ928Б — Купить 2N4401 — КТ660А — Купить 2N6037 — КТ8131А — Купить
2N2219A — КТ928В — Купить 2N4402 — КТ685А — Купить 2N6038 — КТ8131Б — Купить
2N2221 — КТ3117А — Купить 2N4403 — КТ685В — Купить 2N6039 — КТ8131В — Купить
2N2222A — КТ3117Б — Купить 2N4411 — КТ3127А — Купить 2N6047 — КТ947А — Купить
2N2332 — 2Т208Б — Купить 2N4440 — 2Т921А — Купить 2N6053 — КТ825Б — Купить
2N2334 — 2Т208Г — Купить 2N4494 — KT645А — Купить 2N6054 — КТ825А — Купить
2N2335 — 2Т208Д — Купить 2N4930 — КТ505Б — Купить 2N6093 — КТ912А — Купить
2N2336 — 2Т208Л — Купить 2N4931 — КТ505А — Купить 2N6202 — КТ934А — Купить
2N2337 — 2Т208М — Купить 2N4933 — КТ927А — Купить 2N6203 — КТ934Б — Купить
2N2369 — КТ3142А — Купить 2N5069 — КТ3102Е — Купить 2N6204 — КТ934В — Купить
2N2405 — 2Т630А — Купить 2N5086 — КТ3107Б — Купить 2N6253 — 2Т818В — Купить
2N2440 — 2Т630Б — Купить 2N5087 — КТ3107К — Купить 2N6278 — КТ879Б — Купить
2N2904 — КТ692А — Купить 2N5088 — КТ3102Е — Купить 2N6279 — КТ879А — Купить
2N3055 — КТ8150А — Купить 2N5092 — КТ504А — Купить 2N6362 — КТ930А — Купить
2N3250 — КТ3108А — Купить 2N5177 — КТ909А — Купить 2N6364 — КТ930Б — Купить
2N3250A — КТ3108Б — Купить 2N5178 —   КT909Б — Купить 2N6369 — КТ931А — Купить
2N3251 — КТ3108В — Купить 2N5210 —   КТ3102Б — Купить 2N6388 — КТ899А — Купить
2N3448 — 2Т504А — Купить 2N5400 — КТ6116Б — Купить 2N6428 — КТ3117Б — Купить
2N3725 — КТ635Б — Купить 2N5401 — КТ6116А — Купить

radioschema.ru

Транзистор BC548. Характеристики, распиновка, datasheet — Уголок радиолюбителя

Транзистор BC548 — это биполярный NPN транзистор общего применения, разработанный Philips. Первоначально он маркировался как BC108 и имел металлический корпус (TO-18). Затем он приобрел пластиковый корпус и имел маркировку BC148, до тех пор, пока он не стал выпускаться в корпусе TO-92 (также известным как SOT-54 ) с маркировкой BC548.

Этот транзистор является частью семейства транзисторов с почти схожими характеристиками, которыми являются BC546, BC547, BC549,BC550, BC548.

Разница между этими транзисторами — максимальное рабочее напряжение. Кроме того, транзисторы BC549 и BC550 имеют очень низкий уровень шума и используются в схемах со слабым сигналом. Чтобы упростить объяснение, будем использовать название BC54x при описании всего семейства.

Характеристики семейства транзисторов BC548

Все члены семейства BC548 выдерживают выходные токи (ток между коллектором и эмиттером) до 100 мА, а максимальное напряжение зависит от модели, как мы это можем видеть на следующем рисунке.

Здесь видно, что диапазон рабочих напряжений в зависимости от модели составляет от 30В до 65В. Если наша схема питается от напряжения 5В, 12В или 24В, мы можем использовать любую модель семейства без каких-либо проблем.

Максимальный постоянный ток 100 мА, а непродолжительный пиковый ток может достигать 200 мА. Важно уточнить, что некоторые производители, такие как Fairchild, выпустили транзистор BC548, который обеспечивает ток до 500 мА, однако он не соответствует стандартным характеристикам этого компонента (это можно увидеть на листе производителя Fairchild).

Это создало некоторую путаницу сред радиолюбителей о реальных возможностях транзистора BC548 . Чтобы не рисковать, рекомендуем вам соблюдать ограничение в 100 мА, указанное для стандартной модели.

Транзисторы серии BC54x имеют превосходный коэффициент усиления (hFE) от 110 до 800. В конце маркировки транзистора можно видеть букву, которая служит для более точного определения диапазона усиления. Если буква отсутствует, то коэффициент усиления охватывает весь возможный диапазон (от 110 до 800) . В следующей таблице приведены значения hFE для транзисторов серии BC54x соответствующее последней букве кода.

При проектировании электронной схемы, обычно берется в расчет минимальный коэффициент усиления.  Это гарантирует правильную работу схемы при любых обстоятельствах, даже если транзистор будет заменен другим подобным.

В случае BC548 все модели семейства взаимозаменяемы, за исключением нескольких случаев (в схемах с высоким рабочим напряжением или очень низким уровнем сигнала в схемах усиления). Ниже представлена распиновка BC548:

Частотная характеристика BC548

Вся серия BC54x имеет хорошую частотную характеристику от 150 МГц до 300 МГц . Частотная характеристика обозначается аббревиатурой fT и является максимальной частотой, на которой транзистор имеет коэффициент усиления не менее 1.

Это связано с тем, что чем выше частота, тем ниже коэффициент усиления транзистора из-за емкостной составляющей  (около 5 пФ в нашем случае).

Если нам нужно работать с очень высокими частотами (более МГц), удобно использовать высокочастотные транзисторы, например, транзисторы из серии BF вместо BC.

Схожесть между 2N2222 и BC548. Распиновка

Транзистор BC548 и его семья очень похожи на историческую серию 2N2222 ( в настоящее время выпускаемые в пластиковом корпусе TO-92 под маркировкой PN2222 ). Отличие в распиновке 2N2222 от BC548 —  коллектор и эмиттер поменяны местами. Если необходимо заменить BC54x на 2N2222 или наоборот, необходимо просто развернуть корпус транзистора на 180 градусов вокруг базы.

Версии для SMD монтажа (BC848)

Эквивалентом BC548 для поверхностного монтажа (SMD) является серия BC848 . Полный ряд эквивалентов для всего семейства можно видеть на следующем рисунке

Версии для поверхностного монтажа имеют корпус типа SOT23, а распиновка выводов приведена на следующем рисунке.

Комплементарной парой транзистора BC548 (NPN) является транзистор BC558 (PNP).

Скачать datasheet BC548 (скачено: 88)

источник

fornk.ru

Разное

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о